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標題: 內存問(wèn)題集合 [打印本頁(yè)]

作者: dlsss13    時(shí)間: 2007-7-12 13:32
標題: 內存問(wèn)題集合
內存問(wèn)題集合

      問(wèn):我在分區的時(shí)候把系統分區劃分小了一點(diǎn),系統安裝后,又安裝了很多應用程序,F在在運行很多程序的時(shí)候,總是提示內存不足,我想把其他分區的空間劃分一部分到系統分區去。這樣可以有更多的空間作為緩沖。我想問(wèn)問(wèn)有什么辦法能解決這個(gè)問(wèn)題,難道只有重新格式化分區這一種辦法嗎?答:你可以使用Pgmagic在不損壞硬盤(pán)數據的情況下重新進(jìn)行分區。步驟為:
          1、在軟件菜單下選擇“Partitions”,之后,選中你要減少空間的那個(gè)分區,如D,再依次點(diǎn)擊“Operationg/Resize/Mo
      ve…”,在彈出的“resize/move
      partition”對話(huà)框中,將鼠標移到“示意條”左端的滑竿上,并向右拖動(dòng)直到“NEWSIZE”的值符合你要添加的硬盤(pán)空間的值為止,你也可以直接在“free
      space before”中,鍵入“c”盤(pán)要增大的容量;
          2、選擇“Partitions”
      ,選中“c”,在執行“Resize/Move”時(shí),要把“示意條”拉到最右端,最后點(diǎn)擊“Apply”,等一會(huì ),重分區就完成了。
      其實(shí)你也可以通過(guò)改變系統虛擬內存設置來(lái)解決虛擬內存不夠的問(wèn)題,操作步驟如下:先點(diǎn)擊“我的電腦/控制面板/系統”選擇
      “性能”菜單中的“虛擬內存”設置欄,選擇“用戶(hù)自己指定虛擬內存設置”,在彈出的對話(huà)框中,選擇有較大剩余空間的硬盤(pán)作為虛擬內存盤(pán)符,并指定最大、最小虛擬內存量。設置好后,按“確定”,直至退出“控制面板”為止。
          問(wèn):我的電腦老是出現內存不足的問(wèn)題,有什么好的解決辦法? 答:內存不足,電腦出現故障,又不想重啟電腦,有6種辦法:
      1、清除剪貼板的內容。若剪貼板中現存的是一幅圖畫(huà)或相當篇幅的一段文本,則占用相當大內存,解決辦法是:依次單擊“
      開(kāi)始”-》“程序”-》“附件”-》“剪貼板查看程序”,打開(kāi)了 “剪貼板查看程序”窗口,然后單擊“編輯”菜單“的刪除命令,最后單擊“是”按鈕。
          2、關(guān)閉不常用的窗口。若打開(kāi)了多個(gè)窗口,其實(shí)也就是運行了多個(gè)程序,耗用的內存就多,依次關(guān)閉,達到節省的目的。
          3、保留硬盤(pán)空間作為額外內存。右鍵單擊桌面上“我的電腦”
      圖標,再左鍵單擊“屬性”,打開(kāi)“系統屬性”對話(huà)框。在此對話(huà)框中單擊“性能”,再單擊“虛擬內存”按鈕,復選“讓windows
      管理虛擬內存”,最后單擊“確定”按鈕。
          4、刪除“啟動(dòng)”組中不需要windows自動(dòng)加載的程序。首先查看windows啟動(dòng)時(shí)加載了那些程序,方法是:?jiǎn)螕簟伴_(kāi)始”/“程序
      ”/“啟動(dòng)”,此時(shí)列出的菜單即是windows啟動(dòng)時(shí)自動(dòng)加載的程序。刪除其中的不必要的程序,重啟電腦,內存不足的問(wèn)題也許就迎刃而解。刪除方法是:(1)啟動(dòng)“資源管理器”,找到“cwi-
      ndowsstartmenuprograms啟動(dòng)”文件夾。(2)選擇不需windows
      自動(dòng)加載的程序和快捷方式,單擊“文件”菜單的“刪除”命令,系統彈出確認刪除對話(huà)框。(3)在確認刪除對話(huà)框中單擊“是” 按鈕。
          5、查殺病毒。你可用殺毒軟件查殺病毒;蛟S內存不足是病毒在作怪。
      有關(guān)內存的幾個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題
      1.內存的單面與雙面,單Bank與雙Bank的區別?
        單面內存與雙面內存的區別在于單面內存的內存芯片都在同一面上,而雙面內存的內存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內存的通道,通常每個(gè)通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如Intel
      82845系列芯片組支持4個(gè)Bank,而SiS的645系列芯片組則能支持6個(gè)Bank。如果主板只支持4個(gè)Bank,而我們卻用6個(gè)Bank的話(huà),那多余的2個(gè)Bank就白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank,也有可能是單Bank,這一點(diǎn)要注意。
        2.內存的2-2-3通常是什么意思?
