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MRAM會(huì )掀起內存革命?手機內存和運存融為一體?

91xiuzj 2017-4-28 09:481390 人圍觀(guān) 來(lái)自: 新浪手機

簡(jiǎn)介 :MRAM即磁阻式隨機存儲器,MRAM介于DRAM和NAND Flash之間。相比于DRAM,MRAM具有非易失性;相比于NAND Flash,MRAM的速度快上1000倍。應用前景非常值得讓人期待!
  電影大片《速度與激情8》詮釋了——開(kāi)快車(chē)易脫發(fā),七大主演中四個(gè)光頭的場(chǎng)面讓人捧腹。在消費電子領(lǐng)域,同樣上演著(zhù)速度與金錢(qián)的博弈。

  相比消費者熟知的摩爾定律,定義計算機幾十年的馮·諾依曼結構更加不可撼動(dòng)。為了填補處理器與硬盤(pán)的速度差距,我們用上了高速緩存、運行內存等不同存儲介質(zhì)。

MRAM會(huì )掀起內存革命?手機內存和運存融為一體? 圖1

  隨著(zhù)存儲行業(yè)快速的技術(shù)迭代,LPDDR4X、UFS2.1等產(chǎn)品紛紛面市。據外媒Patently Apple消息,MRAM有望真正商業(yè)化,MRAM將取代DRAM和NAND Flash,具有顛覆性意義。

 
MRAM會(huì )掀起內存革命?手機內存和運存融為一體? 圖2

  什么是MRAM?

  MRAM(Magnetoresistive random-access memory)即磁阻式隨機存儲器,MRAM介于DRAM和NAND Flash之間。相比于DRAM,MRAM具有非易失性;相比于NAND Flash,MRAM的速度快上1000倍。

MRAM會(huì )掀起內存革命?手機內存和運存融為一體? 圖3

  三星在去年7月聯(lián)合IBM展示了用于服務(wù)器、數據中心的MRAM,并計劃在5月24日的晶圓廠(chǎng)論壇活動(dòng)中公布全新的MRAM。三星加入了自旋轉矩技術(shù)(STT),可以加大降低功耗。

  MRAM的應用前景MRAM的應用前景
  由于MRAM兼具DRAM和NAND Flash的特性,MRAM被認為是一種通用型存儲器,MRAM能夠讓手機實(shí)現內存/閃存二合一。據外媒phonearena報道,三星目前無(wú)法生產(chǎn)出超過(guò)幾兆字節M(mǎn)RAM,因此MRAM目前只適用于作為處理器的高速緩存。

  不過(guò),我們依然看好MRAM的應用前景。據知名爆料人士@i冰宇宙消息,未來(lái)MRAM將具備更大容量,MRAM作為閃存和內存二合一的存儲體,上市節點(diǎn)可能在2020年以后。

MRAM會(huì )掀起內存革命?手機內存和運存融為一體? 圖4

  如果這一愿景成真,那么我們無(wú)需區分RAM和ROM,逆天的512G/1TB內存不再是夢(mèng)想。馮·諾伊曼結構將面臨前所未有的挑戰,未來(lái)還真是讓人期待呢。

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