大約是從去年年中開(kāi)始，以固態(tài)硬盤(pán)為代表的，包括固態(tài)硬盤(pán)、內存條、優(yōu)盤(pán)甚至閃存卡在內的幾乎全部閃存元器件產(chǎn)品，開(kāi)始緩慢漲價(jià)。一開(kāi)始的漲價(jià)幅度并不是特別大，許多人并沒(méi)有在意，也沒(méi)有太多人去解讀。

　　但是隨著(zhù)時(shí)間的推移，到了2016年第三第四季度，閃存元器件漲價(jià)的幅度逐漸增大，大幅超過(guò)許多人的心理預期價(jià)位時(shí)，有人開(kāi)始質(zhì)疑了：閃存元器件產(chǎn)品為什么漲價(jià)如此厲害？然而，閃存元器件存儲產(chǎn)品的漲價(jià)風(fēng)波并沒(méi)有就此停下腳步，進(jìn)入2017年。無(wú)論是閃存元器件大戶(hù)固態(tài)硬盤(pán)，還是閃存元器件內存條閃存卡等產(chǎn)品線(xiàn)，依舊在漲價(jià)的路上越走越遠。

　　那么，此輪閃存元器件產(chǎn)品線(xiàn)的漲價(jià)風(fēng)波到底緣何而起？此輪漲價(jià)風(fēng)波到底何時(shí)方能風(fēng)平浪靜？

　　閃存元器件漲價(jià)風(fēng)波緣起之一：技術(shù)冒進(jìn)，量產(chǎn)不足

　　近年來(lái)，隨著(zhù)固態(tài)硬盤(pán)的普及，主流的閃存元器件存儲產(chǎn)品，幾乎都開(kāi)始以閃存作為主要的存儲介質(zhì)，可能唯一的區別在于是易失性還是非易失性。

　　在過(guò)去的一年，隨著(zhù)固態(tài)硬盤(pán)加入主流存儲產(chǎn)品序列，各大閃存原廠(chǎng)開(kāi)始擴大園區，加速產(chǎn)能，以期推出更多的原廠(chǎng)閃存以供給下游新生的固態(tài)硬盤(pán)存儲廠(chǎng)商對于閃存原料的需求。然而，無(wú)論是擴大園區還是加速產(chǎn)能，幾乎都無(wú)法滿(mǎn)足，在去年開(kāi)始爆發(fā)性增長(cháng)的對于閃存原料的需求，以及隨著(zhù)固態(tài)硬盤(pán)走向平民化帶來(lái)的利潤率下降問(wèn)題。

　　各大閃存原廠(chǎng)開(kāi)始從閃存技術(shù)方面進(jìn)行革新，先是大量采用TLC替代MLC閃存顆粒，提高量產(chǎn)的同時(shí)還能提高利潤率，然而這一招并不能從根基上解決產(chǎn)能不足問(wèn)題。于是，全行業(yè)開(kāi)始從2D NAND制程轉向3D NAND制程，力圖從提高單位閃存顆粒的最高容量上著(zhù)手，間接提高整體閃存的出貨量，以滿(mǎn)足整個(gè)市場(chǎng)對于閃存原料的需求。

SLC/MLC/TLC三種層疊示意圖

　　在這里簡(jiǎn)單介紹2D NAND和3D NAND之間的區別和聯(lián)系。2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數間平房，這些平房整齊排列。但是隨著(zhù)需求量的不斷增加，平房的數量不斷井噴，可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數量的平房而無(wú)法繼續增加。

　　3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房，在同樣的平面中，樓房的容積率卻遠遠高于平房。因而它能提供更多的空間，也就是提供了更大的存儲空間，而32層、48層以及64層，則就是這些樓房的高度，一共堆疊了多少層。

