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標題:
MOS管導通條件
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作者:
1939606303
時(shí)間:
2012-5-23 18:41
標題:
MOS管導通條件
本帖最后由 1939606303 于 2012-5-28 10:01 編輯
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M4 d( P2 K5 G
N溝道MOS管（一般源極接地），只要柵源電壓Vgs>Vth（通常是0.7V左右），便可在柵極下面的P襯底形成N型溝道，將源極和漏極連在一起，成為導電通道；這時(shí)只要在漏極加上電壓，便可形成電流，此時(shí)電流同時(shí)受Vgs和Vds控制；當Vgd＝Vgs－Vds＜Vth時(shí)，溝道在漏極夾斷，管子進(jìn)入飽和區，此時(shí)電流僅受Vgs控制（忽略溝道長(cháng)度調制效應）；當漏源電壓Vds太大時(shí)，會(huì )發(fā)生源漏穿通，即漏極和源極連在一起，相當于發(fā)生了擊穿，此時(shí)會(huì )產(chǎn)生很大的電流。當柵源電壓Vgs太大時(shí)，也會(huì )發(fā)生擊穿，即柵氧化層被擊穿，此時(shí)管子失效。
作者:
wupaul
時(shí)間:
2012-5-23 20:17
看來(lái)你是新手，Vgs必須>Vth才能進(jìn)入飽和狀態(tài)，否側你的MOS就會(huì )很熱
作者:
不在猶豫`
時(shí)間:
2012-5-24 10:00
來(lái)學(xué)習的，期待高手
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