半導體型號命名方法

一、 中國半導體器件型號命名方法
                     
            半導體器件型號由五部分（場(chǎng)效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：

            第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管
            第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

            第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場(chǎng)效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
            
            第四部分：用數字表示序號
            第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規格號
            例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管  


            二、日本半導體分立器件型號命名方法
                    日本生產(chǎn)的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號意義如下：
            第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類(lèi)型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結的其他器件、┄┄依此類(lèi)推。

            第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì )JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì )JEIA注冊登記的半導體分立器件。
            第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類(lèi)型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應管、K-N
            溝道場(chǎng)效應管、M-雙向可控硅。
            第四部分：用數字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì )JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開(kāi)始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì )JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是近期產(chǎn)品。

            第五部分： 用字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。

            三、美國半導體分立器件型號命名方法
                    美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會(huì )半導體分立器件命名方法如下：
            第一部分：用符號表示器件用途的類(lèi)型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無(wú)）-非軍用品。
            第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結器件、n-n個(gè)pn結器件。
            第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會(huì )（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會(huì )（EIA）注冊登記。
            第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會(huì )登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會(huì )登記的順序號。  
            第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA
            注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

            四、 國際電子聯(lián)合會(huì )半導體器件型號命名方法
                    
            德國、法國、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會(huì )半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號及意義如下：

            第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV
            如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料

            第二部分：用字母表示器件的類(lèi)型及主要特征。A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、B-變容二極管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開(kāi)關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開(kāi)關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩壓二極管。

            第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、一個(gè)字母加二位數字-表示專(zhuān)用半導體器件的登記序號。
            第四部分：用字母對同一類(lèi)型號器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數進(jìn)行分檔的標志。
            除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還加后綴，以區別特性或進(jìn)一步分類(lèi)。常見(jiàn)后綴如下：
            1、穩壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數字，表示標稱(chēng)穩定電壓的整數數值；后綴的第三部分是字母V，代表小數點(diǎn)，字母V之后的數字為穩壓管標稱(chēng)穩定電壓的小數值。

            2、整流二極管后綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
            3、晶閘管型號的后綴也是數字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數值較小的那個(gè)電壓值。
            如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。

            五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法
                    歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。
            第一部分：O-表示半導體器件
            第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩壓管、RP-光電器件。
            第三部分：多位數字-表示器件的登記序號。
            第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。
            俄羅斯半導體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。

（一）普通二極管的檢測
            （包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開(kāi)關(guān)二極管、續流二極管）是由一個(gè)PN結構成的半導體器件，具有單向導電特性。通過(guò)用萬(wàn)用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞。

            　　1．極性的判別  
            將萬(wàn)用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，測出一個(gè)結果后，對調兩表筆，再測出一個(gè)結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較�。�為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。

            　　2．單負導電性能的檢測及好壞的判斷  通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5
            kΩ左右，反向電阻值為∞（無(wú)窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說(shuō)明二極管的單向導電特性越好。
            　　若測得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說(shuō)明該二極管內部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該二極管已開(kāi)路損壞。

            　　3．反向擊穿電壓的檢測  
            二極管反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數測試表測量。其方法是：測量二極管時(shí)，應將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設置為NPN狀態(tài)，再將被測二極管的正極接測試表的“C”插孔內，負極插入測試表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”鍵，測試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值。

            　　也可用兆歐表和萬(wàn)用表來(lái)測量二極管的反向擊穿電壓、測量時(shí)被測二極管的負極與兆歐表的正極相接，將二極管的正極與兆歐表的負極相連，同時(shí)用萬(wàn)用表（置于合適的直流電壓檔）監測二極管兩端的電壓。如圖4-71所示，搖動(dòng)兆歐表手柄（應由慢逐漸加快），待二極管兩端電壓穩定而不再上升時(shí)，此電壓值即是二極管的反向擊穿電壓。


            　�。ǘ�）穩壓二極管的檢測
                 1．正、負電極的判別  
            從外形上看，金屬封裝穩壓二極管管體的正極一端為平面形，負極一端為半圓面形。塑封穩壓二極管管體上印有彩色標記的一端為負極，另一端為正極。對標志不清楚的穩壓二極管，也可以用萬(wàn)用表判別其極性，測量的方法與普通二極管相同，即用萬(wàn)用表R×1k檔，將兩表筆分別接穩壓二極管的兩個(gè)電極，測出一個(gè)結果后，再對調兩表筆進(jìn)行測量。在兩次測量結果中，阻值較小那一次，黑表筆接的是穩壓二極管的正極，紅表筆接的是穩壓二極管的負極。

            　　若測得穩壓二極管的正、反向電阻均很小或均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該二極管已擊穿或開(kāi)路損壞。
            　　2．穩壓值的測量  
            用0~30V連續可調直流電源，對于13V以下的穩壓二極管，可將穩壓電源的輸出電壓調至15V，將電源正極串接1只1.5kΩ限流電阻后與被測穩壓二極管的負極相連接，電源負極與穩壓二極管的正極相接，再用萬(wàn)用表測量穩壓二極管兩端的電壓值，所測的讀數即為穩壓二極管的穩壓值。若穩壓二極管的穩壓值高于15V，則應將穩壓電源調至20V以上。

            　　也可用低于1000V的兆歐表為穩壓二極管提供測試電源。其方法是：將兆歐表正端與穩壓二極管的負極相接，兆歐表的負端與穩壓二極管的正極相接后，按規定勻速搖動(dòng)兆歐表手柄，同時(shí)用萬(wàn)用表監測穩壓二極管兩端電壓值（萬(wàn)用表的電壓檔應視穩定電壓值的大小而定），待萬(wàn)用表的指示電壓指示穩定時(shí)，此電壓值便是穩壓二極管的穩定電壓值。

            　　若測量穩壓二極管的穩定電壓值忽高忽低，則說(shuō)明該二極管的性不穩定。
            　　圖4-72是穩壓二極管穩壓值的測量方法。

            　�。ㄈ�）雙向觸發(fā)二極管的檢測
            　　1．正、反向電阻值的測量
            用萬(wàn)用表R×1k或R×10k檔，測量雙向觸發(fā)二極管正、反向電阻值。正常時(shí)其正、反向電阻值均應為無(wú)窮大。若測得正、反向電阻值均很小或為0，則說(shuō)明該二極管已擊穿損壞。

            　　2．測量轉折電壓  測量雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓有三種方法。
            　　第一種方法是：將兆歐表的正極（E）和負極（L）分別接雙向觸發(fā)二極管的兩端，用兆歐表提供擊穿電壓，同時(shí)用萬(wàn)用表的直流電壓檔測量出電壓值，將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調后再測量一次。比較一下兩次測量的電壓值的偏差（一般為3~6V）。此偏差值越小，說(shuō)明此二極管的性能越好。

            　　第二種方法是：先用萬(wàn)用表測出市電電壓U，然后將被測雙向觸發(fā)二極管串入萬(wàn)用表的交流電壓測量回路后，接入市電電壓，讀出電壓值U1，再將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調連接后并讀出電壓值U2。

            　　若U1與U2的電壓值相同，但與U的電壓值不同，則說(shuō)明該雙向觸發(fā)二極管的導通性能對稱(chēng)性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時(shí)，則說(shuō)明該雙向觸發(fā)二極管的導通性不對稱(chēng)。若U1、U2電壓值均與市電U相同時(shí)，則說(shuō)明該雙向觸發(fā)二極管內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0V，則說(shuō)明該雙向觸發(fā)二極管內部已開(kāi)路損壞。

            　　第三種方法是：用0~50V連續可調直流電源，將電源的正極串接1只20kΩ電阻器后與雙向觸發(fā)二極管的一端相接，將電源的負極串接萬(wàn)用表電流檔（將其置于1mA檔）后與雙向觸發(fā)二極管的另一端相接。逐漸增加電源電壓，當電流表指針有較明顯擺動(dòng)時(shí)（幾十微安以上），則說(shuō)明此雙向觸發(fā)二極管已導通，此時(shí)電源的電壓值即是雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓。

            　　圖4-73是雙向觸發(fā)二極管轉折電壓的檢測方法。

            　�。ㄋ模┌l(fā)光二極管的檢測
            　　1．正、負極的判別  將發(fā)光二極管放在一個(gè)光源下，觀(guān)察兩個(gè)金屬片的大小，通常金屬片大的一端為負極，金屬片小的一端為正極。
            　　2．性能好壞的判斷
            　　用萬(wàn)用表R×10k檔，測量發(fā)光二極管的正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值（黑表筆接正極時(shí)）約為10~20kΩ，反向電阻值為250kΩ~∞（無(wú)窮大）。較高靈敏度的發(fā)光二極管，在測量正向電阻值時(shí)，管內會(huì )發(fā)微光。若用萬(wàn)用表R×1k檔測量發(fā)光二極管的正、反向電阻值，則會(huì )發(fā)現其正、反向電阻值均接近∞（無(wú)窮大），這是因為發(fā)光二極管的正向壓降大于1.6V（高于萬(wàn)用表R×1k檔內電池的電壓值1.5V）的緣故。

            　　用萬(wàn)用表的R×10k檔對一只220μF/25V電解電容器充電（黑表筆接電容器正極，紅表筆接電容器負極），再將充電后的電容器正極接發(fā)光二極管正極、電容器負極接發(fā)光二極管負極，若發(fā)光二極管有很亮的閃光，則說(shuō)明該發(fā)光二極管完好。

            　　也可用3V直流電源，在電源的正極串接1只33Ω電阻后接發(fā)光二極管的正極，將電源的負極接發(fā)光二極管的負極（見(jiàn)圖4-74），正常的發(fā)光二極管應發(fā)光�；驅�1節1.5V電池串接在萬(wàn)用表的黑表筆（將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔，黑表筆接電池負極，等于與表內的1.5V電池串聯(lián)），將電池的正極接發(fā)光二極管的正極，紅表筆接發(fā)光二極管的負極，正常的發(fā)光二極管應發(fā)光。

