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91手機維修論壇

標題: 是書(shū)上錯了 還是我錯了，高手分析 [打印本頁(yè)]
作者: litao369    時(shí)間: 2012-3-22 10:57
標題: 是書(shū)上錯了 還是我錯了，高手分析
大家幫忙看看這個(gè)保護隔離是不是講錯了        還是我理解錯了   就是第一個(gè)PNP場(chǎng)管的導通條件      這是書(shū)上講的    5 d* k3 L! ?- q! w' b+ ]
對的還是錯的   PNP不是低電平導通    。為什么高電平也能導通呀[attach]191528[/attach]
  g: Y2 B  N7 g$ m( {
作者: 12333    時(shí)間: 2012-3-22 11:02
高與低是相對來(lái)說(shuō)的，主要是要看與G級電壓的比較
作者: litao369    時(shí)間: 2012-3-22 11:06
那書(shū)上講的是對的
作者: qinshawanli    時(shí)間: 2012-3-22 11:29
這個(gè)高電平和低電平時(shí)相對而言的，但是寫(xiě)的時(shí)候是不會(huì )吧高電平寫(xiě)成低電平的，我估計這個(gè)地方時(shí)寫(xiě)錯的
作者: xiaofuliang    時(shí)間: 2012-3-22 11:31
對啊，這個(gè)只是相對而言的，沒(méi)有絕對的，主要是看那邊的電位高，還是低。
作者: ctk_2000    時(shí)間: 2012-3-22 11:33
頂一下，學(xué)習一下
作者: jack007    時(shí)間: 2012-3-22 11:39
相對論 .............................
作者: 數字模擬    時(shí)間: 2012-3-23 17:45
本帖最后由 數字模擬 于 2012-3-24 15:13 編輯
: O8 @/ |4 T" _! D" Z) q! r( {7 i" v) K' ~  l1 U6 R: r: A5 y
什么書(shū)？書(shū)名是么？寫(xiě)錯了吧！
作者: hyy5124    時(shí)間: 2012-3-23 18:22
PNP,P溝道，G極電壓少于S極導通；NPN，N溝道，G極電壓大于S極時(shí)導通。
作者: shenzw    時(shí)間: 2012-3-23 18:40
好像書(shū)寫(xiě)錯了
作者: 喂！修本嗎？    時(shí)間: 2012-3-23 18:42
        同意樓上的說(shuō)法，但是很多保護電路出問(wèn)題的G極電壓約等于S極，此時(shí)D極照樣輸出，不過(guò)一般這樣都認為為“假電”
作者: 精益電腦科技    時(shí)間: 2012-3-23 18:47
第一個(gè)是P溝道的場(chǎng)管，不是你說(shuō)的PNP，場(chǎng)管沒(méi)有這叫法
作者: choumad    時(shí)間: 2012-3-23 20:19
     這書(shū)叫什么名字呀？  誰(shuí)寫(xiě)的呀？ 是盜版的嗎？  錯誤好多...  估計是作者寫(xiě)錯了吧
作者: zhujuntony    時(shí)間: 2012-3-23 22:30
這本書(shū)我也看過(guò)！當時(shí)也疑惑了下
作者: gjy6039    時(shí)間: 2012-3-24 09:58
VT34的部分說(shuō)的是錯的，VT33部分說(shuō)的不全面。寫(xiě)書(shū)的人一知半解
作者: 老羙    時(shí)間: 2012-3-24 10:04
路過(guò)看看 學(xué)習學(xué)習
作者: zhuquan    時(shí)間: 2012-3-24 17:57
我是新手  現在有的資料真不行 ，
作者: linxidanshade    時(shí)間: 2012-3-24 19:58
標題: B
本帖最后由 linxidanshade 于 2012-3-26 02:02 編輯
) ]3 V8 A: j, o# u
$ c4 C( y0 D; o6 N( F1 l這書(shū)誰(shuí)寫(xiě)的，真不是行家，IBM T40保護隔離一樣的。VT33是一個(gè)PNP型三極管，B極經(jīng)一個(gè)電阻對地是處一直導通狀態(tài)的，導通后經(jīng)R204和R202串聯(lián)分壓得出一個(gè)電壓導通VT36，這時(shí)VT36的G極就可以受TB芯片就控制其呈導通還是截止。插適配器時(shí)，TB發(fā)高平讓VT36導通讓適配器的電壓順利到達公共點(diǎn)，當用電池時(shí)，TB會(huì )拉低此路信號，讓VT36截止阻止電池電壓回流！
作者: haodvd    時(shí)間: 2012-3-25 11:01
學(xué)習一下。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
作者: pyliuhuiyang    時(shí)間: 2012-3-25 11:11
哥哥  那第一個(gè)好像是P溝道的管子吧？
作者: wjc5161    時(shí)間: 2012-3-25 20:28
拜托那是N溝道好不好，不是三極管的NPn
作者: 阿桑    時(shí)間: 2012-3-25 21:15
這書(shū)明顯是寫(xiě)錯了，那個(gè)控制電路肯定要工作的。正常應該是控制電路拉低，R143 R145分壓出一個(gè)電壓給Q34 G極，使其導通。
作者: lxw20020607    時(shí)間: 2012-3-25 21:27
什么書(shū)能提個(gè)名嗎。
' ]% o5 }8 z. i/ o) t我也去看看
作者: 唐先偉    時(shí)間: 2012-3-25 21:32
相對論，理解就OK，這個(gè)不必咬文嚼字。
作者: ctk_2000    時(shí)間: 2012-3-25 22:23
相對論，頂一頂
作者: 4740815376    時(shí)間: 2012-3-25 22:47
書(shū)上是沒(méi)錯的
作者: vikey362697535    時(shí)間: 2012-3-25 22:56
書(shū)上寫(xiě)錯了。
作者: databyte    時(shí)間: 2012-3-25 23:11
哈, 到底誰(shuí)對誰(shuí)錯呢???
作者: linxidanshade    時(shí)間: 2012-3-26 01:56
阿桑 發(fā)表于 2012-3-25 21:15
$ G& D# l( A) Y這書(shū)明顯是寫(xiě)錯了，那個(gè)控制電路肯定要工作的。正常應該是控制電路拉低，R143 R145分壓出一個(gè)電壓給Q34 G極 ...

