在最新的DDR II上，主板設計上已經(jīng)取消了部分信號的衰減電阻和終端電阻，而將其集成于內存上。
我們稱(chēng)這DDR II的新特性為ODT功能，即On Die Terminator（內建終端電阻器）。當在DRAM模塊工作時(shí)把終結電阻器關(guān)掉，而對于不工作的DRAM模塊則進(jìn)行終結操作，起到減少信號反射的作用（注：ODT的開(kāi)啟與禁止由北橋芯片控制，ODT所終結的信號包括DQS、RDQS、DQ等等，可參考單通道DDR-I內存的示意圖）。
這樣可以產(chǎn)生更干凈的信號品質(zhì)，從而產(chǎn)生更高的內存時(shí)鐘頻率速度。而將終端電阻設計在內存芯片之上還可以簡(jiǎn)化了主板的設計，降低了主板的成本，而且終端電阻可以和內存顆粒的"特性"相符，從而減少內存與主板的兼容問(wèn)題的出現。