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請問(wèn)怎么分辯 mos管是P 溝道還是N溝道��？還有在主板上的代換原則是怎么樣的？
謝謝啦！

場(chǎng)效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。 一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相 反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、 安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn)，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

一、場(chǎng)效應管的分類(lèi)　　場(chǎng)效應管分結型、絕緣柵型兩大類(lèi)。結型場(chǎng)效應管（JFET）因有兩個(gè)PN結而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應管中，應用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管（即金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應管、VMOS功率模塊等�！　“礈系腊雽�體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場(chǎng)效應管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應管既有耗盡型的，也有增強型的�！　�場(chǎng)效應晶體管可分為結場(chǎng)效應晶體管和MOS場(chǎng)效應晶體管。而MOS場(chǎng)效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類(lèi)。
二、場(chǎng)效應三極管的型號命名方法　　現行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結型場(chǎng)效應管，O代表絕緣柵場(chǎng)效應管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場(chǎng)效應三極管，3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應三極管�！　〉诙�種命名方法是CS鬃#，CS代表場(chǎng)效應管，鬃以數字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規格。例如CS14A、CS45G等。
三、場(chǎng)效應管的參數場(chǎng)效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數：
1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流。
2、UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。
3、UT — 開(kāi)啟電壓。是指增強型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導通時(shí)的柵極電壓。
4、gM — 跨導。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場(chǎng)效應管放大能力的重要參數。
5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場(chǎng)效應管上的工作電壓必須小于BUDS。
6、PDSM — 最大耗散功率。也是一項極限參數，是指場(chǎng)效應管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應管實(shí)際功耗應小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM — 最大漏源電流。是一項極限參數，是指場(chǎng)效應管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應管的工作電流不應超過(guò)IDSM 幾種常用的場(chǎng)效應三極管的主要參數
四、場(chǎng)效應管的作用
1、場(chǎng)效應管可應用于放大。由于場(chǎng)效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場(chǎng)效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場(chǎng)效應管可以用作可變電阻。
4、場(chǎng)效應管可以方便地用作恒流源。
5、場(chǎng)效應管可以用作電子開(kāi)關(guān)。
五、場(chǎng)效應管的測試
1、結型場(chǎng)效應管的管腳識別：
　　場(chǎng)效應管的 柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R1k檔，用兩表筆分別測量每?jì)蓚�(gè)管腳間的正、反向電阻。當某兩個(gè) 管腳間的正、反向電阻相等，均為數KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對于有4個(gè)管腳的結型場(chǎng)效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。
2、判定柵極
　　用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測出的阻值都很小，說(shuō)明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應管，黑表筆接的也是柵極。
　　制造工藝決定了場(chǎng)效應管的源極和漏極是對稱(chēng)的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。
　　注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。
3、估測場(chǎng)效應管的放大能力
　　將萬(wàn)用表?yè)艿絉100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場(chǎng)效應管加上1.5V的電源電 壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變 化，也相當于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀(guān)察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損 壞。
　　由于人體感應的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應管用 電阻檔測量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數管子的RDS增大，表針 向左擺動(dòng)。無(wú)論表針的擺動(dòng)方向如何，只要能有明顯地擺動(dòng)，就說(shuō)明管子具有放大能力。本方法也適用于測MOS管。為了保護MOS場(chǎng)效應管，必須用手握住螺釘 旋具絕緣柄，用金屬桿去碰柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極上，將管子損壞。
　　MOS管每次測量完畢，G-S結電容上會(huì )充有少量電荷，建立起電壓UGS，再接著(zhù)測時(shí)表針可能不動(dòng)，此時(shí)將G-S極間短路一下即可。 　　目前常用的結型場(chǎng)效應管和MOS型絕緣柵場(chǎng)效應管

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[ 本帖最后由 無(wú)巧不成書(shū) 于 2008-6-14 22:32 編輯 ]

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