晶體管的檢測經(jīng)驗介紹

一）晶體管材料與極性的判別

   1．從晶體管的型號命名上識別其材料與極性  國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母A~D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP型管，“D”代表硅材料NPN型管。

    日本產(chǎn)晶體管型號命名的第三部分用字母A~D來(lái)表示晶體管的材料和類(lèi)型（不代表極性）。其中，“A”、“B”為PNP型管，“C”、“D”為NPN型管。通常，“A”、“C”為高頻管，“B”、“D”為低頻管。

    歐洲產(chǎn)晶體管型號命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶體管的材料（不表示NPN或PNP型極性）。其中，“A”表示鍺材料，“B”表示硅材料。

   2．從封裝外形上識別晶體管的引腳  在使用權晶體管之前，首先要識別晶體管各引腳的極性。

   不同種類(lèi)、不同型號、不同功能的晶體管，其引腳排列位置也不同。通過(guò)閱讀上述“晶體管的封裝外形”中的內容，可以快速識別也常用晶體管各引腳的極性。

   3．用萬(wàn)用表判別晶體管的極性與材料  對于型號標志不清或雖有型號但無(wú)法識別其引腳的晶體管，可以通過(guò)萬(wàn)用表測試來(lái)判斷出該晶體管的極性、引腳及材料。

    對于一般小功率晶體管，可以用萬(wàn)用表R×100Ω檔或R×1k檔，用兩表筆測量晶體管任意兩個(gè)引腳間的正、反向電阻值。

     在測量中會(huì )發(fā)現：當黑表筆（或紅表筆）接晶體管的某一引腳時(shí)，用紅表筆（或黑表筆）去分別接觸另外兩個(gè)引腳，萬(wàn)用表上指示均為低阻值。此時(shí)，所測晶體管與黑表筆（或紅表筆）連接的引腳便是基極B，而別外兩個(gè)引腳為集電極C和發(fā)射極E。若基極接的是紅表筆，則該管為PNP管；若基極接的是黑表筆，則該管?chē)鳱PN管。

    也可以先假定晶體管的任一個(gè)引腳為基極，與紅表筆或黑表筆接觸，再用另一表筆去分別接觸另外兩個(gè)引腳，若測出兩個(gè)均較小的電阻值時(shí)，則固定不動(dòng)的表筆所接的引腳便是基極B，而另外兩個(gè)引腳為發(fā)射極E和集電極C。

    找到基極B后，再比較基極B與另外兩個(gè)引腳之間正向電阻值的大小。通常，正向電阻值較大的電極為發(fā)射極E，正向電阻值較小的為集電極C。

    PNP型晶體管，可以將紅表筆接基極B，用黑表筆分別接觸另外兩個(gè)引腳，會(huì )測出兩個(gè)略有差異的電阻值。在阻值較小的一次測量中，黑表筆所接的引腳為集電極C；在阻值較大的一次測量中，黑表筆所接的引腳為發(fā)射極E。

    NPN型晶體管，可將黑表筆接基極B。用紅表筆去分別接觸另外兩個(gè)引腳。在阻值較小的一次測量中，紅表筆所接的引腳為集電極C；在阻值較大一次測量中，紅表筆所接的引腳為發(fā)射極E。

    通過(guò)測量晶體管PN結的正、反向電阻值，還可判斷出晶體管的材料（區分出是硅管還是鍺管）及好壞。一般鍺管PN結（B、E極之間或B、C極之間）的正向電阻值為200~500Ω，反向電阻值大于100kΩ；硅管PN結的正向電阻值為3~15kΩ，反向電阻值大于500kΩ。若測得晶體管某個(gè)PN結的正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大，則可判斷該管已擊穿或開(kāi)路損壞。

（二）晶體管性能的檢測

    1．反向擊穿電流的檢測  普通晶體管的反向擊穿電流（也稱(chēng)反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測。測量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔，NPN型管的集電極C接黑表筆，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。

    正常時(shí)，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5kΩ（用R×10檔測）以上。硅材料晶體管的電阻值應大于100kΩ（用R×10k檔測），實(shí)測值一般為500kΩ以上。

    若測得晶體管C、E極之間的電阻值偏小，則說(shuō)明該晶體管的漏電流較大；若測得C、E極之間的電阻值接近0，則說(shuō)明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著(zhù)管殼溫度的增高而變小許多，則說(shuō)明該管的熱穩定性不良。

   也可以用晶體管直流參數測試表的ICEO檔來(lái)測量晶體管的反向擊穿電流。測試時(shí)，先將hFE/ICEO選擇開(kāi)關(guān)置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測晶體管的三個(gè)引腳插個(gè)測試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。