1 g+ o1 \: n" G對啊，如果不拉低那兩個(gè)電阻如何分壓？
作者: 418723559    時(shí)間: 2012-3-26 04:07
  書(shū)上說(shuō)的沒(méi)錯。首先經(jīng)過(guò)的是P勾到MOS管導通條件是G級為低電平，電壓分2路，一路到S級，一路經(jīng)過(guò)R143，R145串聯(lián)分壓P MOS管G級。得到的低電平，使得這個(gè)管導通向后級輸出。經(jīng)過(guò)N溝道MOS管。導通受TB6808控制。TB6808為高電平時(shí)，PNP三極管導通，從而使N MOS管G為高電平導通，向后級輸出
作者: haodvd    時(shí)間: 2012-3-26 08:32
關(guān)注........
作者: haodvd    時(shí)間: 2012-3-26 08:32
專(zhuān)心........
作者: xiyinli1314    時(shí)間: 2012-3-26 08:54
樓主挺認真看書(shū)的
% Y$ E& P0 I$ [5 x+ C- q! w相對啦" y& s: |4 S+ C
樓上好多人都這么說(shuō)了
作者: 數字模擬    時(shí)間: 2012-3-26 09:07
如果按作者說(shuō)的那樣，VT33早就擊穿了！
作者: 東海筆記本    時(shí)間: 2012-3-26 09:21
大哥們這個(gè)電路沒(méi)錯 是你們不懂電路 注意那個(gè)C97電容 他是懸空的不是接地的
作者: 阿障10000    時(shí)間: 2012-3-26 09:35
新手學(xué)習了，謝謝
作者: 東海筆記本    時(shí)間: 2012-3-26 09:37
你這電路下面沒(méi)畫(huà)出來(lái)我估計應該有一個(gè)NPN型三極管 形成一個(gè)切換電路
作者: yu2008    時(shí)間: 2012-3-26 09:42
MOS 管的DS導通與不導通主要是看G 極的電位高低，這個(gè)電位是相對于DS 的電壓來(lái)看的。 P 型的MOS  UG小與UD S  這時(shí)DS 就通了。從圖中可以看出要使得16V電壓經(jīng)過(guò)VT34則R143后的電壓就肯定會(huì )比16V 低，書(shū)中所說(shuō)沒(méi)錯。
作者: 眾惠電子    時(shí)間: 2012-3-26 09:58
學(xué)習了   
作者: linxidanshade    時(shí)間: 2012-3-26 11:52
418723559 發(fā)表于 2012-3-26 04:07 ; D0 X; ^- f+ S7 D
書(shū)上說(shuō)的沒(méi)錯。首先經(jīng)過(guò)的是P勾到MOS管導通條件是G級為低電平，電壓分2路，一路到S級，一路經(jīng)過(guò)R143，R14 ...

