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標題: 對“常見(jiàn)電子元器件檢測經(jīng)驗和技巧”的補充 [打印本頁(yè)]
作者: 馬設計者    時(shí)間: 2006-12-24 14:29
標題: 對“常見(jiàn)電子元器件檢測經(jīng)驗和技巧”的補充
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一、中、小功率三極管的檢測

A?判斷性能好壞
　　(a)?測量極間電阻。將萬(wàn)用表置于R×100或R×1K擋，按照紅、黑表筆的六種不同接法進(jìn)行測試。其中，發(fā)射結和集電結的正向電阻值比較低，其他四種接法測得的電阻值都很高，約為幾百千歐至無(wú)窮大。但不管是低阻還是高阻，硅材料三極管的極間電阻要比鍺材料三極管的極間電阻大得多。

(b)?測穿透電流ICEO

通過(guò)用萬(wàn)用表電阻直接測量三極管e－c極之間的電阻方法，可間接估計ICEO的大小，具體方法如下：

萬(wàn)用表電阻的量程一般選用R×100或R×1K擋，對于PNP管，黑表管接e極，紅表筆接c極，對于NPN型三極管，黑表筆接c極，紅表筆接e極。要求測得的電阻越大越好。e－c間的阻值越大，說(shuō)明管子的ICEO越��；反之，所測阻值越小，說(shuō)明被測管的ICEO越大。一般說(shuō)來(lái)，中、小功率硅管、鍺材料低頻管，其阻值應分別在幾百千歐、幾十千歐及十幾千歐以上，如果阻值很小或測試時(shí)萬(wàn)用表指針來(lái)回晃動(dòng)，則表明ICEO很大，管子的性能不穩定。

(c)?測量放大能力(β)

目前有些型號的萬(wàn)用表具有測量三極管hFE的刻度線(xiàn)及其測試插座，可以很方便地測量三極管的放大倍數。先將萬(wàn)用表功能開(kāi)關(guān)撥至?擋，量程開(kāi)關(guān)撥到ADJ位置，把紅、黑表筆短接，調整調零旋鈕，使萬(wàn)用表指針指示為零，然后將量程開(kāi)關(guān)撥到hFE位置，并使兩短接的表筆分開(kāi)，把被測三極管插入測試插座，即可從hFE刻度線(xiàn)上讀出管子的放大倍數。

另外：有此型號的中、小功率三極管，生產(chǎn)廠(chǎng)家直接在其管殼頂部標示出不同色點(diǎn)來(lái)表明管子的放大倍數β值，其顏色和β值的對應關(guān)系如表所示，但要注意，各廠(chǎng)家所用色標并不一定完全相同。

B?檢測判別電極
(a)?判定基極。用萬(wàn)用表R×100或R×1k擋測量三極管三個(gè)電極中每?jì)蓚�(gè)極之間的正、反向電阻值。當用第一根表筆接某一電極，而第二表筆先后接觸另外兩個(gè)電極均測得低阻值時(shí)，則第一根表筆所接的那個(gè)電極即為基極b。這時(shí)，要注意萬(wàn)用表表筆的極性，如果紅表筆接的是基極b。黑表筆分別接在其他兩極時(shí)，測得的阻值都較小，則可判定被測三極管為PNP型管；如果黑表筆接的是基極b，紅表筆分別接觸其他兩極時(shí)，測得的阻值較小，則被測三極管為NPN型管。
(b)?判定集電極c和發(fā)射極e。(以PNP為例)將萬(wàn)用表置于R×100或R×1K擋，紅表筆基極b，用黑表筆分別接觸另外兩個(gè)管腳時(shí)，所測得的兩個(gè)電阻值會(huì )是一個(gè)大一些，一個(gè)小一些。在阻值小的一次測量中，黑表筆所接管腳為集電極；在阻值較大的一次測量中，黑表筆所接管腳為發(fā)射極。

C?在路電壓檢測判斷法
在實(shí)際應用中、小功率三極管多直接焊接在印刷電路板上，由于元件的安裝密度大，拆卸比較麻煩，所以在檢測時(shí)常常通過(guò)用萬(wàn)用表直流電壓擋，去測量被測三極管各引腳的電壓值，來(lái)推斷其工作是否正常，進(jìn)而判斷其好壞。

二、大功率晶體三極管的檢測
利用萬(wàn)用表檢測中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法，對檢測大功率三極管來(lái)說(shuō)基本上適用。但是，由于大功率三極管的工作電流比較大，因而其PN結的面積也較大。PN結較大，其反向飽和電流也必然增大。所以，若像測量中、小功率三極管極間電阻那樣，使用萬(wàn)用表的R×1k擋測量，必然測得的電阻值很小，好像極間短路一樣，所以通常使用R×10或R×1擋檢測大功率三極管。

三、普通達林頓管的檢測
用萬(wàn)用表對普通達林頓管的檢測包括識別電極、區分PNP和NPN類(lèi)型、估測放大能力等項內容。因為達林頓管的E－B極之間包含多個(gè)發(fā)射結，所以應該使用萬(wàn)用表能提供較高電壓的R×10K擋進(jìn)行測量。