（五）紅外發(fā)光二極管的檢測
            　　1．正、負極性的判別  
            紅外發(fā)光二極管多采用透明樹(shù)脂封裝，管心下部有一個(gè)淺盤(pán)，管內電極寬大的為負極，而電極窄小的為正極。也可從管身形狀和引腳的長(cháng)短來(lái)判斷。通常，靠近管身側向小平面的電極為負極，另一端引腳為正極。長(cháng)引腳為正極，短引腳為負極。

            　　2．性能好壞的測量  
            用萬(wàn)用表R×10k檔測量紅外發(fā)光管有正、反向電阻。正常時(shí)，正向電阻值約為15~40kΩ（此值越小越好）；反向電阻大于500kΩ（用R×10k檔測量，反向電阻大于200
            kΩ）。若測得正、反向電阻值均接近零，則說(shuō)明該紅外發(fā)光二極管內部已擊穿損壞。若測得正、反向電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該二極管已開(kāi)路損壞。若測得的反向電阻值遠遠小于500kΩ，則說(shuō)明該二極管已漏電損壞。

            　�。�六）紅外光敏二極管的檢測
            　　將萬(wàn)用表置于R×1k檔，測量紅外光敏二極管的正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值（黑表筆所接引腳為正極）為3~10
            kΩ左右，反向電阻值為500 kΩ以上。若測得其正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大，則說(shuō)明該光敏二極管已擊穿或開(kāi)路損壞。
            　　在測量紅外光敏二極管反向電阻值的同時(shí)，用電視機遙控器對著(zhù)被測紅外光敏二極管的接收窗口（見(jiàn)圖4-75）。正常的紅外光敏二極管，在按動(dòng)遙控器上按鍵時(shí)，其反向電阻值會(huì )由500
            kΩ以上減小至50~100 kΩ之間。阻值下降越多，說(shuō)明紅外光敏二極管的靈敏度越高。

            　�。ㄆ撸┢渌�光敏二極管的檢測
            　　1．電阻測量法  
            用黑紙或黑布遮住光敏二極管的光信號接收窗口，然后用萬(wàn)用表R×1k檔測量光敏二極管的正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值在10~20kΩ之間，反向電阻值為∞（無(wú)窮大）。若測得正、反向電阻值均很小或均為無(wú)窮大，則是該光敏二極管漏電或開(kāi)路損壞。

            　　再去掉黑紙或黑布，使光敏二極管的光信號接收窗口對準光源，然后觀(guān)察其正、反向電阻值的變化。正常時(shí)，正、反向電阻值均應變小，阻值變化越大，說(shuō)明該光敏二極管的靈敏度越高。

            　　2．電壓測量法  
            將萬(wàn)用表置于1V直流電壓檔，黑表筆接光敏二極管的負極，紅表筆接光敏二極管的正極、將光敏二極管的光信號接收窗口對準光源。正常時(shí)應有0.2~0.4V電壓（其電壓與光照強度成正比）。

            　　3．電流測量法  
            將萬(wàn)用表置于50μA或500μA電流檔，紅表筆接正極，黑表筆接負極，正常的光敏二極管在白熾燈光下，隨著(zhù)光照強度的增加，其電流從幾微安增大至幾百微安。

            　�。ò耍┘す舛�極管的檢測
            　　1．阻值測量法  
            拆下激光二極管，用萬(wàn)用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無(wú)窮大）。若測得正向電阻值已超過(guò)50kΩ，則說(shuō)明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ，則說(shuō)明該二極管已嚴重老化，不能再使用了。

            　　2．電流測量法  
            用萬(wàn)用表測量激光二極管驅動(dòng)電路中負載電阻兩端的電壓降，再根據歐姆定律估算出流過(guò)該管的電流值，當電流超過(guò)100mA時(shí)，若調節激光功率電位器（見(jiàn)圖4-76），而電流無(wú)明顯的變化，則可判斷激光二極管?chē)乐乩匣�。若電流劇增而失控，則說(shuō)明激光二極管的光學(xué)諧振腔已損壞。


            　�。ň牛┳內荻�極管的檢測
            　　1．正、負極的判別  
            有的變容二極管的一端涂有黑色標記，這一端即是負極，而另一端為正極。還有的變容二極管的管殼兩端分別涂有黃色環(huán)和紅色環(huán)，紅色環(huán)的一端為正極，黃色環(huán)的一端為負極。

            　　也可以用數字萬(wàn)用表的二極管檔，通過(guò)測量變容二極管的正、反向電壓降來(lái)判斷出其正、負極性。正常的變容二極管，在測量其正向電壓降時(shí)，表的讀數為0.58~0.65V；測量其反向電壓降時(shí)，表的讀數顯示為溢出符號“1”。在測量正向電壓降時(shí)，紅表筆接的是變容二極管的正極，黑表筆接的是變容二極管的負極。

            　　2．性能好壞的判斷  
            用指針式萬(wàn)用表的R×10k檔測量變容二極管的正、反向電阻值。正常的變容二極管，其正、反向電阻值均為∞（無(wú)窮大）。若被測變容二極管的正、反向電阻值均有一定阻值或均為0，則是該二極管漏電或擊穿損壞。

            　�。ㄊ�）雙基極二極管的檢測
            　　1．電極的判別
            將萬(wàn)用表置于R×1k檔，用兩表筆測量雙基極二極管三個(gè)電極中任意兩個(gè)電極間的正反向電阻值，會(huì )測出有兩個(gè)電極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ，這兩個(gè)電極即是基極B1和基極B2，另一個(gè)電極即是發(fā)射極E。再將黑表筆接發(fā)射極E，用紅表筆依次去接觸另外兩個(gè)電極，一般會(huì )測出兩個(gè)不同的電阻值。有阻值較小的一次測量中，紅表筆接的是基極B2，另一個(gè)電極即是基極B1。

            　　2．性能好壞的判斷  
            雙基極二極管性能的好壞可以通過(guò)測量其各極間的電阻值是否正常來(lái)判斷。用萬(wàn)用表R×1k檔，將黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆依次接兩個(gè)基極（B1和B2），正常時(shí)均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E，黑表筆依次接兩個(gè)基極，正常時(shí)阻值為無(wú)窮大。

            　　雙基極二極管兩個(gè)基極（B1和B2）之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ范圍內，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時(shí)，則說(shuō)明該二極管已損壞。

            　�。ㄊ�一）橋堆的檢測
            　　1．全橋的檢測  
            大多數的整流全橋上，均標注有“+”、“-”、“~”符號（其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“-”為輸出電壓的負極，“~”為交流電壓輸入端），很容易確定出各電極。

            　　檢測時(shí)，可通過(guò)分別測量“+”極與兩個(gè)“~”極、“-”極與兩個(gè)“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值（與普通二極管的測量方法相同）是否正常，即可判斷該全橋是否已損壞。若測得全橋內鞭只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開(kāi)路損壞。

            　　2．半橋的檢測  
            半橋是由兩只整流二極管組成，通過(guò)用萬(wàn)用表分別測量半橋內部的兩只二極管的正、反電阻值是否正常，即可判斷出該半橋是否正常。
            　�。ㄊ�二）高壓硅堆的檢測
            　　高壓硅堆內部是由多只高壓整流二極管（硅粒）串聯(lián)組成，檢測時(shí)，可用萬(wàn)用表的R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆，其正向電阻值大于200kΩ，反向電阻值為無(wú)窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值，則說(shuō)明該高壓硅堆已軟擊穿損壞。

            　�。ㄊ�三）變阻二極管的檢測
            　　用萬(wàn)用表R×10k檔測量變阻二極管的正、反向電阻值，正常的高頻變阻二極管的正向電阻值（黑表筆接正極時(shí)）為4.5~6kΩ，反向電阻值為無(wú)窮大。若測得其正、反向電阻值均很小或均為無(wú)窮大，則說(shuō)明被測變阻二極管已損壞。

            　�。ㄊ�四）肖特基二極管的檢測
            　　二端型肖特基二極管可以用萬(wàn)用表R×1檔測量。正常時(shí)，其正向電阻值（黑表筆接正極）為2.5~3.5Ω，投向電阻值為無(wú)窮大。若測得正、反電阻值均為無(wú)窮大或均接近0，則說(shuō)明該二極管已開(kāi)路或擊穿損壞。

            　　三端型肖特基二極管應先測出其公共端，判別出共陰對管，還是共陽(yáng)對管，然后再分別測量?jì)蓚�(gè)二極管的正、反向電阻值。

CCD簡(jiǎn)介：




CCD是60年代末期由貝爾試驗室發(fā)明,它的中文名字叫電荷耦合器，是一種特殊的半導體材料,它是由大量獨立的光敏元件組成，這些光敏元件通常是按矩陣排列的。開(kāi)始作為一種新型的PC存儲電路，很快CCD具有許多其他潛在的應用，包括信號和圖像（硅的光敏性）處理。大部分數碼相機使用的感光元件是CCD（Chagre Couled Device）。

CCD成像原理：




簡(jiǎn)單的說(shuō)，光線(xiàn)透過(guò)鏡頭照射到CCD上，并被轉換成電荷，每個(gè)元件上的電荷量取決于它所受到的光照強度。當你按動(dòng)快門(mén)，CCD將各個(gè)元件的信息傳送到模/數轉換器上，模擬電信號經(jīng)過(guò)模/數轉換器處理后變成數字信號，數字信號以一定格式壓縮后存入緩存內，此時(shí)一張數碼照片誕生了。然后圖像數據根據不同的需要以數字信號和視頻信號的方式輸出。




比較專(zhuān)業(yè)的說(shuō)法是CCD成像是根據物體的光電效應，當光照射在某種光電導材料的PN結上時(shí)，若光能大于禁帶寬度，價(jià)帶中的電子遷到導帶產(chǎn)生電子-空穴對，電子-空穴對在PN結內部電場(chǎng)的作用下，電子向N側遷移，而空穴則向P側遷移。而且光強越大，光電導材料內激發(fā)的光電子數目就越多。