　　從結果而言，采用這一技術(shù)的確是能夠快速有效的解決閃存量產(chǎn)不足的問(wèn)題。然而，眾多原廠(chǎng)卻忽視了技術(shù)瓶頸，對于3D NAND技術(shù)下閃存切割的良品率過(guò)于樂(lè )觀(guān)，致使在2D NAND轉至3D NAND的過(guò)程中，遠遠達不到預期產(chǎn)量，進(jìn)一步加劇了閃存供應不足的現實(shí)局面，更何況在2D轉3D技術(shù)的過(guò)程中，所有的機械、人工、廠(chǎng)房的投入，不可能因為技術(shù)瓶頸而放棄研發(fā)，重新轉回2D,更加劇了2D NAND的減產(chǎn)，引發(fā)全行業(yè)的閃存缺貨。

　　供不應求，則必然導致的結果是存儲廠(chǎng)商采購成本的提高，從而引發(fā)終端產(chǎn)品的價(jià)格一路飛漲。

　　閃存元器件漲價(jià)緣起之二：大容量存儲成為數碼標配

　　如果說(shuō)，技術(shù)冒進(jìn)引發(fā)量產(chǎn)不足是以固態(tài)硬盤(pán)為代表的閃存元器件存儲產(chǎn)品漲價(jià)的內因的話(huà)，那么在2016年開(kāi)始流行的數碼產(chǎn)品配備大容量存儲器則可以說(shuō)是，引發(fā)閃存元器件存儲產(chǎn)品漲價(jià)的最大外因了。

　　眾所周知，在全世界范圍內，能夠獨立生產(chǎn)和封裝閃存原料的所謂原廠(chǎng)僅有屈指可數的幾家，然而這幾家的閃存原料，卻要供應包括傳統的閃存元器件存儲產(chǎn)品，例如固態(tài)硬盤(pán)、閃存卡、優(yōu)盤(pán)甚至部分內存，還要供應給量級不斷攀升的手機、平板電腦、超極本以及一體機等新興數碼產(chǎn)品。

　　鑒于此類(lèi)新興數碼產(chǎn)品，大都是一體化設計無(wú)法實(shí)現外置存儲功能，大約從去年開(kāi)始，對于大容量的內部存儲器的需求，不斷加碼。高達128GB甚至256GB內置存儲容量，成為了這些新興數碼產(chǎn)品的標配，更成為了某些科技公司利潤率的重大保障。

　　同時(shí)，此類(lèi)新興數碼產(chǎn)品的銷(xiāo)量和熱度的攀升，利潤率的上升，給予原廠(chǎng)更多的價(jià)格回饋，因而更多的原廠(chǎng)愿意將閃存原料優(yōu)先供給給手機平板以及超極本等客戶(hù)，這就進(jìn)一步加劇了固態(tài)硬盤(pán)等傳統存儲產(chǎn)品閃存原料的缺失。

　　閃存原料的傾斜，引發(fā)的連鎖效應，倒逼存儲廠(chǎng)商不得不上調價(jià)格維系利潤。

　　閃存元器件漲價(jià)緣起之三：閃存技術(shù)引發(fā)服務(wù)器市場(chǎng)的青睞

　　在傳統的存儲行業(yè)，一直存在著(zhù)消費級市場(chǎng)和服務(wù)器級市場(chǎng)。一般來(lái)說(shuō)，新興的存儲技術(shù)在消費級存儲市場(chǎng)得到了充分驗證，保證技術(shù)上的穩定后，服務(wù)器級市場(chǎng)便會(huì )開(kāi)始大規模應用。

　　在固態(tài)硬盤(pán)技術(shù)處于2D NAND時(shí)代，服務(wù)器級市場(chǎng)幾乎很少使用固態(tài)硬盤(pán)作為存儲介質(zhì)，畢竟服務(wù)器市場(chǎng)的負載壓力和容量要求，非一般的固態(tài)硬盤(pán)能夠滿(mǎn)足。

