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盡管?chē)鴥裙驹谔幚砥餍酒I(lǐng)域取得了不俗成績(jì)，但在半導體制造領(lǐng)域，中國公司短時(shí)間內還是很難跟Intel、三星、TSMC臺積電等巨頭相比，工藝技術(shù)至少差了兩代。中芯國際（SMIC）日前宣布他們開(kāi)發(fā)的28nm HKMG高性能工藝已經(jīng)成功流片，將為聯(lián)芯科技的4G芯片代工。
中芯國際是另一位臺灣晶圓代工業(yè)教父級人物張汝京在大陸創(chuàng )立的本土代工企業(yè)，此前已經(jīng)使用28nm多晶硅（PolySiON）工藝為高通代工驍龍410處理器，現在推出的28nm HKMG（高介電常數金屬閘極）工藝屬于高性能工藝，通過(guò)使用高介電常數材料，HKMG工藝能有效改善驅動(dòng)能力，進(jìn)而提升晶體管的性能，同時(shí)大幅降低柵極漏電量。 中芯國際的28nm HKMG工藝已經(jīng)通過(guò)了驗證，正準備量產(chǎn)。目前已經(jīng)用于聯(lián)芯的4G芯片流片，雖然具體型號沒(méi)提，不過(guò)通告中提到這款芯片速度達到了1.6GHz。 中芯國際CEO及執行董事邱慈云博士表示，中芯國際還將持續對28nm工藝進(jìn)行改良，預計今年底推出基于HKMG工藝的緊湊加強版，為客戶(hù)提供更多選擇。 話(huà)說(shuō)回來(lái)，盡管28nm還會(huì )長(cháng)期存在，不過(guò)這種工藝相比TMSC、三星的16/14nm FinFET工藝已經(jīng)落后了兩代，中芯國際也在開(kāi)發(fā)自己的14nm FinFET工藝，去年比利時(shí)國王訪(fǎng)華時(shí)，中芯國際、高通、華為及比利時(shí)微電子中心聯(lián)合簽署了合作協(xié)議，聯(lián)合開(kāi)發(fā)14nm FinFET工藝，但量產(chǎn)時(shí)間有可能到2020年，依然會(huì )比國際主流工藝落后一點(diǎn)。
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