CCD成像過(guò)程可分為下列四步：




(1)產(chǎn)生電子




CCD器件內有許多線(xiàn)形排列的微小MOS（Metal Oxide Silicon：金屬氧化硅）光電導元件。物體通過(guò)CCD相機時(shí)，眾多的MOS光電導元件產(chǎn)生光電效應，將物體的反射光線(xiàn)按亮度強弱轉變成相應數目的電子。光的強度越大，MOS元件上產(chǎn)生的電子數目就越多。




(2)積累電子




當光信號變成電子數量信號后，線(xiàn)形排列在CCD器件內的每一個(gè)MOS光電導元件（象素），開(kāi)始收集移動(dòng)到MOS金屬電極（門(mén)極）上的電子數量。同樣，光強越大，門(mén)極上堆積的電子數目越多。




(3)傳送電荷




在某一個(gè)時(shí)鐘周期內，CCD器件將門(mén)極上收集到的電子量送到一個(gè)讀出寄存器，在該寄存器里，CCD器件根據每一個(gè)門(mén)極（象素）對應的節點(diǎn)位置將電子數量轉換為mV級電壓信號。




(4)放大、編碼、成像




經(jīng)過(guò)轉換后的mV級電壓信號經(jīng)過(guò)放大電路放大后變?yōu)閷�應�?~10V電壓信號。（而每個(gè)彩色攝像機則有三組CCD器件，通過(guò)三條通道輸出代表三基色的0~10V模擬信號。然后，將這些信號經(jīng)過(guò)A/D轉換后（對于彩色攝像機而言，A/D轉換位為8位：即0~255表示該攝像機能識別1678萬(wàn)種顏色；A/D轉換位為12位：即0~4095表示該攝像機能識別約679億種顏色）送到計算機中進(jìn)行編碼成像處理。）

CCD分類(lèi)：




目前主要有兩種類(lèi)型的CCD光敏元件，分別是線(xiàn)性CCD和矩陣性CCD。




線(xiàn)性CCD用于高分辨率的靜態(tài)照相機，它每次只拍攝圖象的一條線(xiàn)，這與平板掃描儀掃描照片的方法相同。這種CCD精度高，速度慢，無(wú)法用來(lái)拍攝移動(dòng)的物體，也無(wú)法使用閃光燈。因此在很多場(chǎng)合不適用，不在今天我們討論的范圍里。




另一種是矩陣式CCD，它的每一個(gè)光敏元件代表圖象中的一個(gè)像素，當快門(mén)打開(kāi)時(shí)，整個(gè)圖象一次同時(shí)曝光。通常矩陣式CCD用來(lái)處理色彩的方法有兩種。一種是將彩色濾鏡嵌在CCD矩陣中，相近的像素使用不同顏色的濾鏡。典型的有G-R-G-B和C-Y-G-M兩種排列方式。這兩種排列方式成像的原理都是一樣的。在記錄照片的過(guò)程中，相機內部的微處理器從每個(gè)像素獲得信號，將相鄰的四個(gè)點(diǎn)合成為一個(gè)像素點(diǎn)。該方法允許瞬間曝光，微處理器能運算地非�？�。這就是大多數數碼相機CCD的成像原理。因為不是同點(diǎn)合成，其中包含著(zhù)數學(xué)計算，因此這種CCD最大的缺陷是所產(chǎn)生的圖象總是無(wú)法達到如刀刻般的銳利。另一種處理方法是使用三棱鏡，他將從鏡頭射入的光分成三束，每束光都由不同的內置光柵來(lái)過(guò)濾出某一種三原色，然后使用三塊CCD分別感光。這些圖象再合成出一個(gè)高分辨率、色彩精確的圖象。如300萬(wàn)像素的相機就是由三塊300萬(wàn)像素的CCD來(lái)感光。也就是可以做到同點(diǎn)合成，因此拍攝的照片清晰度相當高。該方法的主要困難在于其中包含的數據太多。在你照下一張照片前，必須將存儲在相機的緩沖區內的數據清除并存盤(pán)。因此這類(lèi)相機對其他部件的要求非常高，其價(jià)格自然也非常昂貴。




除了主要兩種CCD外，還有以下三種CCD,因不是現在家用數碼相機所選用的主流CCD，僅作簡(jiǎn)單介紹。




三線(xiàn)傳感器CCD：在三線(xiàn)傳感器中，三排并行的像素分別覆蓋RGB濾鏡，當捕捉彩色圖片時(shí)，完整的彩色圖片由多排的像素來(lái)組合成。三線(xiàn)CCD傳感器多用于高端數碼相機，以產(chǎn)生高的分辨率和光譜色階。
    交織傳輸CCD：這種傳感器利用單獨的陣列攝取圖像和電量轉化，允許在拍攝下一圖像時(shí)在讀取當前圖像。交織傳輸CCDǔＳ糜詰投聳?胂嗷?⑸閬窕?團納愣??墓悴ヅ納慊??br>    全幅面CCD：此種CCD具有更多電量處理能力，更好動(dòng)態(tài)范圍，低噪音和傳輸光學(xué)分辨率，全幅面CCD允許即時(shí)拍攝全彩圖片。全幅面CCD由并行浮點(diǎn)寄存器、串行浮點(diǎn)寄存器和信號輸出放大器組成。全幅面CCD曝光是由機械快門(mén)或閘門(mén)控制去保存圖像，并行寄存器用于測光和讀取測光值。圖像投攝到作投影幕的并行陣列上。此元件接收圖像信息并把它分成離散的由數目決定量化的元素。這些信息流就會(huì )由并行寄存器流向串行寄存器。此過(guò)程反復執行，直到所有的信息傳輸完畢。接著(zhù)，系統進(jìn)行精確的圖像重組。


CCD尺寸于照片質(zhì)量的關(guān)系：




說(shuō)到CCD的尺寸，其實(shí)是說(shuō)感光器件的面積大�。ㄟ@里就包括了CCD和CMOS）。感光器件的面積大小，CCD/CMOS面積越大，捕獲的光子越多，感光性能越好，信噪比越低。CCD/CMOS是數碼相機用來(lái)感光成像的部件，相當于光學(xué)傳統相機中的膠卷。

CCD的物理結構：




如果分解CCD，你會(huì )發(fā)現CCD的結構為三層，第一層是“微型鏡頭”，第二層是“分色濾色片”以及第三層“感光層”。




    第一層“微型鏡頭”：我們知道，數碼相機成像的關(guān)鍵是在于其感光層，為了擴展CCD的采光率，必須擴展單一像素的受光面積。但是提高采光率的辦法也容易使畫(huà)質(zhì)下降。這一層“微型鏡頭”就等于在感光層前面加上一副眼鏡。因此感光面積不再因為傳感器的開(kāi)口面積而決定，而改由微型鏡片的表面積來(lái)決定。




    第二層是“分色濾色片”：CCD的第二層是“分色濾色片”，目前有兩種分色方式，一是RGB原色分色法，另一個(gè)則是CMYK補色分色法這兩種方法各有優(yōu)缺點(diǎn)。首先，我們先了解一下兩種分色法的概念，RGB即三原色分色法，幾乎所有人類(lèi)眼鏡可以識別的顏色，都可以通過(guò)紅、綠和藍來(lái)組成，而RGB三個(gè)字母分別就是Red, Green和Blue，這說(shuō)明RGB分色法是通過(guò)這三個(gè)通道的顏色調節而成。再說(shuō)CMYK，這是由四個(gè)通道的顏色配合而成，他們分別是青（C）、洋紅(M)、黃(Y)、黑(K)。在印刷業(yè)中，CMYK更為適用，但其調節出來(lái)的顏色不及RGB的多。原色CCD的優(yōu)勢在于畫(huà)質(zhì)銳利，色彩真實(shí)，但缺點(diǎn)則是噪聲問(wèn)題。因此，大家可以注意，一般采用原色CCD的數碼相機，在ISO感光度上多半不會(huì )超過(guò)400。相對的，補色CCD多了一個(gè)Y黃色濾色器，在色彩的分辨上比較仔細，但卻犧牲了部分影像的分辨率，而在ISO值上，補色CCD可以容忍較高的感光度，一般都可設定在800以上




    第三層：感光層CCD的第三層是“感光片”，這層主要是負責將穿過(guò)濾色層的光源轉換成電子信號，并將信號傳送到影像處理芯片，將影像還原。







數碼相機曝光的整個(gè)流程：   
    1．機械快門(mén)打開(kāi)，CCD曝光
    2．在CCD內部光信號轉為電信號
    3．快門(mén)關(guān)閉，阻塞光線(xiàn)。
    4．電量傳送到CCD輸出口轉化為信號。
    5．信號被數字化，數字資料輸入內存。
    6．圖像資料被進(jìn)行處理，顯示在LCD或電腦上。

面陣數碼相機如何解決彩色圖像的曝光？    1．三塊CCD同時(shí)曝光的方法
    第一種方法是采取了三塊CCD芯片同時(shí)曝光的方法，它可以在一次曝光拍攝的同時(shí)，捕捉到所有的彩色信息。當光線(xiàn)通過(guò)鏡頭射向CCD表面的時(shí)候，由一個(gè)特制的棱鏡式分光鏡，將影像的成像光速成分射到三個(gè)不同的CCD平面。每一個(gè)CCD只記錄紅綠藍色光中一種色光的彩色信息，并且只再現一種色彩，然后通過(guò)軟件的對準處理，合成為一幅完整的全彩色畫(huà)面。




由于人類(lèi)的眼睛對于光譜綠色波段的光色最為敏感，有些數碼相機在安排濾色片的時(shí)候使用兩排綠濾色片來(lái)記錄綠光信息，而使用第三排紅色和藍色的馬賽克濾色片來(lái)分別記錄紅光和藍光的信息。由于紅色和藍色信息存在間隙，這里需要由計算機采取的插值計算方法來(lái)增加附加它的彩色信息。
   
