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IBM在2015年7月完成了全球首款7nm原型芯片的制作，其采用的是7nm FinFET工藝、EUV極紫外光刻技術(shù)。
IBM攻克電池技術(shù)難關(guān)：手機續航3倍提升！ 圖 近日IBM宣布，摩爾定律并未終止，5nm芯片可以實(shí)現在指甲蓋大小中集成300億顆晶體管。 這是什么概念？ 我們以目前量產(chǎn)10nm的驍龍835舉例，后者在相似大小中集成的晶體管數量約30億。 IBM強調，同樣封裝面積晶體管數量的增大有非常多的好處，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一點(diǎn)是，5nm加持下，現有設備如手機的電池壽命將提高2~3倍，手機續航時(shí)間也會(huì )大大延長(cháng)。 另外，此前的資料顯示，5nm可能是物理極限，為此，IBM將開(kāi)發(fā)使用終極絕緣體──氣隙(air gap)。 但是這項在手機續航領(lǐng)域的技術(shù)，真正用到實(shí)際生產(chǎn)還有多長(cháng)時(shí)間，目前還是未可知的。希望這次會(huì )真真正正給手機續航時(shí)間來(lái)一次革命性的顛覆。 |
