唐學(xué)斌老師書(shū)里面的對地阻值的問(wèn)題？

; H7 L8 j& q' p! D+ v% d: j我看唐學(xué)斌老師寫(xiě)的《筆記本維修高級教程》里面提到的公共點(diǎn)對地阻值應方該在400歐到600歐，3/5電感對地阻值在100多歐。
這里的這個(gè)對地阻值是怎么測的？
0 c" o! G/ Q2 d) K; M# T$ M因為用紅筆接測試點(diǎn)，黑筆接地和紅筆接地，黑筆接測試點(diǎn)測得的阻值是不一樣的。
那么這里要測待測點(diǎn)的對地阻值是用黑筆接地測呢？還是用紅筆接地測？

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5 J9 C; R9 g0 `5 n/ j0 k  p' R2 _7 b9 m另，唐老師書(shū)里面有一點(diǎn)沒(méi)寫(xiě)好，各個(gè)電源管理芯片的BST和LX腳都有一個(gè)自舉升壓電路，也就是BOOST電路。書(shū)中卻寫(xiě)成激放電路，才學(xué)時(shí)，被唐老師的這個(gè)名詞糾結了很久，網(wǎng)上也查了N多資料都沒(méi)查到。最后在另一本書(shū)上才發(fā)現，原來(lái)是BOOST電路。唐老師還是走大眾路線(xiàn)吧，不然會(huì )給初學(xué)者帶來(lái)一些不必要的困擾。

$ u) M# X. Z: r# w8 q其它就沒(méi)神馬了，感覺(jué)這本書(shū)寫(xiě)的挺好的，思路很清晰，信號流程也講的非常清楚�？上Ь褪菦](méi)有迅馳二代、三代的信號流程。

我感覺(jué)唐老師還可以把開(kāi)機前上電的控制流程的程序放在EC的ROM里面也講一下（也就是硬啟動(dòng)的流程）。然后硬啟動(dòng)后軟件啟動(dòng)是放在BIOS里面。
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是不是人人的

我覺(jué)得蠻好��！書(shū)上哪能涉及那么多內容?再說(shuō)不是所有的阻值都相同，這一點(diǎn)書(shū)上也提到了，這就需要你在以后的維修當中慢慢積累。

周雄輝 發(fā)表于 2011-6-26 19:13

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" d- W) B8 F. N9 d9 y" `我覺(jué)得蠻好��！書(shū)上哪能涉及那么多內容?再說(shuō)不是所有的阻值都相同，這一點(diǎn)書(shū)上也提到了，這就需要你在以后的 ...

, m7 [6 i7 N! y4 ?# b& y  B) [我說(shuō)的不是什么所有阻相同問(wèn)題……我想問(wèn)的是，公共點(diǎn)對地阻值400~600歐姆，它測試時(shí)是用紅筆接地、黑筆接測試點(diǎn) 測的？還是用 黑筆接地、紅筆接測試點(diǎn) 測的？因為這兩種方法測的值肯定是不一樣的。究竟是怎么測的呢？

% h& I+ j; @3 I# `* L我測USB數據線(xiàn)對地 是用紅筆接地、黑筆接數據線(xiàn)才能測到600歐姆左右、反過(guò)來(lái)就不行了。
4 c: C; g9 Y# X! r  g6 R而我們老師說(shuō)，應該用黑筆接地、紅筆接測試點(diǎn)。
我感覺(jué)有點(diǎn)不對……

那天搞那臺機子，3V電感對地阻值紅筆接電感，黑筆接地為1K多。。而用黑筆接電感、紅筆接地測為30多歐姆。。我感覺(jué)有點(diǎn)問(wèn)題。。
( p- x! L3 G2 c9 C后來(lái)我們老師說(shuō)沒(méi)問(wèn)題。就是用紅筆接3V電感，黑筆接地測。這樣1K多，這個(gè)電路沒(méi)有問(wèn)題。
那臺機子因為還有很多其它問(wèn)題。老師不修了。所以，現在都不知道究竟3V電感后面的電路有問(wèn)題沒(méi)有？

論壇的高手們、版版們、、路過(guò)花十多秒幫我解決一下這個(gè)問(wèn)題。非常感謝、、
, \" D% n' N1 ~: v可能你們只用十多秒、就能解決我一個(gè)對于我來(lái)說(shuō)非常非常大的問(wèn)題。糾結了很久的問(wèn)題。。

再次謝過(guò)………………………………………………

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mcudesign 發(fā)表于 2011-6-26 19:28

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論壇的高手們、版版們、、路過(guò)花十多秒幫我解決一下這個(gè)問(wèn)題。非常感謝、、
可能你們只用十多秒、就能解決 ...