    2、單一芯片三次曝光的拍攝方式
    面陣排列數碼相機捕捉彩色信息的第二種方法是“單一芯片三次曝光的拍攝方式”。采取這樣的方法時(shí)，數碼相機鏡頭的前方需要安裝一個(gè)濾色片轉輪，拍照時(shí)必須通過(guò)轉輪中的紅綠藍三塊濾色片，分別做三次單獨的曝光，分別記錄下紅綠藍光的彩色信息。最后照相機的軟件將三次曝光的影像信息結合在一起，構成為全彩色的影像。
    使用這樣的方法時(shí)，由于是用三次曝光來(lái)記錄彩色信息，顯然，攝影者使用這樣一臺面陣的數碼相機，就只能局限于拍攝靜態(tài)物體。此外，由于三次拍攝條件可能出現的差異，很可能產(chǎn)生數碼相機的軟件不能適當重新組合影像的問(wèn)題。特別是曝光過(guò)程中，光源發(fā)生的波動(dòng)也都會(huì )改變影像的彩色平衡。三次曝光的數碼相機可以用來(lái)拍攝動(dòng)態(tài)的單色影像（包括黑白照片），這是因為在濾色片轉輪上，除了三塊紅綠藍濾色之外，還有一塊透明的濾色片，它是用來(lái)黑白影像做單次曝光拍攝時(shí)使用的。由于只需要一次曝光，因而它可以拍攝動(dòng)態(tài)物體。
   
    3、單芯片一次曝光的拍攝方式
    第三種方式是“單芯片一次曝光的拍攝方式”，也是現在主流數碼相機CCD的曝光方式。在這一方式中，每一單個(gè)的像素都以?xún)煞N方式覆蓋著(zhù)不同的紅，綠，藍色濾色片，一種是條紋覆蓋法，另一種是馬賽馬克圖案交錯覆蓋法。有些芯片上的綠濾色片多于紅色和藍色濾色片，這是因為需要去適應人眼視覺(jué)在可見(jiàn)光譜中對綠色更為敏感的特點(diǎn)。這樣，較多地使用綠色濾色片可以改善影像的分辨率。
    每一個(gè)感光的像素只能捕獲一種彩色，它需要從相鄰的像素那里獲得更多的彩色信息，這是采取插值的計算方法實(shí)現的。如果不正確的彩色信息被賦值于像素之中，那么插值的效果也會(huì )出現問(wèn)題，這通常在高反差影像的邊緣部分表現得最為明顯，比如黑色的文字，常常會(huì )出現彩色的鑲邊。這些就是我們說(shuō)得“紫邊”問(wèn)題。
     




說(shuō)到這里基本上本文是可以結束了，但是我忽然發(fā)覺(jué)很多人特別是準備購機的人比較關(guān)注CCD的隔行掃描和逐行掃描的問(wèn)題。那就不妨多說(shuō)兩句。







CCD逐行掃描與隔行掃描的區別




隔行、逐行只是數據處理方式的不同，隔行技術(shù)源于早期電視技術(shù)，是先提取奇數行的數據形成圖像輪廓，再用偶數行數據補充，因那時(shí)的技術(shù)限制，數據處理速度跟不上，就采取隔行方式，用于連續圖像，可以先把畫(huà)面輪廓送到觀(guān)眾面前。由于不是連續掃描，若成像過(guò)程中被攝體移動(dòng)，就會(huì )出現錯位。如果數據采集速度慢，逐行掃描的CCD拍攝動(dòng)體也會(huì )出現扭曲，反之，如果數據采集速度足夠快，隔行掃描也沒(méi)有什么問(wèn)題，這一點(diǎn)可以從使用隔行掃描CCD的索尼 DSC-S70優(yōu)良的成像得到證實(shí)，所以，盡管從技術(shù)層面來(lái)講逐行掃描CCD是好一些，但從日本的相關(guān)資料了解到，由于同樣大小CCD像素的不斷增加，CCD中傳送信號的通路無(wú)法適應逐行掃描得到的一次性的大量的數據，會(huì )造成圖象處理速度的下降。因此在高像素的數碼相機中隔行掃描的技術(shù)的應用越來(lái)越多。至于隔行掃描會(huì )造成的錯位問(wèn)題，已經(jīng)得到了解決，解決的辦法是利用機械快門(mén)的運動(dòng)�？紤]到其它因素對成像的影響遠大于此，故個(gè)人用戶(hù)購買(mǎi)數碼相機時(shí)完全可以不予重視CCD是隔行掃描還是逐行掃描。

電感在電路中常用“L”加數字表示，如：L6表示編號為6的電感。電感線(xiàn)圈是將絕緣的導線(xiàn)在絕緣的骨架上繞一定的圈數制成。直流可通過(guò)線(xiàn)圈，直流電阻就是導線(xiàn)本身的電阻，壓降很��；當交流信號通過(guò)線(xiàn)圈時(shí)，線(xiàn)圈兩端將會(huì )產(chǎn)生自感電動(dòng)勢，自感電動(dòng)勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過(guò)，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線(xiàn)圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。

                           
                        電感一般有直標法和色標法，色標法與電阻類(lèi)似。如：棕、黑、金、金表示1uH（誤差5%）的電感。電感的基本單位為：亨（H）
                        換算單位有：1H=103mH=106uH。

現在的電子產(chǎn)品往往由于一塊集成電路損壞，導致一部分或幾個(gè)部分不能正常工作，影響設備的正常使用。那么如何檢測集成電路的好壞呢?通常一臺設備里面有許多個(gè)集成電路，當拿到一部有故障的集成電路的設備時(shí)，首先要根據故障現象，判斷出故障的大體部位，然后通過(guò)測量，把故障的可能部位逐步縮小，最后找到故障所在。
                        要找到故障所在必須通過(guò)檢測，通常修理人員都采用測引腳電壓方法來(lái)判斷，但這只能判斷出故障的大致部位，而且有的引腳反應不靈敏，甚至有的沒(méi)有什么反應。就是在電壓偏離的情況下，也包含外圍元件損壞的因素，還必須將集成塊內部故障與外圍故障嚴格區別開(kāi)來(lái)，因此單靠某一種方法對集成電路是很難檢測的，必須依賴(lài)綜合的檢測手段。

                        現以萬(wàn)用表檢測為例，介紹其具體方法。
                        我們知道，集成塊使用時(shí)，總有一個(gè)引腳與印制電路板上的“地”線(xiàn)是焊通的，在電路中稱(chēng)之為接地腳。由于集成電路內部都采用直接耦合，因此，集成塊的其它引腳與接地腳之間都存在著(zhù)確定的直流電阻，這種確定的直流電阻稱(chēng)為該腳內部等效直流電阻，簡(jiǎn)稱(chēng)R內。當我們拿到一塊新的集成塊時(shí)，可通過(guò)用萬(wàn)用表測量各引腳的內部等效直流電阻來(lái)判斷其好壞，若各引腳的內部等效電阻R內與標準值相符，說(shuō)明這塊集成塊是好的，反之若與標準值相差過(guò)大，說(shuō)明集成塊內部損壞。

                        
                        測量時(shí)有一點(diǎn)必須注意，由于集成塊內部有大量的三極管，二極管等非線(xiàn)性元件，在測量中單測得一個(gè)阻值還不能判斷其好壞，必須互換表筆再測一次，獲得正反向兩個(gè)阻值。只有當R內正反向阻值都符合標準，才能斷定該集成塊完好。
                        在實(shí)際修理中，通常采用在路測量。先測量其引腳電壓，如果電壓異常，可斷開(kāi)引腳連線(xiàn)測接線(xiàn)端電壓，以判斷電壓變化是外圍元件引起，還是集成塊內部引起。也可以采用測外部電路到地之間的直流等效電阻(稱(chēng)R外)來(lái)判斷，通常在電路中測得的集成塊某引腳與接地腳之間的直流電阻(在路電阻)，實(shí)際是R內與R外并聯(lián)的總直流等效電阻。在修理中常將在路電壓與在路電阻的測量方法結合使用。有時(shí)在路電壓和在路電阻偏離標準值，并不一定是集成塊損壞，而是有關(guān)外圍元件損壞，使R外不正常，從而造成在路電壓和在路電阻的異常。這時(shí)便只能測量集成塊內部直流等效電阻，才能判定集成塊是否損壞。
                        
                        根據實(shí)際檢修經(jīng)驗，在路檢測集成電路內部直流等效電阻時(shí)可不必把集成塊從電路上焊下來(lái)，只需將電壓或在路電阻異常的腳與電路斷開(kāi)，同時(shí)將接地腳也與電路板斷開(kāi)，其它腳維持原狀，測量出測試腳與接地腳之間的R內正反向電阻值便可判斷其好壞。
                        例如，電視機內集成塊TA7609P?腳在路電壓或電阻異常，可切斷?腳和⑤腳(接地腳)然后用萬(wàn)用表內電阻擋測?腳與⑤腳之間電阻，測得一個(gè)數值后，互換表筆再測一次。若集成塊正常應測得紅表筆接地時(shí)為8.2kΩ
                        ，黑表筆接地時(shí)為272kΩ的R內直流等效電阻，否則集成塊已損壞。
                        在測量中多數引腳，萬(wàn)用表用R×1k擋，當個(gè)別引腳R內很大時(shí)，換用R×10k擋，這是因為R×1k擋其表內電池電壓只有1.5V，當集成塊內部晶體管串聯(lián)較多時(shí)，電表內電壓太低，不能供集成塊內晶體管進(jìn)入正常工作狀態(tài)，數值無(wú)法顯現或不準確。
                        總之，在檢測時(shí)要認真分析，靈活運用各種方法，摸索規律，做到快速、準確找出故障。

