固態(tài)硬盤(pán)

固態(tài)硬盤(pán)的存儲介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（FLASH芯片）作為存儲介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。

　　
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　　基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)（IDE FLASH DISK、Serial ATA Flash Disk）：采用FLASH芯片作為存儲介質(zhì)，這也是我們通常所說(shuō)的SSD。它的外觀(guān)可以被制作成多種模樣，例如：筆記本硬盤(pán)、微硬盤(pán)、存儲卡、優(yōu)盤(pán)等樣式。這種SSD固態(tài)硬盤(pán)最大的優(yōu)點(diǎn)就是可以移動(dòng)，而且數據保護不受電源控制，能適應于各種環(huán)境，但是使用年限不高，適合于個(gè)人用戶(hù)使用。在基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)中，存儲單元又分為兩類(lèi)：SLC（Single Layer Cell 單層單元）和MLC（Multi-Level Cell多層單元）。SLC的缺點(diǎn)是成本高、容量小、速度快，而MLC的特點(diǎn)是容量大成本低，但是速度慢。MLC的每個(gè)單元是2bit的，相對SLC來(lái)說(shuō)整整多了一倍。不過(guò)，由于每個(gè)MLC存儲單元中存放的資料較多，結構相對復雜，出錯的幾率會(huì )增加，必須進(jìn)行錯誤修正，這個(gè)動(dòng)作導致其性能大幅落后于結構簡(jiǎn)單的SLC閃存。此外，SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是復寫(xiě)次數高達100000次，比MLC閃存高10倍。此外，為了保證MLC的壽命，控制芯片都校驗和智能磨損平衡技術(shù)算法，使得每個(gè)存儲單元的寫(xiě)入次數可以平均分攤，達到100萬(wàn)小時(shí)故障間隔時(shí)間(MTBF)。

, _9 @) Q+ m3 R. I& v　　基于DRAM的固態(tài)硬盤(pán)：采用DRAM作為存儲介質(zhì)，目前應用范圍較窄。它仿效傳統硬盤(pán)的設計、可被絕大部分操作系統的文件系統工具進(jìn)行卷設置和管理，并提供工業(yè)標準的PCI和FC接口用于連接主機或者服務(wù)器。應用方式可分為SSD硬盤(pán)和SSD硬盤(pán)陣列兩種。它是一種高性能的存儲器，而且使用壽命很長(cháng)，美中不足的是需要獨立電源來(lái)保護數據安全。
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不錯的資料，謝謝