　　但是，隨著(zhù)近年來(lái)，Intel的3D X-POINT的正式問(wèn)世，也就是Optane敖騰等服務(wù)器級市場(chǎng)存儲產(chǎn)品的登場(chǎng)，越來(lái)越多的尚未應用以閃存為存儲介質(zhì)的服務(wù)器級市場(chǎng)，開(kāi)始從去年開(kāi)始慢慢進(jìn)行產(chǎn)品的更新?lián)Q代，將老舊的服務(wù)器級機械硬盤(pán)替下，換上技術(shù)更為先進(jìn)，速度更快，性能更穩定的固態(tài)硬盤(pán)。

　　就在不久前，Intel官方還在公開(kāi)場(chǎng)合宣布，隨著(zhù)3D Xpoint的成熟，Intel將在2017年優(yōu)先生產(chǎn)高速增長(cháng)的數據中心應用（也就是服務(wù)器級市場(chǎng)）的固態(tài)硬盤(pán)，而不是低成本的消費級固態(tài)硬盤(pán)。

　　服務(wù)器級市場(chǎng)的對于閃存顆粒需求的釋放，無(wú)疑給身處缺貨困惱的消費級存儲市場(chǎng)又一重擊。眾所周知，服務(wù)器級市場(chǎng)鑒于其服務(wù)定位及產(chǎn)品功能，在采購方面的議價(jià)能力遠高于消費級存儲市場(chǎng)，對于閃存原料的控制力，更是一眾消費級存儲廠(chǎng)商不可同日而語(yǔ)的。在高價(jià)采購閃存原料的情況下，固態(tài)硬盤(pán)等閃存元器件存儲產(chǎn)品漲價(jià)也就不難理解了。

　　閃存元器件漲價(jià)風(fēng)波何時(shí)能止：2018年年初有望回落

　　既然閃存元器件存儲產(chǎn)品瘋狂漲價(jià)的根源在于閃存顆粒的量產(chǎn)不足，那么唯有等到所有的閃存原廠(chǎng)在3D制程上實(shí)現了完全突破，幾大原廠(chǎng)能夠在同一體系下進(jìn)行競爭，存儲產(chǎn)品漲價(jià)的風(fēng)波才有可能停歇，正如同當下神州大地瘋狂上漲的房?jì)r(jià)，唯有政府敢于丟卒保車(chē)，方pojie全局。

　　那么，各大閃存原廠(chǎng)的3D制程都發(fā)展到哪一階段了呢？根據公開(kāi)消息，首先是Intel，不久前發(fā)布了全新針對服務(wù)器級市場(chǎng)的，基于3D Xpoint產(chǎn)品，并在2017年全年加緊供貨服務(wù)器級市場(chǎng)；接著(zhù)是三星，三星最新的Fab18閃存工廠(chǎng)，不久將要投入量產(chǎn)，2017年將是量產(chǎn)的關(guān)鍵之年；同樣的東芝Fab2、美光Fab10x以及SK海力士M14等閃存工廠(chǎng)都將在2017年進(jìn)行量產(chǎn)。

　　幾乎所有的閃存原廠(chǎng)都將在2017年開(kāi)始量產(chǎn)基于最新堆疊層數的3D NAND技術(shù)產(chǎn)品，量產(chǎn)的產(chǎn)品經(jīng)過(guò)最終封裝和分發(fā)到存儲廠(chǎng)商手中，然后經(jīng)由存儲廠(chǎng)商進(jìn)行產(chǎn)品方案的選擇和最終推出到市場(chǎng)，可能還會(huì )經(jīng)歷一段時(shí)間。根據供應鏈一般的流程以及筆者個(gè)人觀(guān)點(diǎn)預計，存儲產(chǎn)品的價(jià)格回落最快得到2017年年底到2018年年初，甚至可能延期到2018年第一季度。

　　任何電子產(chǎn)品，受制于上下游制程或是工藝，都會(huì )在一段時(shí)間內呈現反常的大規模漲價(jià)或是降價(jià)，這是正常的市場(chǎng)行為表現。作為消費者的我們，不用太過(guò)在意所謂漲價(jià)和降價(jià)，所有的購買(mǎi)行為應當根據真實(shí)需求。正所謂，塞翁失馬，焉知非福。