        這些電腦硬件文章經(jīng)常出現的參數就是在主板的BIOS里面關(guān)于內存參數的設置了。通常說(shuō)的2-2-3按順序說(shuō)的是tRP(Time of Row
      Precharge),tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS
      Latency)。tRP為RAS預充電時(shí)間,數值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延遲,數值越小越好;CL(CAS
      Latency)為CAS的延遲時(shí)間,這是縱向地址脈沖的反應時(shí)間,也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。
        3.內存的雙通道技術(shù)和單通道有什么不同?
        什么是雙通道DDR技術(shù)呢?需要說(shuō)明的是,它并非我們以前所介紹的DDRII,而是一種可以讓2條DDR內存共同使用,數據并行傳輸的技術(shù)。雙通道DDR技術(shù)的優(yōu)勢在于,它可以讓內存帶寬在原來(lái)的基礎上增加一倍,這對于P4處理器的好處可謂不言而喻。大家都知道400MHz
      FSB的P4處理器和主板傳輸數據的帶寬為3.2GB/s,而533MHz
      FSB的P4處理器的吞吐能力更是達到了4.3GB/s,但是目前除了I850E支持的Rambus
      PC1066規范外,根本沒(méi)有內存可以滿(mǎn)足處理器的需要,我們最常用的DDR333本身僅具有2.7GB/s的帶寬。
        4.DDR-Ⅱ和現在的DDR內存有什么不同?
        DDR-II內存是相對于現在主流的DDR-I內存而言的,它們的工作時(shí)鐘預計將為400MHz或更高。主流內存市場(chǎng)將從現在的DDR-333產(chǎn)品直接過(guò)渡到DDR-II。DDR-II內存將采用0.13微米工藝,容量為18MB/36MB/72MB,最大288MB,字節架構為X8、X18、X36,讀取反應時(shí)間為2.5個(gè)時(shí)鐘周期。通過(guò)將DLL(delay-locked
      loop,延時(shí)鎖定回路)設計到內存中(這與Rambus設計理念相似),輸出的數據效率提升65%左右,DDR數據傳送方式為每周期32個(gè)字節,并且可以隨工作頻率的提升達到更高性能。已知道的規格有:系統內存方面包括400MHz(4.8GB/s帶寬)、533MHz(5.6GB/s帶寬)、667MHz(6.4GB/s帶寬)三種,顯卡(默認規格)方面包括800MHz、1000MHz兩種。所有的DDR-II內存均在1.8V下工作,單條容量至少有512MB。DDR-II管腳數量有200pin、220pin、240pinFBGA封裝形式之分,與現在的DDR內存不相容。
      內存問(wèn)題集合
      問(wèn):我在分區的時(shí)候把系統分區劃分小了一點(diǎn),系統安裝后,又安裝了很多應用程序,F在在運行很多程序的時(shí)候,總是提示內存不足,我想把其他分區的空間劃分一部分到系統分區去。這樣可以有更多的空間作為緩沖。我想問(wèn)問(wèn)有什么辦法能解決這個(gè)問(wèn)題,難道只有重新格式化分區這一種辦法嗎?答:你可以使用Pgmagic在不損壞硬盤(pán)數據的情況下重新進(jìn)行分區。步驟為:
          1、在軟件菜單下選擇“Partitions”,之后,選中你要減少空間的那個(gè)分區,如D,再依次點(diǎn)擊“Operationg/Resize/Mo
      ve…”,在彈出的“resize/move
      partition”對話(huà)框中,將鼠標移到“示意條”左端的滑竿上,并向右拖動(dòng)直到“NEWSIZE”的值符合你要添加的硬盤(pán)空間的值為止,你也可以直接在“free
      space before”中,鍵入“c”盤(pán)要增大的容量;
          2、選擇“Partitions”
      ,選中“c”,在執行“Resize/Move”時(shí),要把“示意條”拉到最右端,最后點(diǎn)擊“Apply”,等一會(huì ),重分區就完成了。
      其實(shí)你也可以通過(guò)改變系統虛擬內存設置來(lái)解決虛擬內存不夠的問(wèn)題,操作步驟如下:先點(diǎn)擊“我的電腦/控制面板/系統”選擇
      “性能”菜單中的“虛擬內存”設置欄,選擇“用戶(hù)自己指定虛擬內存設置”,在彈出的對話(huà)框中,選擇有較大剩余空間的硬盤(pán)作為虛擬內存盤(pán)符,并指定最大、最小虛擬內存量。設置好后,按“確定”,直至退出“控制面板”為止。
          問(wèn):我的電腦老是出現內存不足的問(wèn)題,有什么好的解決辦法? 答:內存不足,電腦出現故障,又不想重啟電腦,有6種辦法:
      1、清除剪貼板的內容。若剪貼板中現存的是一幅圖畫(huà)或相當篇幅的一段文本,則占用相當大內存,解決辦法是:依次單擊“
      開(kāi)始”-》“程序”-》“附件”-》“剪貼板查看程序”,打開(kāi)了 “剪貼板查看程序”窗口,然后單擊“編輯”菜單“的刪除命令,最后單擊“是”按鈕。
          2、關(guān)閉不常用的窗口。若打開(kāi)了多個(gè)窗口,其實(shí)也就是運行了多個(gè)程序,耗用的內存就多,依次關(guān)閉,達到節省的目的。
          3、保留硬盤(pán)空間作為額外內存。右鍵單擊桌面上“我的電腦”