四、大功率達林頓管的檢測
檢測大功率達林頓管的方法與檢測普通達林頓管基本相同。但由于大功率達林頓管內部設置了V3、R1、R2等保護和泄放漏電流元件，所以在檢測量應將這些元件對測量數據的影響加以區分，以免造成誤判。具體可按下述幾個(gè)步驟進(jìn)行：
A?用萬(wàn)用表R×10K擋測量B、C之間PN結電阻值，應明顯測出具有單向導電性能。正、反向電阻值應有較大差異。
B?在大功率達林頓管B－E之間有兩個(gè)PN結，并且接有電阻R1和R2。用萬(wàn)用表電阻擋檢測時(shí)，當正向測量時(shí)，測到的阻值是B－E結正向電阻與R1、R2阻值并聯(lián)的結果；當反向測量時(shí)，發(fā)射結截止，測出的則是(R1＋R2)電阻之和，大約為幾百歐，且阻值固定，不隨電阻擋位的變換而改變。但需要注意的是，有些大功率達林頓管在R1、R2、上還并有二極管，此時(shí)所測得的則不是(R1＋R2)之和，而是(R1＋R2)與兩只二極管正向電阻之和的并聯(lián)電阻值。

五、帶阻尼行輸出三極管的檢測
將萬(wàn)用表置于R×1擋，通過(guò)單獨測量帶阻尼行輸出三極管各電極之間的電阻值，即可判斷其是否正常。具體測試原理，方法及步驟如下：
A?將紅表筆接E，黑表筆接B，此時(shí)相當于測量大功率管B－E結的等效二極管與保護電阻R并聯(lián)后的阻值，由于等效二極管的正向電阻較小，而保護電阻R的阻值一般也僅有20～50?，所以，二者并聯(lián)后的阻值也較��；反之，將表筆對調，即紅表筆接B，黑表筆接E，則測得的是大功率管B－E結等效二極管的反向電阻值與保護電阻R的并聯(lián)阻值，由于等效二極管反向電阻值較大，所以，此時(shí)測得的阻值即是保護電阻R的值，此值仍然較小。
B?將紅表筆接C，黑表筆接B，此時(shí)相當于測量管內大功率管B－C結等效二極管的正向電阻，一般測得的阻值也較��；將紅、黑表筆對調，即將紅表筆接B，黑表筆接C，則相當于測量管內大功率管B－C結等效二極管的反向電阻，測得的阻值通常為無(wú)窮大。
C?將紅表筆接E，黑表筆接C，相當于測量管內阻尼二極管的反向電阻，測得的阻值一般都較大，約300～∞；將紅、黑表筆對調，即紅表筆接C，黑表筆接E，則相當于測量管內阻尼二極管的正向電阻，測得的阻值一般都較小，約幾歐至幾十歐。



可控硅（SCR）國際通用名稱(chēng)為T(mén)hyyistoy，中文簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開(kāi)關(guān)型半導體器件，廣泛應用在電力、電子線(xiàn)路中。

一、可控硅的特性
可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有第一陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。
只有當單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導通。此時(shí)A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過(guò)零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。
雙向可控硅第一陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽(yáng)極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續保持導通狀態(tài)。只有當第一陽(yáng)極A1、第二陽(yáng)極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截斷，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。

二、可控硅的管腳判別
晶閘管管腳的判別可用下述方法： 先用萬(wàn)用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽(yáng)極。再將萬(wàn)用表置于R*10K擋，用手指捏住陽(yáng)極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動(dòng)，說(shuō)明紅表筆所接為陰極，不擺動(dòng)則為控制極。

三、單向可控硅的檢測
萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應不動(dòng)。用短線(xiàn)瞬間短接陽(yáng)極A和控制極G，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽(yáng)極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。

四、雙向可控硅的檢測
用萬(wàn)用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無(wú)窮大。若一組為數十歐姆時(shí)，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽(yáng)極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽(yáng)極A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽(yáng)極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽(yáng)極A2，紅表筆接第一陽(yáng)極A1，此時(shí)萬(wàn)用表指針不應發(fā)生偏轉，阻值為無(wú)窮大。再用短接線(xiàn)將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G間短接線(xiàn)，萬(wàn)用表讀數應保持10歐姆左右�；Q紅、黑表筆接線(xiàn)，紅表筆接第二陽(yáng)極A2，黑表筆接第一陽(yáng)極A1。同樣萬(wàn)用表指針應不發(fā)生偏轉，阻值為無(wú)窮大。用短接線(xiàn)將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G極間短接線(xiàn)，萬(wàn)用表讀數應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規律，說(shuō)明被測雙向可控硅未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。
檢測較大功率可控硅時(shí)，需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。
作者: skdkkd    時(shí)間: 2006-12-29 11:12
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作者: 張瑾    時(shí)間: 2007-1-21 22:34
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作者: 學(xué)生哥    時(shí)間: 2007-1-22 22:38
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作者: 求實(shí)數碼    時(shí)間: 2007-4-28 22:20
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作者: p000p0000    時(shí)間: 2007-5-6 15:06
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作者: jiayang    時(shí)間: 2007-8-16 19:51
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