SPD完全攻略

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說(shuō)起內存，相信大家都不陌生。不過(guò)，大家的目光除了更多地投放在內存芯片顆粒上之外，很少會(huì )注意到內存PCB（印刷電路板）邊上還有一顆體積較�。ù蠹s為3mm×4mm×1.5mm）的芯片，這就是SPD芯片。

　　什么是SPD

　　SPD（Serial Presence Detect，串行存在檢測）是一顆8針的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲器）芯片。它一般位于內存條正面的右側（如圖1），采用SOIC封裝形式，容量為256字節（Byte）。SPD芯片內記錄了該內存的許多重要信息，諸如內存的芯片及模組廠(chǎng)商、工作頻率、工作電壓、速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數。SPD信息一般都是在出廠(chǎng)前，由內存模組制造商根據內存芯片的實(shí)際性能寫(xiě)入到ROM芯片中。

圖1


　　SPD的作用是什么

　　啟動(dòng)計算機后，主板BIOS就會(huì )讀取SPD中的信息，主板北橋芯片組就會(huì )根據這些參數信息來(lái)自動(dòng)配置相應的內存工作時(shí)序與控制寄存器，從而可以充分發(fā)揮內存條的性能。上述情況實(shí)現的前提條件是在BIOS設置界面中，將內存設置選項設為“By SPD”。當主板從內存條中不能檢測到SPD信息時(shí)，它就只能提供一個(gè)較為保守的配置。

　　從某種意義上來(lái)說(shuō)，SPD芯片是識別內存品牌的一個(gè)重要標志。如果SPD內的參數值設置得不合理，不但不能起到優(yōu)化內存的作用，反而還會(huì )引起系統工作不穩定，甚至死機。因此，很多普通內存或兼容內存廠(chǎng)商為了避免兼容性問(wèn)題，一般都將SPD中的內存工作參數設置得較為保守，從而限制了內存性能的充分發(fā)揮。更有甚者，一些不法廠(chǎng)商通過(guò)專(zhuān)門(mén)的讀寫(xiě)設備去更改SPD信息，以騙過(guò)計算機的檢測，得出與實(shí)際不一致的數據，從而欺騙消費者。

　　如何查看SPD信息

　　一般來(lái)說(shuō)，品牌內存都有SPD設置，只要借助SiSoft Sandra2004或EVEREST等工具軟件，就可以查看SPD芯片中的一些重要信息。以前者為例：運行SiSoft Sandra2004后，用鼠標雙擊主窗口中的“Mainboard Information”模塊，在隨后出現的界面內就可以看到“Memory Module”信息了（如圖2）。

圖2


　　下面我們就以軟件中顯示的“256MB 8×(32Mbit×8)DDR-SDRAM PC2100U-2533-750(CL2.5 up to 100MHz)”為例，來(lái)說(shuō)明DDR SDRAM內存的SPD信息的表示方式。這里的“PC2100U-2533-750”就是該內存的SPD值了。其中：

　　第一段：“PC2100”指內存帶寬，單位為MB/s，即該內存帶寬為2100MB/s，對應的內存標準工作頻率為2100MHz×1/16（133MHz，即DDR266內存）；“U”代表DIMM模塊不含緩沖區。

　　第二段：“25”表示CAS（列地址選通脈沖）延遲時(shí)間（即CL值），用時(shí)鐘周期表示，這里25代表CL＝2.5；“33”中的前一個(gè)3表示RAS相對CAS的延時(shí)，單位是時(shí)鐘周期，第二個(gè)3則表示RAS（行地址選通脈沖）預充電時(shí)間。

　　第三段：“75”表示相對于時(shí)鐘下沿的數據讀取時(shí)間，即7.5ns；最后一個(gè)數字0代表SPD的版本，如0代表SPD版本為1.0。

　　利用SPD進(jìn)行優(yōu)化

　　一般來(lái)說(shuō)，影響內存性能高低的因素主要是以下兩點(diǎn)，一是內存工作頻率過(guò)低，無(wú)法和CPU同步運行。二是內存傳輸數據時(shí)的延遲時(shí)間過(guò)長(cháng)，限制了內存的數據存取速度。因此，只要對主板BIOS進(jìn)行設置，修改SPD值，就可以使內存性能得到進(jìn)一步的優(yōu)化。

　　1.提高內存工作頻率

　　啟動(dòng)計算機，進(jìn)入主板BIOS設置（這里以Award BIOS、P4系統為例）中“Advanced Chipset Feature”界面，選擇“Frequence/Voltage Control”，可以看到“CPU:DRAM Clock Ratio”中顯示的內容就是CPU外頻對內存的頻率比例。

　　注：默認設置為“SPD”，即“自動(dòng)偵測模式”。在SPD模式下，系統自動(dòng)從內存的SPD芯片中獲取信息，所以理論上說(shuō)，此時(shí)內存的工作狀態(tài)是最穩定的。

　　如果想超頻內存，就需要手動(dòng)設置CPU與內存的工作頻率比例來(lái)更好地調節與SPD的配合。比如：533MHz FSB的P4外頻為133MHz，要將DDR333內存超頻到200MHz外頻使用，那么就需要選擇“2∶3”的比值。如果要讓DDR266內存超頻到DDR333，無(wú)疑就要選擇“3∶4”。

　　如果要保證調節后的穩定性，有時(shí)需要在BIOS中手動(dòng)提高內存的工作電壓。方法是：選擇“Add Voltage”，然后進(jìn)行調節。切記：在提高內存工作電壓的時(shí)候，要循序漸進(jìn)，切勿一次提高過(guò)多而損壞內存。

　　2.調整內存延遲時(shí)間

　　我們知道，內存總延遲時(shí)間＝內存時(shí)鐘周期×CL數值＋數據存取時(shí)間（tAC值），因此，只要在BIOS中修改內存的相應參數值，就可以提升內存的性能。下面，我們就進(jìn)入“Advanced Chipset Feature”設置界面進(jìn)行說(shuō)明：

　�。�1）修改CAS延遲時(shí)間（CL值）。它表示內存進(jìn)行讀寫(xiě)操作前，列地址控制器的等待時(shí)間。CAS參數選項為“CAS Latency Time”，數值選擇有2.、2.5或者3，如果內存品質(zhì)較高，可以將數值設為2。

　�。�2）修改tRCD值。它表示內存行地址控制器到列地址控制器的延遲時(shí)間。其參數選項為“DRAM RAS To CAS Delay”，數值選擇有2、3等。同樣是越小越好。

　�。�3）修改tRP值。它表示內存行地址控制器預充電時(shí)間，其參數選項為“Active to Precharge Delay”，數值選擇有2、3等，參數越小說(shuō)明內存讀寫(xiě)速度就越快。

　�。�4）修改tRAS值。它表示內存行地址選中前的延遲時(shí)間。其參數選項為“DRAM RAS Precharge”，數值選擇有5、6、7等。數字越小，延遲時(shí)間越短。

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