      圖標,再左鍵單擊“屬性”,打開(kāi)“系統屬性”對話(huà)框。在此對話(huà)框中單擊“性能”,再單擊“虛擬內存”按鈕,復選“讓windows
      管理虛擬內存”,最后單擊“確定”按鈕。
          4、刪除“啟動(dòng)”組中不需要windows自動(dòng)加載的程序。首先查看windows啟動(dòng)時(shí)加載了那些程序,方法是:?jiǎn)螕簟伴_(kāi)始”/“程序
      ”/“啟動(dòng)”,此時(shí)列出的菜單即是windows啟動(dòng)時(shí)自動(dòng)加載的程序。刪除其中的不必要的程序,重啟電腦,內存不足的問(wèn)題也許就迎刃而解。刪除方法是:(1)啟動(dòng)“資源管理器”,找到“cwi-
      ndowsstartmenuprograms啟動(dòng)”文件夾。(2)選擇不需windows
      自動(dòng)加載的程序和快捷方式,單擊“文件”菜單的“刪除”命令,系統彈出確認刪除對話(huà)框。(3)在確認刪除對話(huà)框中單擊“是” 按鈕。
          5、查殺病毒。你可用殺毒軟件查殺病毒;蛟S內存不足是病毒在作怪。
      有關(guān)內存的幾個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題
      1.內存的單面與雙面,單Bank與雙Bank的區別?
        單面內存與雙面內存的區別在于單面內存的內存芯片都在同一面上,而雙面內存的內存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內存的通道,通常每個(gè)通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如Intel
      82845系列芯片組支持4個(gè)Bank,而SiS的645系列芯片組則能支持6個(gè)Bank。如果主板只支持4個(gè)Bank,而我們卻用6個(gè)Bank的話(huà),那多余的2個(gè)Bank就白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank,也有可能是單Bank,這一點(diǎn)要注意。
        2.內存的2-2-3通常是什么意思?
        這些電腦硬件文章經(jīng)常出現的參數就是在主板的BIOS里面關(guān)于內存參數的設置了。通常說(shuō)的2-2-3按順序說(shuō)的是tRP(Time of Row
      Precharge),tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS
      Latency)。tRP為RAS預充電時(shí)間,數值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延遲,數值越小越好;CL(CAS
      Latency)為CAS的延遲時(shí)間,這是縱向地址脈沖的反應時(shí)間,也是在一定頻率下衡量支持不同規范的內存的重要標志之一。
        3.內存的雙通道技術(shù)和單通道有什么不同?
        什么是雙通道DDR技術(shù)呢?需要說(shuō)明的是,它并非我們以前所介紹的DDRII,而是一種可以讓2條DDR內存共同使用,數據并行傳輸的技術(shù)。雙通道DDR技術(shù)的優(yōu)勢在于,它可以讓內存帶寬在原來(lái)的基礎上增加一倍,這對于P4處理器的好處可謂不言而喻。大家都知道400MHz
      FSB的P4處理器和主板傳輸數據的帶寬為3.2GB/s,而533MHz
      FSB的P4處理器的吞吐能力更是達到了4.3GB/s,但是目前除了I850E支持的Rambus
      PC1066規范外,根本沒(méi)有內存可以滿(mǎn)足處理器的需要,我們最常用的DDR333本身僅具有2.7GB/s的帶寬。
        4.DDR-Ⅱ和現在的DDR內存有什么不同?
        DDR-II內存是相對于現在主流的DDR-I內存而言的,它們的工作時(shí)鐘預計將為400MHz或更高。主流內存市場(chǎng)將從現在的DDR-333產(chǎn)品直接過(guò)渡到DDR-II。DDR-II內存將采用0.13微米工藝,容量為18MB/36MB/72MB,最大288MB,字節架構為X8、X18、X36,讀取反應時(shí)間為2.5個(gè)時(shí)鐘周期。通過(guò)將DLL(delay-locked
      loop,延時(shí)鎖定回路)設計到內存中(這與Rambus設計理念相似),輸出的數據效率提升65%左右,DDR數據傳送方式為每周期32個(gè)字節,并且可以隨工作頻率的提升達到更高性能。已知道的規格有:系統內存方面包括400MHz(4.8GB/s帶寬)、533MHz(5.6GB/s帶寬)、667MHz(6.4GB/s帶寬)三種,顯卡(默認規格)方面包括800MHz、1000MHz兩種。所有的DDR-II內存均在1.8V下工作,單條容量至少有512MB。DDR-II管腳數量有200pin、220pin、240pinFBGA封裝形式之分,與現在的DDR內存不相容。
作者: ynliconghua    時(shí)間: 2007-7-13 17:13

作者: robert1025    時(shí)間: 2009-8-16 14:58
看了,謝新恩




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