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標題: 筆記本MOSFET（場(chǎng)效應管）的特性 [打印本頁(yè)]
作者: zhennian680    時(shí)間: 2008-10-16 23:20
標題: 筆記本MOSFET（場(chǎng)效應管）的特性
筆記本MOSFET（場(chǎng)效應管）的特性:
功率MOSFET的工作原理、規格和特性均與雙極性功率電晶體 (BIPOLAR POWER TRANSISTOR) 有所不同。事實(shí)上，功率MOSFET的特性，通常都比功率電晶體來(lái)得好 : 較快的切換速度、較簡(jiǎn)單的驅動(dòng)電路、容易並聯(lián)使用及在較大的溫度範圍內均能保持穩定的增益和反應時(shí)間。
MOSFET的特性:
1.電壓源控制電流源(VGS大小決定 ID)
2.干擾小,不受Noise干擾
3.易驅動(dòng),VGS(th)很小
4.容易並聯(lián),在較大的溫度範圍內均能保持穩定
MOSEFT的種類(lèi)
依其傳導載子的不同可以分為PMOS及NMOS二種。若將這二種MOS合在一起使用則稱(chēng)為互補式金氧半電晶體，即為MOSFET CMOS（Complementary MOS）。 CMOS的優(yōu)點(diǎn)為操作時(shí)比較省電，因此一般電路佈局設計就是以CMOS為基本單元來(lái)設計。
作者: wuyuxia    時(shí)間: 2008-10-17 15:06
謝謝樓主，希望能更詳細



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