. a% E1 |5 {) R9 q, z" {注意看清楚，PNP三極管B極是接地的，直接導通的
作者: linxidanshade    時(shí)間: 2012-3-26 12:00
本帖最后由 linxidanshade 于 2012-3-26 12:42 編輯
0 ~! X0 c" t: l) J
418723559 發(fā)表于 2012-3-26 04:07
" n( G/ [) N) Q, {  Y書(shū)上說(shuō)的沒(méi)錯。首先經(jīng)過(guò)的是P勾到MOS管導通條件是G級為低電平，電壓分2路，一路到S級，一路經(jīng)過(guò)R143，R14 ...
0 ]7 W* U2 N6 J0 d4 v

9 @1 B# V5 N: q. ~; s# @) h# G第一個(gè)P溝導通條件不會(huì )是低電平，頂多就G極少于D與S時(shí)導通，但也不會(huì )是低平，這種保護隔離方式是它的G極依靠?jì)蓚�(gè)分壓電阻對適配器來(lái)的16V分壓得出的電壓來(lái)導通的，假如那兩個(gè)電阻不能正常分壓或Q79沒(méi)接地是不能過(guò)保護隔離了。
作者: linxidanshade    時(shí)間: 2012-3-26 12:31
本帖最后由 linxidanshade 于 2012-3-26 12:37 編輯 " ?/ C( [; f  ?$ j4 c
9 W5 d4 x; ?) w8 C
這個(gè)是T30工廠(chǎng)原圖紙，跟T40是一個(gè)樣的。如果我錯了，請指正�。。。�！
作者: linxidanshade    時(shí)間: 2012-3-26 12:39
本帖最后由 linxidanshade 于 2012-3-26 12:51 編輯
. ~4 Y1 C7 U5 n- g/ U, p& Z5 ^! l9 ~: B# f' x7 t! Q, k
控制電路絕對是有裝的，沒(méi)裝的只是那一個(gè)小電阻NO SAM，控制電路主要是TB芯讓Q79導通接地，讓R154，R504分壓適配器過(guò)的16V電壓，分壓得出的8V電壓就可以導通Q34，說(shuō)到底兩個(gè)管子還是受東芝芯片所控制��！樓主那圖講的絕對有誤的地方��！我只是覺(jué)得有錯就要列出來(lái)！同樣的我那里有錯你們一樣可以列出來(lái)的，歡迎大家交流�。。。。。。�！
作者: zjj200207    時(shí)間: 2012-3-27 16:08
盡信書(shū)不如無(wú)書(shū)！
作者: 大連海鷹    時(shí)間: 2012-3-28 15:26
路過(guò)學(xué)習一下
作者: pansucan    時(shí)間: 2012-3-28 18:20
如果R145前面的控制端接地，到是可以理解！
作者: gayilou    時(shí)間: 2012-3-28 21:23
相對來(lái)說(shuō)的高低     好比 你站到平地上 坑就是低  你站到2層上 1層就是低



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