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老唐說(shuō)的測對地阻值，是紅筆接地，黑筆放測試點(diǎn)。書(shū)的這一節有的啊，分動(dòng)態(tài)和靜態(tài)測試的，測對地阻值就是所謂的靜態(tài)測試嘛

是紅筆接地，黑筆放測試點(diǎn)

6樓正解，老唐本人過(guò)來(lái)解釋下吧。他也在論壇很方便就能看到帖子的

你們都是牛人！

應該是紅接地，靜態(tài)，

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  k4 i. P5 z# ~2 y* T老唐說(shuō)的測對地阻值，是紅筆接地，黑筆放測試點(diǎn)。書(shū)的這一節有的啊，分動(dòng)態(tài)和靜態(tài)測試的，測對地阻值就是所謂的靜態(tài)測試嘛

我也覺(jué)得那書(shū)寫(xiě)的蠻好，其實(shí)經(jīng)驗還是要自己不斷的總結

紅筆接地，黑筆放測試點(diǎn)

mcudesign 發(fā)表于 2011-6-26 19:28

                               
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論壇的高手們、版版們、、路過(guò)花十多秒幫我解決一下這個(gè)問(wèn)題。非常感謝、、
/ _$ \1 J, ~- G0 Q" Q& Z# N  c* n可能你們只用十多秒、就能解決 ...

謝謝，可能是我看書(shū)不太仔細……細細的去找一下看……

數字萬(wàn)用表一般是，紅筆接地，黑筆接測試點(diǎn)為正向電阻，反過(guò)來(lái)是方向電阻，兩次測試差別很大，因為電路中有電容，二極管三極管等元件，它們的正反導通特性阻值不一樣。

紅筆接地，黑筆放測試點(diǎn)這書(shū)這幾天剛看

BOOST是自舉電路，意思就是把電壓給升起來(lái)，這個(gè)腳的作用是把高端MOS管的G極電壓給升高的，因為MOS管參數里面有個(gè)RDS(on)既MOS管的導通電阻，這個(gè)關(guān)系到MOS的功耗，功耗跟發(fā)熱成正比的，影響MOS管RDS(ON)這個(gè)因素跟VGS電壓就是G極電壓跟S極電壓的差值，這個(gè)電壓大小就跟MOS管完全導能有關(guān)，就像一個(gè)電阻一樣，完全導通電阻很小，功耗就小，假設筆記本電壓在19V，那么上管導通后S極的電壓也就是19V那么G極電壓要大于19V我們沒(méi)有大于19V的電壓，所以就需要個(gè)升壓電路，一般筆記本的電源芯片只能舉起5V的樣子，5+19就是24V了，G極電壓是24V所以MOS管的RDS(ON)就小，MOS不容易燒，上面只是一小部份講解，若有錯誤之處請諒解，筆記本電源太難了，雖說(shuō)只有幾個(gè)東東，但是設計的時(shí)候是純原理的

這個(gè)還可以

唐學(xué)斌究竟是誰(shuí)。。。。。我從來(lái)沒(méi)有聽(tīng)說(shuō)過(guò)這個(gè)人

阻值檔只是一個(gè)錯誤的叫法，只是由于這么說(shuō)的人比較多，所以錯誤的叫法一直傳出來(lái)罷了
2 A0 J) |7 v, p檔位是二極管檔，紅筆接地，黑筆接測試點(diǎn)，實(shí)際上測的是該測試點(diǎn)對地的二極管壓降，因為IC內部均有保護性質(zhì)的二極管，如果壓降低，那就是二極管擊穿了，所以判斷為短路。

, Q) X, l, f( P4 _5 ^% N4 s所以不要和什么電阻扯上關(guān)系，記住，是二極管壓降