名稱(chēng)：聚酯（滌綸）電容（CL）
                              符號：
                              電容量：40p--4u
                              額定電壓：63--630V
                              主要特點(diǎn)：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩定性差
                              應用：對穩定性和損耗要求不高的低頻電路
                              名稱(chēng)：聚苯乙烯電容（CB）
                              符號：
                              電容量：10p--1u
                              額定電壓：100V--30KV
                              主要特點(diǎn)：穩定，低損耗，體積較大
                              應用：對穩定性和損耗要求較高的電路
                              名稱(chēng)：聚丙烯電容（CBB）
                              符號：
                              電容量：1000p--10u
                              額定電壓：63--2000V
                              主要特點(diǎn)：性能與聚苯相似但體積小，穩定性略差
                              應用：代替大部分聚苯或云母電容，用于要求較高的電路
                              名稱(chēng)：云母電容（CY）
                              符號：
                              電容量：10p--0。1u
                              額定電壓：100V--7kV
                              主要特點(diǎn)：高穩定性，高可靠性，溫度系數小
                              應用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路
                              名稱(chēng)：高頻瓷介電容（CC）
                              符號：
                              電容量：1--6800p
                              額定電壓：63--500V
                              主要特點(diǎn)：高頻損耗小，穩定性好
                              應用：高頻電路
                              名稱(chēng)：低頻瓷介電容（CT）
                              符號：
                              電容量：10p--4。7u
                              額定電壓：50V--100V
                              主要特點(diǎn)：體積小，價(jià)廉，損耗大，穩定性差
                              應用：要求不高的低頻電路
                              名稱(chēng)：玻璃釉電容（CI）
                              符號：
                              電容量：10p--0。1u
                              額定電壓：63--400V
                              主要特點(diǎn)：穩定性較好，損耗小，耐高溫（200度）
                              應用：脈沖、耦合、旁路等電路
                              名稱(chēng)：鋁電解電容
                              符號：
                              電容量：0。47--10000u
                              額定電壓：6。3--450V
                              主要特點(diǎn)：體積小，容量大，損耗大，漏電大
                              應用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等
                              名稱(chēng)：但電解電容（CA）鈮電解電容（CN）
                              符號：
                              電容量：0。1--1000u
                              額定電壓：6。3--125V
                              主要特點(diǎn)：損耗、漏電小于鋁電解電容
                              應用：在要求高的電路中代替鋁電解電容
                              名稱(chēng)：空氣介質(zhì)可變電容器
                              符號：
                              可變電容量：100--1500p
                              主要特點(diǎn)：損耗小，效率高；可根據要求制成直線(xiàn)式、直線(xiàn)波長(cháng)式、直線(xiàn)頻率式及對數式等
                              應用：電子儀器，廣播電視設備等
                              名稱(chēng)：薄膜介質(zhì)可變電容器
                              符號：
                              可變電容量：15--550p
                              主要特點(diǎn)：體積小，重量輕；損耗比空氣介質(zhì)的大
                              應用：通訊，廣播接收機等
                              名稱(chēng)：薄膜介質(zhì)微調電容器
                              符號：
                              可變電容量：1--29p
                              主要特點(diǎn)：損耗較大，體積小
                              應用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償
                              名稱(chēng)：陶瓷介質(zhì)微調電容器
                              符號：
                              可變電容量：0。3--22p
                              主要特點(diǎn)：損耗較小，體積較小
                              應用：精密調諧的高頻振蕩回路
                              獨石電容最大的缺點(diǎn)是溫度系數很高,做振蕩器的穩漂讓人受不了,我們做的一個(gè)555振蕩器,電容剛好在7805旁邊,開(kāi)機后,用示波器看頻率,眼看著(zhù)就慢慢變化,后來(lái)?yè)Q成滌綸電容就好多了.

                              獨石電容的特點(diǎn)：
                              電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩定，耐高溫耐濕性好等。
                              應用范圍：
                              廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。
                              容量范圍：
                              0.5PF--1UF
                              耐壓：二倍額定電壓。
                              里面說(shuō)獨石又叫多層瓷介電容，分兩種類(lèi)型，1型
                              性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一種叫
                              II型，容量大，但性能一般。
                              就溫度而言:
                              獨石為正溫糸數+130左右,CBB為負溫系數-230,用適當比例并聯(lián)使用,可使溫漂降到很小.
                              就價(jià)格而言:
                              鉭,鈮電容最貴,獨石,CBB較便宜,瓷片最低,但有種高頻零溫漂黑點(diǎn)瓷片稍貴.云母電容Q值較高,也稍貴.

                              ① 鋁電解電容與鉭電解電容
                              鋁電解電容的容體比較大，串聯(lián)電阻較大，感抗較大，對溫度敏感。它適用于溫度變化不大、工作頻率不高（不高于25kHz）的場(chǎng)合，可用于低頻濾波。鋁電解電容具有極性，安裝時(shí)必須保證正確的極性，否則有爆炸的危險。

                              與鋁電解電容相比，鉭電解電容在串聯(lián)電阻、感抗、對溫度的穩定性等方面都有明顯的優(yōu)勢。但是，它的工作電壓較低。

                              ② 紙介電容和聚酯薄膜電容
                              其容體比較小，串聯(lián)電阻小，感抗值較大。它適用于電容量不大、工作頻率不高（如1MHz以下）的場(chǎng)合，可用于低頻濾波和旁路。使用管型紙介電容器或聚酯薄膜電容器時(shí)，可把其外殼與參考地相連，以使其外殼能起到屏蔽的作用而減少電場(chǎng)耦合的影響。

                              ③ 云母和陶瓷電容
                              其容體比很小，串聯(lián)電阻小，電感值小，頻率/容量特性穩定。它適用于電容量小、工作頻率高（頻率可達500MHz）的場(chǎng)合，用于高頻濾波、旁路、去耦。但這類(lèi)電容承受瞬態(tài)高壓脈沖能力較弱，因此不能將它隨便跨接在低阻電源線(xiàn)上，除非是特殊設計的。

                              ④ 聚苯乙烯電容器
                              其串聯(lián)電阻小，電感值小，電容量相對時(shí)間、溫度、電壓很穩定。它適用于要求頻率穩定性高的場(chǎng)合，可用于高頻濾波、旁路、去耦。

電 流：
      電荷的定向移動(dòng)叫做電流。電路中，電流常用I表示。電流分直流和交流兩種。電流的大小和方向不隨時(shí)間變化的叫做直流。電流的大小和方向隨時(shí)間變化的叫做交流。電流的單位是安（A），也常用毫安（mA)或者微安(uA)做單位。1A=1000mA,1mA=1000uA。

      電流可以用電流表測量。測量的時(shí)候，把電流表串聯(lián)在電路中，要選擇電流表指針接近滿(mǎn)偏轉的量程。這樣可以防止電流過(guò)大而損壞電流表。
      
      電 壓：
      河水之所以能夠流動(dòng)，是因為有水位差；電荷之所以能夠流動(dòng)，是因為有電位差。電位差也就是電壓。電壓是形成電流的原因。在電路中，電壓常用U表示。電壓的單位是伏（V），也常用毫伏（mV）或者微伏（uV）做單位。1V=1000mV，1mV=1000uV。

      電壓可以用電壓表測量。測量的時(shí)候，把電壓表并聯(lián)在電路上，要選擇電壓表指針接近滿(mǎn)偏轉的量程。如果電路上的電壓大小估計不出來(lái)，要先用大的量程，粗略測量后再用合適的量程。這樣可以防止由于電壓過(guò)大而損壞電壓表。

      電 阻：
      電路中對電流通過(guò)有阻礙作用并且造成能量消耗的部分叫做電阻。電阻常用R表示。電阻的單位是歐（Ω），也常用千歐（kΩ）或者兆歐（MΩ）做單位。1kΩ=1000Ω,1MΩ=1000000Ω。導體的電阻由導體的材料、橫截面積和長(cháng)度決定。

      電阻可以用萬(wàn)用表歐姆檔測量。測量的時(shí)候，要選擇電表指針接近偏轉一半的歐姆檔。如果電阻在電路中，要把電阻的一頭燙開(kāi)后再測量。
      歐姆定律： 導體中的電流I和導體兩端的電壓U成正比，和導體的電阻R成反比，即
               
      這個(gè)規律叫做歐姆定律。如果知道電壓、電流、電阻三個(gè)量中的兩個(gè)，就可以根據歐姆定律求出第三個(gè)量，即
               
      在交流電路中，歐姆定律同樣成立，但電阻R應該改成阻抗Z，即
               
      電 源：
      把其他形式的能轉換成電能的裝置叫做電源。發(fā)電機能把機械能轉換成電能，干電池能把化學(xué)能轉換成電能。發(fā)電機、干電池等叫做電源。通過(guò)變壓器和整流器，把交流電變成直流電的裝置叫做整流電源。能提供信號的電子設備叫做信號源。晶體三極管能把前面送來(lái)的信號加以放大，又把放大了的信號傳送到后面的電路中去。晶體三極管對后面的電路來(lái)說(shuō)，也可以看做是信號源。整流電源、信號源有時(shí)也叫做電源。

      負 載：
      把電能轉換成其他形式的能的裝置叫做負載。電動(dòng)機能把電能轉換成機械能，電阻能把電能轉換成熱能，電燈泡能把電能轉換成熱能和光能，揚聲器能把電能轉換成聲能。電動(dòng)機、電阻、電燈泡、揚聲器等都叫做負載。晶體三極管對于前面的信號源來(lái)說(shuō)，也可以看作是負載。

      電 路：
      電流流過(guò)的路叫做電路。最簡(jiǎn)單的電路由電源、負載和導線(xiàn)、開(kāi)關(guān)等元件組成，如圖1所示。電路處處連通叫做通路。只有通路，電路中才有電流通過(guò)。電路某一處斷開(kāi)叫做斷路或者開(kāi)路。電路某一部分的兩端直接接通，使這部分的電壓變成零，叫做短路。


      
      電動(dòng)勢：
      電動(dòng)勢是反映電源把其他形式的能轉換成電能的本領(lǐng)的物理量。電動(dòng)勢使電源兩端產(chǎn)生電壓。在電路中，電動(dòng)勢常用δ表示。電動(dòng)勢的單位和電壓的單位相同，也是伏。