    2．放大能力的檢測  晶體管的放大能力可以用萬(wàn)用表的hFE檔測量。測量時(shí)，應先將萬(wàn)用表置于A(yíng)DJ檔進(jìn)行調零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應的測試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個(gè)電極接出3根引線(xiàn)后，再分別與三個(gè)插孔相接），萬(wàn)用表即會(huì )指示出該管的放大倍數。

    若萬(wàn)用表無(wú)hFE檔，則也可使用萬(wàn)用表的R×1k檔來(lái)估測晶體管放大能力。測量PNP管時(shí)，應將萬(wàn)用表的黑表筆接晶體管的發(fā)射極E，紅表筆接晶體管的集電極C，再在晶體管的集電結（B、C極之間）上并接1只電阻（硅管為100kΩ鍺管為20 kΩ），然后觀(guān)察萬(wàn)用表的阻值變化情況。若萬(wàn)用表指針擺動(dòng)幅度較大，則說(shuō)明晶體管的放大能力較強。若萬(wàn)用表指針不變或擺動(dòng)幅較小，則說(shuō)明晶體管無(wú)放大能力或放大能力較差。

    測量NPN管時(shí)，應將萬(wàn)用表的黑表筆接晶體管的集電極C，紅表筆接晶體管的發(fā)射極E，在集電結上并接1只電阻，然后觀(guān)察萬(wàn)用表的阻值變化情況。萬(wàn)用表指針擺動(dòng)幅度越大，說(shuō)明晶體管的放大能力越強。

    也可以用晶體管直流參數測試表的hFE/測試功能來(lái)測量放大能力。測量時(shí)，先將測試表的hFE/ICEO檔置于hFE?100檔或hFE?300檔，選擇晶體管的極性，將晶體管插入測試孔后，按動(dòng)相應的hFE鍵，再從表中讀出hFE值即可。

    3．反向擊穿電壓的檢測  晶體管的反向擊穿電壓可使用晶體管直流參數測試表的V（BR）測試功能來(lái)測量。測量時(shí)，先選擇被測晶體管的極性，然后將晶體管插入測試孔，按動(dòng)相應的V（BR）鍵，再從表中讀出反向擊穿電壓值。

    對于反向擊穿電壓低于50V的晶體管，也可用圖5-58中所示的電路進(jìn)行測試。將待測晶體管VT的集電極C、發(fā)射極E與測試電路的A端、B端相連（PNP管的E極接A點(diǎn)，C極接B點(diǎn)；NPN管的E有接B點(diǎn)，C極接A點(diǎn)）后，調節電源電壓，當發(fā)光二極管LED點(diǎn)亮時(shí)，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。


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（三）特殊晶體管的檢測

    1．帶阻尼行輸出管的檢測  用萬(wàn)用表R×1檔，測量發(fā)射結（基極B與發(fā)射極E之間）的正、反向電阻值。正常的行輸出管，其發(fā)射結的正、反向電阻值均較小，只有20~50Ω。

    用萬(wàn)用表R×1k檔，測量行輸出管集電結（基極B與集電極C之間）的正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值（黑表筆接基極B，紅表筆接集電極C）為3~10kΩ，反向電阻值為無(wú)窮大。若測得正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該管的集電結已擊穿損壞或開(kāi)路損壞。

    用萬(wàn)用表R×1k檔，測量行輸出管C、E極內部阻尼二極管的正、反向電阻值，正常時(shí)正向電阻值較�。�6~7 kΩ），反向電阻值為無(wú)窮大，若測得C、E極之間的正反向電阻值均很小，則是行輸出管C、E極之間短路或阻尼二極管擊穿損壞。若測得C、E極之間的正、反向電阻值均為無(wú)窮大，則是阻尼二極管開(kāi)路損壞。

    帶阻尼行輸出管的反向擊穿電壓可以用晶體管直流參數測試表測量，其方法與普通晶體管相同。

    帶阻尼行輸出管的放大能力（交流電流放大系數β值）不能用萬(wàn)用表的hFE檔直接測量，因為其內部有阻尼二極管和保護電阻器。測量時(shí)可在行輸出管的集電極C與基極B之間并接1只30 kΩ的電位器，然后再將行輸出管各電極與hFE插孔連接。適當調節電位器的電阻值，并從萬(wàn)用表上讀出β值。

