現在的智能手機存儲容量越做越大，很早之前，手機能有個(gè)8GB、16GB都稱(chēng)得上頂配，隨著(zhù)科技的進(jìn)步，軟件的更新速度不斷加快，手機功能越來(lái)越多，用戶(hù)對存儲容量的需求量也越來(lái)越高。特別是近幾年，手機ROM更是到了瘋狂的256GB（像iPhone 7 Plus、ZenFone 3尊爵、ZenFone 2 Deluxe）。雖然不確定未來(lái)會(huì )不會(huì )有更高的規格，但是很明顯的是256GB會(huì )持續很長(cháng)一段時(shí)間。為啥會(huì )這樣呢？

　　一、智能手機為何最大ROM只有256GB？

　　成本受限

　　大家都知道容量越大，成本越高。而大部分成本取決于存儲介質(zhì)（存儲顆粒），相同容量的情況下，SLC的價(jià)格要明顯高于MLC和TLC，雖然容量的提升反映在成本的具體數字上可能僅為幾百一千。但考慮到手機要大規模生產(chǎn)，聚沙成塔這成語(yǔ)相信大家都懂。

　　TLC=Trinary-Level Cell，即3bit per cell，該類(lèi)芯片傳輸速度較慢，壽命短，生產(chǎn)成本低。MLC=Multi-Level Cell，即2bit per cell，該類(lèi)芯片傳輸速度一般，壽命一般。至于SLC=Single-Level Cell，即1bit per cell，這類(lèi)芯片幾乎只出現在企業(yè)級SSD上，成本較高，當然速度和壽命也是三者中最出色的。

　　存儲顆粒的三種類(lèi)型

　　顆粒規格的限制

　　比較出名的三星、鎂光、現代、東芝這些上游存儲顆粒供應廠(chǎng)商，其顆粒規格現時(shí)尚未突破256GB。由于手機不像電腦那樣體積龐大，供應商們通常只能把一顆存儲顆粒裝在小小的手機內，因此手機容量就取決于這顆存儲顆粒的規格。

　　iPhone 7 nand flash芯片

　　手機內部空間限制

　　手機內部空間寸金尺土，目前還無(wú)法做到兩顆存儲顆粒共存，早期的解決方案是插入手機內存卡（TF卡），不過(guò)為了輕薄化與傳輸速度，很多手機都取消了拓展內存卡的功能。但慶幸的是如今手機內置容量都比較大，正常用個(gè)2~3年不成問(wèn)題。

　　TF內存卡

　　手機更換周期縮短

　　現在的智能機更新?lián)Q代速度非�？�，一年一換甚至一年兩換的大有人在。之前中央電視臺的《東方時(shí)空》欄目曾經(jīng)做過(guò)調查，結果表示“52%手機用戶(hù)平均一年以?xún)葥Q一部手機”。因此對于消費者來(lái)說(shuō)，夠用就好，太大也用不完。而廠(chǎng)商更是緊貼著(zhù)用戶(hù)的需求進(jìn)行設計/生產(chǎn)。

　　大環(huán)境下云存儲的發(fā)展

　　隨著(zhù)科技進(jìn)步，網(wǎng)速也越來(lái)越快，而現在的4G也逐漸取代了之前的3G，未來(lái)的5G也呼之欲出，網(wǎng)速的不斷提升就衍生了一個(gè)新的名詞——云存儲。作為新興的存儲技術(shù)，與傳統的購買(mǎi)存儲設備和部署存儲軟件相比，云存儲有著(zhù)成本低、見(jiàn)效快、便于管理、方式靈活等優(yōu)點(diǎn)，在保證數據安全的情況下，很多用戶(hù)更愿意把數據存在云端，所以并不需要太多的本地存儲空間。

　　云存儲

　　二、未來(lái)發(fā)展新趨勢:3D NAND

　　什么是3D NAND？

　　3D NAND的概念其實(shí)不難理解：其原理簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)就是“堆疊”，目前由英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這么一來(lái)，一個(gè)MLC的閃存芯片上就可以增加最高32GB的存儲空間，如果是單個(gè)TLC閃存芯片則可增加48GB。就目前來(lái)說(shuō)3D NAND閃存屬于一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把存儲顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。

　　3D NAND

　　3D NAND技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)

　　3D NAND的亮點(diǎn)在于它采用的是立體、垂直堆疊的方式來(lái)提高單顆粒中包含芯片的數量，堆疊層數的提高最終會(huì )帶來(lái)容量的成倍提升，極大的提高產(chǎn)品的使用壽命；3D NAND可以提供更高的指令運行效率，使產(chǎn)品的運行性能得以提升；簡(jiǎn)化了編程階段，有效減少了產(chǎn)品待機和工作時(shí)的能耗。

　　3D NAND

　　目前，三星、SK Hynix、東芝/閃迪、Intel/鎂光這幾大NAND豪門(mén)都已經(jīng)涉足3D NAND閃存了，而武漢新芯科技主導的國家級存儲器產(chǎn)業(yè)基地，更是國內首家新建的12寸晶圓廠(chǎng)，投產(chǎn)后直接生產(chǎn)3D NAND閃存，可以說(shuō)未來(lái)3D NAND就是突破移動(dòng)設備ROM容量的必備技術(shù)。

　　總結：

　　科技在進(jìn)步，我們永遠無(wú)法預知未來(lái)，未來(lái)的手機又會(huì )發(fā)展成啥樣呢？目前，小編還是建議大家購買(mǎi)64GB、128GB的手機更為合適，夠用就好�？紤]到用戶(hù)需求的問(wèn)題，相信之后很長(cháng)一段時(shí)間也不會(huì )出超過(guò)256GB存儲規格的手機。