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固態(tài)硬盤(pán)的存儲介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存(FLASH芯片)作為存儲介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。" q' ?( P+ |6 l2 y0 H, }( T
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基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)(IDE FLASH DISK、Serial ATA Flash Disk):采用FLASH芯片作為存儲介質(zhì),這也是我們通常所說(shuō)的SSD。它的外觀(guān)可以被制作成多種模樣,例如:筆記本硬盤(pán)、微硬盤(pán)、存儲卡、優(yōu)盤(pán)等樣式。這種SSD固態(tài)硬盤(pán)最大的優(yōu)點(diǎn)就是可以移動(dòng),而且數據保護不受電源控制,能適應于各種環(huán)境,但是使用年限不高,適合于個(gè)人用戶(hù)使用。在基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)中,存儲單元又分為兩類(lèi):SLC(Single Layer Cell 單層單元)和MLC(Multi-Level Cell多層單元)。SLC的缺點(diǎn)是成本高、容量小、速度快,而MLC的特點(diǎn)是容量大成本低,但是速度慢。MLC的每個(gè)單元是2bit的,相對SLC來(lái)說(shuō)整整多了一倍。不過(guò),由于每個(gè)MLC存儲單元中存放的資料較多,結構相對復雜,出錯的幾率會(huì )增加,必須進(jìn)行錯誤修正,這個(gè)動(dòng)作導致其性能大幅落后于結構簡(jiǎn)單的SLC閃存。此外,SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是復寫(xiě)次數高達100000次,比MLC閃存高10倍。此外,為了保證MLC的壽命,控制芯片都校驗和智能磨損平衡技術(shù)算法,使得每個(gè)存儲單元的寫(xiě)入次數可以平均分攤,達到100萬(wàn)小時(shí)故障間隔時(shí)間(MTBF)。
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基于DRAM的固態(tài)硬盤(pán):采用DRAM作為存儲介質(zhì),目前應用范圍較窄。它仿效傳統硬盤(pán)的設計、可被絕大部分操作系統的文件系統工具進(jìn)行卷設置和管理,并提供工業(yè)標準的PCI和FC接口用于連接主機或者服務(wù)器。應用方式可分為SSD硬盤(pán)和SSD硬盤(pán)陣列兩種。它是一種高性能的存儲器,而且使用壽命很長(cháng),美中不足的是需要獨立電源來(lái)保護數據安全。
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