      電源的電動(dòng)勢可以用電壓表測量。測量的時(shí)候，電源不要接到電路中去，用電壓表測量電源兩端的電壓，所得的電壓值就可以看作等于電源的電動(dòng)勢。如果電源接在電路中（圖2），用電壓表測得的電源兩端的電壓就會(huì )小于電源的電動(dòng)勢。這是因為電源有內電阻。在閉合的電路中，電流通過(guò)內電阻r有內電壓降，通過(guò)外電阻R有外電壓降。電源的電動(dòng)勢δ等于內電壓U
      r 和外電壓U R 之和，即δ=U r +U R
      。嚴格來(lái)說(shuō)，即使電源不接入電路，用電壓表測量電源兩端電壓，電壓表成了外電路，測得的電壓也小于電動(dòng)勢。但是，由于電壓表的內電阻很大，電源的內電阻很小，內電壓可以忽略。因此，電壓表測得的電源兩端的電壓是可以看作等于電源電動(dòng)勢的。



      干電池用舊了，用電壓用測量電池兩端的電壓，有時(shí)候依然比較高，但是接入電路后卻不能使負載（收音機、錄音機等）正常工作。這種情況是因為電池的內電阻變大了，甚至比負載的電阻還大，但是依然比電壓表的內電阻小。用電壓表測量電池兩端電壓的時(shí)候，電池內電阻分得的內電壓還不大，所以電壓表測得的電壓依然比較高。但是電池接入電路后，電池內電阻分得的內電壓增大，負載電阻分得的電壓就減小，因此不能使負載正常工作。為了判斷舊電池能不能用，應該在有負載的時(shí)候測量電池兩端的電壓。有些性能較差的穩壓電源，有負載和沒(méi)有負載兩種情況下測得的電源兩端的電壓相差較大，也是因為電源的內電阻較大造成的。

      周
      期：交流電完成一次完整的變化所需要的時(shí)間叫做周期，常用T表示。周期的單位是秒（s）,也常用毫秒（ms）或微秒（us）做單位。1s=1000ms，1s=1000000us。

      頻 率
      交流電在1s內完成周期性變化的次數叫做頻率，常用f表示。頻率的單位是赫（Hz），也常用千赫（kHz）或兆赫（MHz）做單位。1kHz=1000Hz，1MHz=1000000Hz。交流電頻率f是周期T的倒數，即

               
      電 容：
      電容是衡量導體儲存電荷能力的物理量。在兩個(gè)相互絕緣的導體上，加上一定的電壓，它們就會(huì )儲存一定的電量。其中一個(gè)導體儲存著(zhù)正電荷，另一個(gè)導體儲存著(zhù)大小相等的負電荷。加上的電壓越大，儲存的電量就越多。儲存的電量和加上的電壓是成正比的，它們的比值叫做電容。如果電壓用U表示，電量用Q表示，電容用C表示，那么

               
      電容的單位是法（F），也常用微法（uF）或者微微法（pF）做單位。1F=10 6 uF，1F=10 12 pF。
      電容可以用電容測試儀測量，也可以用萬(wàn)用電表歐姆檔粗略估測。歐姆表紅、黑兩表筆分別碰接電容的兩腳，歐姆表內的電池就會(huì )給電容充電，指針偏轉，充電完了，指針回零。調換紅、黑兩表筆，電容放電后又會(huì )反向充電。電容越大，指針偏轉也越大。對比被測電容和已知電容的偏轉情況，就可以粗略估計被測電容的量值。在一般的電子電路中，除了調諧回路等需要容量較準確的電容以外，用得最多的隔直、旁路電容、濾波電容等，都不需要容量準確的電容。因此，用歐姆檔粗略估測電容量值是有實(shí)際意義的。但是，普通萬(wàn)用電表歐姆檔只能估測量值較大的電容，量值較小的電容就要用中值電阻很大的晶體管萬(wàn)用電表歐姆檔來(lái)估測，小于幾十個(gè)微微法的電容就只好用電容測試儀測量了。

      容
      抗：交流電是能夠通過(guò)電容的，但是電容對交流電仍然有阻礙作用。電容對交流電的阻礙作用叫做容抗。電容量大，交流電容易通過(guò)電容，說(shuō)明電容量大，電容的阻礙作用��；交流電的頻率高，交流電也容易通過(guò)電容，說(shuō)明頻率高，電容的阻礙作用也小。實(shí)驗證明，容抗和電容成反比，和頻率也成反比。如果容抗用X
      C 表示，電容用C表示，頻率用f表示，那么
               
      容抗的單位是歐。知道了交流電的頻率f和電容C，就可以用上式把容抗計算出來(lái)。
      
      電 感：
      電感是衡量線(xiàn)圈產(chǎn)生電磁感應能力的物理量。給一個(gè)線(xiàn)圈通入電流，線(xiàn)圈周?chē)�就�?huì )產(chǎn)生磁場(chǎng)，線(xiàn)圈就有磁通量通過(guò)。通入線(xiàn)圈的電源越大，磁場(chǎng)就越強，通過(guò)線(xiàn)圈的磁通量就越大。實(shí)驗證明，通過(guò)線(xiàn)圈的磁通量和通入的電流是成正比的，它們的比值叫做自感系數，也叫做電感。如果通過(guò)線(xiàn)圈的磁通量用φ表示，電流用I表示，電感用L表示，那么

               
      電感的單位是亨（H），也常用毫亨（mH）或微亨（uH）做單位。1H=1000mH，1H=1000000uH。
      感 抗：
      交流電也可以通過(guò)線(xiàn)圈，但是線(xiàn)圈的電感對交流電有阻礙作用，這個(gè)阻礙叫做感抗。電感量大，交流電難以通過(guò)線(xiàn)圈，說(shuō)明電感量大，電感的阻礙作用大；交流電的頻率高，交流電也難以通過(guò)線(xiàn)圈，說(shuō)明頻率高，電感的阻礙作用也大。實(shí)驗證明，感抗和電感成正比，和頻率也成正比。如果感抗用X
      L 表示，電感用L表示，頻率用f表示，感抗的單位是歐。知道了交流電的頻率f和線(xiàn)圈的電感L，就可以用上式把感抗計算出來(lái)。
      
      阻 抗：
      具有電阻、電感和電容的電路里，對交流電所起的阻礙作用叫做阻抗。阻抗常用Z表示。阻抗由電阻、感抗和容抗三者組成，但不是三者簡(jiǎn)單相加。如果三者是串聯(lián)的，又知道交流電的頻率f、電阻R、電感L和電容C，那么串聯(lián)電路的阻抗

               
      阻抗的單位是歐。
      對于一個(gè)具體電路，阻抗不是不變的，而是隨著(zhù)頻率變化而變化。在電阻、電感和電容串聯(lián)電路中，電路的阻抗一般來(lái)說(shuō)比電阻大。也就是阻抗減小到最小值。在電感和電容并聯(lián)電路中，諧振的時(shí)候阻抗增加到最大值，這和串聯(lián)電路相反。

      相 位：
      相位是反映交流電任何時(shí)刻的狀態(tài)的物理量。交流電的大小和方向是隨時(shí)間變化的。比如正弦交流電流，它的公式是i=Isin2πft。i是交流電流的瞬時(shí)值，I是交流電流的最大值，f是交流電的頻率，t是時(shí)間。隨著(zhù)時(shí)間的推移，交流電流可以從零變到最大值，從最大值變到零，又從零變到負的最大值，從負的最大值變到零，在三角函數中2πft相當于角度，它反映了交流電任何時(shí)刻所處的狀態(tài)，是在增大還是在減小，是正的還是負的等等。因此把2πft叫做相位，或者叫做相。

                 
      如果t等于零的時(shí)候，i并不等于零，公式應該改成i=Isin(2πft+ψ),如圖3乙所示。那么2πft+ψ叫做相位，ψ叫做初相位，或者叫做初相。
      相位差:兩個(gè)頻率相同的交流電相位的差叫做相位差，或者叫做相差。這兩個(gè)頻率相同的交流電，可以是兩個(gè)交流電流，可以是兩個(gè)交流電壓，可以是兩個(gè)交流電動(dòng)勢，也可以是這三種量中的任何兩個(gè)。

      例如研究加在電路上的交流電壓和通過(guò)這個(gè)電路的交流電流的相位差。如果電路是純電阻，那么交流電壓和電流電流的相位差等于零。也就是說(shuō)交流電壓等于零的時(shí)候，交流電流也等于零，交流電壓變到最大值的時(shí)候，交流電流也變到最大值。這種情況叫做同相位，或者叫做同相。如果電路含有電感和電容，交流電壓和交流電流的相位差一般是不等于零的，也就是說(shuō)一般是不同相的，或者電壓超前于電流，或者電流超前于電壓。

      加在晶體管放大器基極上的交流電壓和從集電極輸出的交流電壓，這兩者的相位差正好等于180°。這種情況叫做反相位，或者叫做反相。

電烙鐵分為外熱式和內熱式兩種，外熱式的一般功率都較大。
                        內熱式的電烙鐵體積較小，而且價(jià)格便宜。一般電子制作都用20W-30W的內熱式電烙鐵。當然有一把50W的外熱式電烙鐵能夠有備無(wú)患。內熱式的電烙鐵發(fā)熱效率較高，而且更換烙鐵頭也較方便。

