電磁爐初學(xué)必看

電磁爐的分類(lèi)及修理事項

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電磁爐的分類(lèi)及修理事項
在修理中常見(jiàn)的電磁爐大致分為兩類(lèi)：
由LM339（四電壓比較器）輸出脈沖信號。
1：    觸發(fā)部分由正負兩組電源，管子用PNP\NPN組成，類(lèi)似這種電路，后級大多是用大功率管多個(gè)復合而成，組成高壓開(kāi)關(guān)部分，在代換中，前一個(gè)用帶阻尼的行管替代即可。后幾個(gè)則很難找到特性一致的管子，解決的辦法是在散熱器安裝孔允許的情況下改用大電流的管子以減少數量，金屬封裝得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一類(lèi)，用兩個(gè)就可以。
2：功控管用IGBT絕緣柵開(kāi)關(guān)器件；
這些機器特征是不用雙電源觸發(fā)，只有+5V和+12V,LM339通過(guò)觸發(fā)集成塊TA8316帶動(dòng)IGBT
這種情況下只能用此一類(lèi)的管子代替，損壞程度大致為，只有管子壞，換上即可。其次是整流橋同時(shí)損壞，（一般是燒半壁），在其次是觸發(fā)集成塊TA8316壞，連帶LM339N一起損壞的很少見(jiàn)。
對于高壓模塊，由于這方面的參數手冊很少，希望大家搜集轉貼，以便代換時(shí)參考。
不能貿然更換,最好有示波器先測其G極波形及幅值(沒(méi)有的話(huà)用萬(wàn)用表測此點(diǎn)直流電壓應在1-2.5伏之間變化).接上線(xiàn)盤(pán)前要確定其它幾路小電源供電正常.

2.1.2  IGBT
絕緣柵雙極晶體管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場(chǎng)控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工藝制作的IGBT, 但它們均可被看作是一個(gè)MOSFET輸入跟隨一個(gè)雙極型晶體管放大的復合結構。
IGBT有三個(gè)電極(見(jiàn)上圖), 分別稱(chēng)為柵極G(也叫控制極或門(mén)極) 、集電極C(亦稱(chēng)漏極) 及發(fā)射極E(也稱(chēng)源極) 。
    從IGBT的下述特點(diǎn)中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個(gè)致命缺陷, 就是于高壓大電流工作時(shí), 導通電阻大, 器件發(fā)熱嚴重, 輸出效率下降。
IGBT的特點(diǎn):
1.電流密度大, 是MOSFET的數十倍。
2.輸入阻抗高, 柵驅動(dòng)功率極小, 驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單。
3.低導通電阻。在給定芯片尺寸和BVceo下, 其導通電阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
4.擊穿電壓高, 安全工作區大, 在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會(huì )受損壞。
5.開(kāi)關(guān)速度快, 關(guān)斷時(shí)間短,耐壓1kV~1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us, 約為GTR的10%,接近于功率MOSFET, 開(kāi)關(guān)頻率直達100KHz, 開(kāi)關(guān)損耗僅為GTR的30%。
     IGBT將場(chǎng)控型器件的優(yōu)點(diǎn)與GTR的大電流低導通電阻特性集于一體, 是極佳的高速高壓半導體功率器件。
目前458系列因應不同機種采了不同規格的IGBT,它們的參數如下:
(1) SGW25N120----西門(mén)子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)46A,100℃時(shí)25A,內部不帶阻尼二極管,所以應用時(shí)須配套6A/1200V以上的快速恢復二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復二極管(D11)后可代用SKW25N120。
(2) SKW25N120----西門(mén)子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)46A,100℃時(shí)25A,內部帶阻尼二極管,該IGBT可代用SGW25N120,代用時(shí)將原配套SGW25N120的D11快速恢復二極管拆除不裝。
(3) GT40Q321----東芝公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)42A,100℃時(shí)23A, 內部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120時(shí)請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極管拆除不裝。
(4) GT40T101----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時(shí)80A,100℃時(shí)40A,內部不帶阻尼二極管,所以應用時(shí)須配套15A/1500V以上的快速恢復二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復二極管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢復二極管(D11)后可代用GT40T301。
(5) GT40T301----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時(shí)80A,100℃時(shí)40A, 內部帶阻尼二極管, 該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101時(shí)請將原配套該IGBT的D11快速恢復二極管拆除不裝。
(6) GT60M303 ----東芝公司出品,耐壓900V,電流容量25℃時(shí)120A,100℃時(shí)60A, 內部帶阻尼二極管。
請玉版評說(shuō) .

GT40T101----東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時(shí)80A,100℃時(shí)40A,內部不帶阻尼二極管,所以應用時(shí)須配套15A/1500V以上的快速恢復二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復二極管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢復二極管(D11)后可代用GT40T301�！�
GT40T101內部不帶阻尼二極管，為何我買(mǎi)的帶阻尼二極管，是假的嗎？？？？？可裝機用1個(gè)多月沒(méi)壞呀（25元呢
順便說(shuō)明:我說(shuō)的用G25N120代換加阻尼管,不是說(shuō)此管內部不帶阻尼管,(實(shí)際上它內部已附帶阻尼管,)只是我在維修時(shí)先加上試機正常后再去掉,為的是防止機子還有其它問(wèn)題而引起燒了它從而避免過(guò)大的損失,裝上此管再并是一支阻尼后要是還有其它問(wèn)題一般只會(huì )燒外加阻尼而不會(huì )燒功率管.

學(xué)習了,謝謝

學(xué)習了 頂

很實(shí)用。
謝謝！
      

謝了，正需要

學(xué)習了,謝謝

學(xué)習,謝謝

你太有才了！謝謝啦！

正好學(xué)習,謝謝發(fā)表文章!

謝謝，學(xué)習中

謝謝謝謝！帶回去認真研讀。