   2．帶阻晶體管的檢測  因帶阻晶體管內部含有1只或2只電阻器，故檢測的方法與普通晶體管略有不同。檢測之前應先了解管內電阻器的阻值。

   測量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔，測量帶阻晶體管集電極C與發(fā)射極E之間的電阻值（測NPN管時(shí)，應將黑表筆接C極，紅表筆接E極；測PNP管時(shí)，應將紅表筆接C極，黑表筆接E極），正常時(shí)，阻值應為無(wú)窮大，且在測量的同時(shí)，若將帶阻晶體管的基極B與集電極C之間短路后，則應有小于50kΩ的電阻值。否則，可確定為晶體管不良。

    也可以用測量帶阻晶體管BE極、CB極及CE極之間正、反向電阻值的方法（應考慮到內含電阻器對各極間正、反向電阻值的影響）來(lái)估測晶體管是否損壞。

    3．普通達林頓管的檢測  普通達林頓管內部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復合而成，其基極B與發(fā)射極E之間包含多個(gè)發(fā)射結。檢測時(shí)可使用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k檔來(lái)測量。

    測量達林頓管各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，集電極C與基極B之間的正向電阻值（測NPN管時(shí)，黑表筆接基極B；測PNP管時(shí)，黑表筆接集電極C）值與普通硅晶體管集電結的正向電阻值相近，為3~10kΩ之間，反向電阻值為無(wú)窮大。而發(fā)射極E與基極B之間的的正向電阻值（測NPN管時(shí)，黑表筆接基極B；測PNP管時(shí)，黑表筆接發(fā)射極E）是集電極C與基極B之間的正、反向電阻值的2~3倍，反向電阻值為無(wú)窮大。集電極C與發(fā)射極E之間的正、反向電阻值均應接近無(wú)窮大。若測得達林頓管的C、E極間的正、反向電阻值或BE極、BC極之間的正、反向電阻值均接近0，則說(shuō)明該管已擊穿損壞。若測得達林頓管的BE極或BC極之間的、反向電阻值為無(wú)窮大，則說(shuō)明該管已開(kāi)路損壞。

    4．大功率達林頓管的檢測  大功率達林頓管在普通達林頓管的基礎上增加了由續流二極管和泄放電阻組成的保護電路，在測量時(shí)應注意這些元器件對測量數據的影響。

    用萬(wàn)用表R×1k或R×10k檔，測量達林頓管集電結（集電極C與基極B之間）的正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值（NPN管的基極接黑表筆時(shí)）應較小，為1~10kΩ，反向電阻值應接近無(wú)窮大。若測得集電結的正、反向電阻值均很小或均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該管已擊穿短路或開(kāi)路損壞。

    用萬(wàn)用表R×100檔，測量達林頓管發(fā)射極E與基極B之間的正、反向電阻值，正常值均為幾百歐姆至幾千歐姆（具體數據根據B、E極之間兩只電阻器的阻值不同而有所差異。例如，BU932R、MJ10025等型號大功率達林頓管B、E極之間的正、反向電阻值均為600Ω左右），若測得阻值為0或無(wú)窮大，則說(shuō)明被測管已損壞。

    用萬(wàn)用表R×1k或R×10k檔，測量達林頓管發(fā)射極E與集電極C之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值（測NPN管時(shí)，黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆接集電極C；測PNP管時(shí)，黑表筆接集電極C，紅表筆接發(fā)射極E）應為5~15kΩ（BU932R為7kΩ），反向電阻值應為無(wú)窮大，否則是該管的C、E極（或二極管）擊穿或開(kāi)路損壞。

    5．光敏三極管的檢測  光敏三極管只有集電極C和發(fā)射極E兩個(gè)引腳，基極B為受窗口。通常，較長(cháng)（或*近管鍵的一端）的引腳為E極，較短的引腳的C極。達林頓型光敏三極管封裝缺圓的一側為C極。

    檢測時(shí)，先測量光敏三極管的暗電阻：將光敏三極管的受光窗口用黑紙或黑布遮住，再將萬(wàn)用表置于R×1k檔。紅表筆和黑表筆分別接光敏三極管的兩個(gè)引腳。正常時(shí)，正、反向電阻均為無(wú)窮大。若測出一定阻值或阻值接近0，則說(shuō)明該光敏三極管已漏電或已擊穿短路。

    測量光敏三極管的亮電阻：在暗電阻測量狀態(tài)下，若將遮擋受光窗口的黑紙或黑布移開(kāi)，將受光窗口*近光源，正常時(shí)應有15~30kΩ的電阻值。則說(shuō)明光敏三極管已開(kāi)路損壞或靈敏度偏低。

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