                        電烙鐵是用來(lái)焊錫的，為方便使用，通常做成"焊錫絲"，焊錫絲內一般都含有助焊的松香。
                        焊錫絲使用約60%的錫和40%的鉛合成，熔點(diǎn)較低。（Bitbaby有個(gè)好習慣，就是每次做完事后都去洗手，鉛可不是什么好東西，松香倒是蠻聞得慣的：-）
                        松香是一種助焊劑，可以幫助焊接，拉二胡的人肯定有吧，聽(tīng)說(shuō)也可到藥店購買(mǎi)。松香可以直接用，也可以配置成松香溶液，就是把松香碾碎，放入小瓶中，再加入酒精攪勻。注意酒精易揮發(fā)，用完后記得把瓶蓋擰緊。瓶里可以放一小塊棉花，用時(shí)就用鑷子夾出來(lái)涂在印刷板上或元器件上。
                        注意市面上有一種焊錫膏（有稱(chēng)焊油），這可是一種帶有腐蝕性的東西，是用在工業(yè)上的，不適合電子制作使用。還有市面上的松香水，并不是我們這里用的松香溶液。
                        電烙鐵是捏在手里的，使用時(shí)千萬(wàn)注意安全。新買(mǎi)的電烙鐵先要用萬(wàn)用表電阻檔檢查一下插頭與金屬外殼之間的電阻值，萬(wàn)用表指針應該不動(dòng)。否則應該徹底檢查。
                        最近生產(chǎn)的內熱式電烙鐵，廠(chǎng)家為了節約成本，電源線(xiàn)都不用橡皮花線(xiàn)了，而是直接用塑料電線(xiàn)，比較不安全。強烈建議換用橡皮花線(xiàn)，因為它不像塑料電線(xiàn)那樣容易被燙傷、破損，以至短路或觸電。
                        新的電烙鐵在使用前用銼刀銼一下烙鐵的尖頭，接通電源后等一會(huì )兒烙鐵頭的顏色會(huì )變，證明烙鐵發(fā)熱了，然后用焊錫絲放在烙鐵尖頭上鍍上錫，使烙鐵不易被氧化。在使用中，應使烙鐵頭保持清潔，并保證烙鐵的尖頭上始終有焊錫。
                        使用烙鐵時(shí)，烙鐵的溫度太低則熔化不了焊錫，或者使焊點(diǎn)未完全熔化而成不好看、不可靠的樣子。太高又會(huì )使烙鐵"燒死"（盡管溫度很高，卻不能蘸上錫）。
                        另外也要控制好焊接的時(shí)間，電烙鐵停留的時(shí)間太短，焊錫不易完全熔化、接觸好，形成"虛焊"，而焊接時(shí)間太長(cháng)又容易損壞元器件，或使印刷電路板的銅箔翹起。
                        一般一兩秒內要焊好一個(gè)焊點(diǎn)，若沒(méi)完成，寧愿等一會(huì )兒再焊一次。焊接時(shí)電烙鐵不能移動(dòng)，應該先選好接觸焊點(diǎn)的位置，再用烙鐵頭的搪錫面去接觸焊點(diǎn)。

變壓器是由鐵芯和繞在絕緣骨架上的銅線(xiàn)圈線(xiàn)構成的。絕緣銅線(xiàn)繞在塑料骨架上，每個(gè)骨架需繞制輸入和輸出兩組線(xiàn)圈。線(xiàn)圈中間用絕緣紙隔離。繞好后將許多鐵芯薄片插在塑料骨架的中間。這樣就能夠使線(xiàn)圈的電感量顯著(zhù)增大。變壓器利用電磁感應原理從它的一個(gè)繞組向另兒個(gè)繞組傳輸電能量。變壓器在電路中具有重要的功能：耦合交流信號而阻隔直流信號，并可以改變輸入輸出的電壓比；利用變壓器使電路兩端的阻抗得到良好匹配，以獲得最大限度的傳送信號功率。
                        電力變壓器就是把高壓電變成民用市電，而我們的許多電器都是使用低壓直流電源工作的，需要用電源變壓器把220V交流市電變換成低壓交流電，再通過(guò)二極管整流，電容器濾波，形成直流電供電器工作。電視機顯象管需要上萬(wàn)伏的電壓來(lái)工作，是由"行輸出變壓器"供給的。
                        
                        當然，電源變壓器也有其不少缺點(diǎn)，例如功率與體積成正比，笨重、效率低等，現在正在被新型的"電子變壓器"所取代。電子變壓器一般是"開(kāi)關(guān)電源"，電腦工作需要的幾組電壓就是開(kāi)關(guān)電源供給的，彩電、顯示器中更是無(wú)一例外地使用了開(kāi)關(guān)電源。

目前的萬(wàn)用表分為指針式和數字式，它們各有方便之處，很難說(shuō)誰(shuí)好誰(shuí)壞，最好是能夠備有指針和數字式的各一個(gè)。業(yè)余電子制作有一個(gè)指針式的MF30型萬(wàn)用表也就可以了，這可是一種經(jīng)典型號。還有元老級的MF500型萬(wàn)用表，廉價(jià)的MF50萬(wàn)用表，一般都可以在電訊商店買(mǎi)到。

萬(wàn)用表的三個(gè)基本功能是測量電阻、電壓、電流，所以老前輩們叫它三用表�，F在的萬(wàn)用表添加了好多新功能，尤其是數字式萬(wàn)用表，如測量電容值，三極管放大倍數，二極管壓降等，更有一種會(huì )說(shuō)話(huà)的數字萬(wàn)用表，能把測量結果用語(yǔ)言播報出來(lái)。（其實(shí)不是很難，Bitbaby曾有一度很想用單片機和語(yǔ)音電路做一個(gè)：-）

數字式萬(wàn)用表也有許多經(jīng)典型號，如DT830C，DT830C，DT890D等，后面的后綴表示功能上的區別，其中DT830C已經(jīng)買(mǎi)到了三十多元一個(gè)，夠便宜的。 Bitbaby在學(xué)校里裝過(guò)一個(gè)MF50的萬(wàn)用表，電路原理并不復雜，只是那么多的元件沒(méi)有印刷板來(lái)固定，而是直接焊在接線(xiàn)板上，自己裝對初學(xué)者來(lái)說(shuō)還是麻煩了點(diǎn)。

萬(wàn)用表最大的特點(diǎn)是有一個(gè)量程轉換開(kāi)關(guān)，各中功能就是靠這個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)切換的�；�本上，用A-來(lái)表示測直流電流，一般毫安檔和安培檔各又分幾檔。V-表示測直流電壓，高級點(diǎn)的萬(wàn)用表有毫伏檔，電壓檔也分幾檔。V~是用來(lái)測交流電壓的。A~測交流電流。

Ω歐姆檔測電阻，對于指針式萬(wàn)用表，每換一次電阻檔還要做一次調零。調零就是把萬(wàn)用表的紅表筆和黑表筆搭在一起，然后轉動(dòng)調零鈕，使指針指向零的位置。hFE是測量三極管的電流放大系數的，只要把三極管的三個(gè)管腳插入萬(wàn)用表面板上對應的孔中，就能測出hFE值。注意PNP、NPN是不同的。

以下以MF30型萬(wàn)用表為例，說(shuō)明萬(wàn)用表的讀數。第一條刻度線(xiàn)是電阻值指示，最左端是無(wú)窮大，右端為零，當中刻度不均勻。電阻檔有R×1、R×10、R×100、R×1K、R×10K各檔，分別說(shuō)明刻度的指示再要乘上的倍數，才得到實(shí)際的電阻值（單位為歐姆）。

例如用R×100檔測一電阻，指針指示為"10"，那么它的電阻值為10×100=1000，即1K。第二條刻度線(xiàn)是500V檔和500mA檔共用，需要注意的是電壓檔、電流檔的指示原理不同于電阻檔，例如5V檔表示該檔只能測量5V以下的電壓，500mA檔只能測量500mA以下的電流，若是超過(guò)量程，就會(huì )損壞萬(wàn)用表。

注意事項： 萬(wàn)用表使用時(shí)應該水平著(zhù)放。紅表筆插在+孔內，黑表筆插入-孔內。 測試電流就用電流檔，而不能誤用電壓檔、電阻擋，其他同理，否則輕則燒萬(wàn)用表內的保險絲，重則損壞表頭。事先不知道量程，就選用最大量程嘗試著(zhù)測量，然后斷開(kāi)測量電路再換檔，切不可在線(xiàn)的情況下轉換量程。有表針迅速偏轉到底的情況，應該立即斷開(kāi)電路，進(jìn)行檢查。

最后還有一個(gè)規矩，就是約定用完后的萬(wàn)用表要把量程開(kāi)關(guān)撥到交流電壓最高檔，以防別人不慎測量220V市電電壓而損壞。記住這個(gè)老前輩們留下的優(yōu)良傳統呦！

數碼相機的主要組件數碼相機主要的組成部件是鏡頭、圖像傳感器、數碼儲存器、LCD屏（大部分都有）。
（1）鏡頭
不管是普通相機還是數碼相機，鏡頭都是關(guān)鍵部件。相比起傳統相機，數碼相機的鏡頭很小，需要制造得非常地精確，這增加了它的制造難度。通常一部高質(zhì)量的數碼相機其鏡頭成本也是整機價(jià)格中最主要的組成部分。因為要配合的是同樣種類(lèi)繁多的精密的CCD或CMOS等感光元件而不是相同尺寸的膠片，不同數碼相機的規格差異很大，鏡頭也是千差萬(wàn)別。
（2）圖像傳感器
目前運用到數碼相機的主要感光傳感器有CCD（電荷耦合器件）和CMOS（互補型金屬氧化物）兩種半導體�？逻_所有的數碼相機均采用CCD作為圖像傳感器。
CCD和CMOS各自的利弊，從技術(shù)的角度來(lái)比較兩者主要存在四個(gè)方面的區別：
（a）信息讀取方式不同
CCD傳感器存儲的電荷信息需在同步信號控制下一位一位的實(shí)施轉移后讀取，電荷信息轉移和讀取輸出需要有時(shí)鐘控制電路和三組不同的電源相配合，整個(gè)電路較為復雜。CMOS傳感器經(jīng)光電轉換后直接產(chǎn)生電流（或電壓）信號，信號讀取十分簡(jiǎn)單。
（b）速度有所差別
CCD傳感器需在同步時(shí)鐘的控制下以行為單位一位一位的輸出信息，速度較慢；而CMOS傳感器采集光信號的同時(shí)就可以取出電信號，還能同時(shí)處理各單元的圖象信息，速度比CCD快很多。
（c）電源及耗電量
CCD傳感器電荷耦合器大多需要三組電源供電，耗電量較大；CMOS傳感器只需使用一個(gè)電源，耗電量非常小，僅為CCD電荷耦合器的1/8到1/10，CMOS光電傳感器在節能方面具有很大優(yōu)勢。
（d）成像質(zhì)量
CCD傳感器制作技術(shù)起步較早，技術(shù)相對成熟，采用PN結合二氧化硅隔離層隔離噪聲，成像質(zhì)量相對CMOS傳感器有一定優(yōu)勢。由于CMOS傳感器集成度高，光電傳感元件與電路之間距離很近，相互之間的光、電、磁干擾較為嚴重，噪聲對圖象質(zhì)量影響很大，使CMOS傳感器很長(cháng)一段時(shí)間無(wú)法進(jìn)入實(shí)用。目前采用CMOS傳感器數碼相機的像素最高只有200萬(wàn)像素，而CCD則可高達1600萬(wàn)像素。
（3）LCD顯示屏
絕大多數數碼相機都有一個(gè)LCD（彩色液晶顯示）屏。LCD屏幕就像一臺微型的計算機監視器，能顯示出相機中存儲的圖像。LCD也用來(lái)顯示菜單，使用戶(hù)可以修改照相機的設置，并從相機的存儲器中刪除不想要的圖像。在照相機上觀(guān)看和刪除圖像的功能非常有用，因為節省了下載不想要的圖像所花費的時(shí)間。如果照出來(lái)的相片不是你想要的樣子，可以把它刪掉重拍。
LCD的像素高低也是決定其好壞的重要因素。目前，大多數數碼相機的LCD的像素在11萬(wàn)以上，這些LCD一般都能較好反映圖像的細節，而有些數碼相機為降低成本，采用低像素的LCD（Fuji
2800的LCD只有6萬(wàn)像素），這些LCD上顯示的圖像呈明顯的顆粒狀，而且刷新速度很慢，取景時(shí)有明顯的滯后感。
（4）數據儲存器
通常的儲存器有CF卡、MMS、SD和SONY標準的Memory stick等

單片陶瓷電容器(通稱(chēng)貼片電容)是目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來(lái)講有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規格，不同的規格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來(lái)介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊。

                        NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來(lái)的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時(shí)應根據電容器在電路中作用不同來(lái)選用不同的電容器。

                        一 NPO電容器
                        NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
                        NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

                        封 裝 DC=50V DC=100V
                        0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
                        1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
                        1210 560---5600pF 560---2700pF
                        2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
                        NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

                        二 X7R電容器
                        X7R電容器被稱(chēng)為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%，需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線(xiàn)性的。

                        X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現為10年變化了約5%。

                        X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

                        封 裝 DC=50V DC=100V
                        0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
                        1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
                        1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
                        2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

                        三 Z5U電容器
                        Z5U電容器稱(chēng)為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來(lái)說(shuō)在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。

                        盡管它的容量不穩定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。

                        封 裝 DC=25V DC=50V
                        0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
                        1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
                        1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
                        2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
                        Z5U電容器的其他技術(shù)指標如下:
                        工作溫度范圍 +10℃ --- +85℃
                        溫度特性 +22% ---- -56%
                        介質(zhì)損耗 最大 4%

                        四 Y5V電容器
                        Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內其容量變化可達+22%到-82%。
                        Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。
                        Y5V電容器的取值范圍如下表所示
                        封 裝 DC=25V DC=50V
                        0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
                        1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
                        1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
                        2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
                        Y5V電容器的其他技術(shù)指標如下:
                        工作溫度范圍 -30℃ --- +85℃
                        溫度特性 +22% ---- -82%
                        介質(zhì)損耗 最大 5%
                        貼片電容器命名方法可到AVX網(wǎng)站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。

光敏二極管是利用硅PN結受光照后產(chǎn)生光電流的一種光電器件。光敏二極管的電路符號、外形見(jiàn)圖1所示。其封裝有金封和塑封兩種（即圓柱形和扁方形）。有的光敏二極管為了提高其穩定性，還外加了一個(gè)屏蔽接地腳，外形似光敏三極管。光敏二極管工作于反向偏壓，其光譜響應特性主要由半導體材料中所摻的雜質(zhì)濃度所決定。同一型號的光敏二極管在一定的反偏電壓、相同強度和不同波長(cháng)的入射光照射下，產(chǎn)生的光電流并不相同，但有一最大值。不同型號的光敏二極管在同一反偏電壓、同一強度的入射光照射下，所產(chǎn)生的光電流最大值也不相同，且光電流最大值所對應的入射光的波長(cháng)也不相同。圖2的曲線(xiàn)①、②分別是光敏二極管NDL3200、NDL5800C的光譜響應特性曲線(xiàn)。由圖可看出，它們的光電流的最大值分別在可見(jiàn)光區和紅外線(xiàn)區，其中二極管NDL3200的光譜響應值最大。

由于光敏二極管的基本結構也是一個(gè)PN結，故其檢測方法也與普通二極管相同，其測得的正、反向電阻也類(lèi)似于普通二極管，但在測反向電阻遇光照時(shí)，阻值會(huì )明顯減小，否則說(shuō)明管子已損壞。

數碼相機電源電路包括了I/F電源、鏡頭驅動(dòng)馬達用電源、LCD電源、背光電源等，如何優(yōu)化這些電源設計關(guān)系到整機的低功耗、小尺寸和輕重量等關(guān)鍵特性。本文分別以實(shí)用的電路為例提供了設計方法和思路，并提供了PWM控制、PFM控制和PWM/PFM切換控制模式的比較以及外圍組件選擇等設計決策。

                        隨著(zhù)數碼相機近年來(lái)逐漸成為主流消費電子產(chǎn)品后，消費者對數碼相機功能的要求亦不斷提升，例如高像素、
                        短片拍攝功能、大LCD顯示屏、
                        大容量存儲器、小體積和輕重量等。在這種情況下，延長(cháng)電池使用及備用時(shí)間成為了數碼相機設計工程師面臨的重要挑戰。本文將針對電源管理，尤其在DC/DC變換器上進(jìn)行探討及分析，并以實(shí)例說(shuō)明。

                        主要電源模塊
                        現在，使用在數碼相機上的系統電源可以分為一個(gè)復合IC來(lái)完成不同輸出，以及由幾個(gè)DC/DC變換器組合來(lái)完成不同輸出。圖1的例子中采用了幾個(gè)DC/DC變換器組合來(lái)實(shí)現，其中CCD電源是通過(guò)使用變壓器來(lái)產(chǎn)生+15V和-5.5V電壓。這個(gè)電路中使用了VDD/VOUT分離型升壓DC/DC變換器(S-8357P50),
                        以PWM模式并通過(guò)外接晶體管進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，輸出電壓可以通過(guò)改變變壓器匝數來(lái)產(chǎn)生需要的電壓。
                        1. I/F電源
                        I/F電源使用了PWM/PFM切換模式的升壓DC/DC變換器(S-8358P33)，常用輸出電壓為3.3V。因為是外接FET，所以可以適用于500mA以上的大電流。另外，在使用如600kHz的高頻DC/DC產(chǎn)品時(shí)可以使用小型電感。CPU內核電源常用輸出電壓是1.8V，所以會(huì )采用降壓DC/DC變換器(如S-8521E18)，使用PWM/PFM切換較理想，即使是消耗電流很低的情況下也可以通過(guò)PFM方式工作來(lái)提高效率。

                        2. 鏡頭驅動(dòng)馬達用電源
                        鏡頭驅動(dòng)馬達用的電源通常使用5V電壓，由于工作電流較大，所以會(huì )使用PWM控制模式及外接FET
                        DC/DC(S-8357P50)。這個(gè)電路的特點(diǎn)是使用了單個(gè)DC/DC變換器，接線(xiàn)比較靈活，可以在基板上選取較為合適的地方安裝。而如果用一個(gè)復合IC來(lái)得到不同輸出電壓的話(huà)，接線(xiàn)會(huì )受到限制，無(wú)法合理利用基板的空間，可能導致基板面積增大。所以，使用單個(gè)DC/DC變換器可以達到小型化目的。

                        3. LCD驅動(dòng)電源
                        圖2是產(chǎn)生LCD用正電壓和負電壓的應用電路，它用一個(gè)升壓DC/DC變換器來(lái)產(chǎn)生正負電壓。電路中使用了VDD/VOUT分離型器件S-8356Q50，在Vout端子接口，通過(guò)使用電阻對輸出電壓進(jìn)行分壓，這樣可以調整輸出電壓。通過(guò)R1和R2正電壓可以達到很高，負電壓可以通過(guò)C1、SD3、SD2使正電壓反轉為負電壓。

                        在這個(gè)電路中，正電壓直接反轉為負電壓，所以正電壓和負電壓不會(huì )產(chǎn)生不平衡的電壓。需要不平衡電壓時(shí)，可在輸出端通過(guò)晶體管等做成穩壓電路來(lái)穩定電壓。

                        4. 白光LED用電源
                        圖3所示的電路是白光LED用電源。由于白光LED是電流控制，因此需要穩定的電流。此電路中，流過(guò)LED的是穩定電流。為控制各LED亮度偏差，LED采用串聯(lián)的方式排列。DC/DC變換器采用了S-8356Q15
                        VDD端子與VOUT端子分離型，輸出電壓為1.5V。
                        在此電路中，決定流過(guò)LED電流大小的是R1電阻。即使各個(gè)LED的Vf有所偏差，A點(diǎn)的電壓也會(huì )被控制在1.5V。因此，如果20mA的電流流過(guò)LED，電阻值則為：1.5V÷20mA=75Ω。此電路的特點(diǎn)為：因為流過(guò)LED的是穩定的電流，所以即使LED的vf有所偏差，各個(gè)LED的亮度也會(huì )是相同的。而且，由于采用了通用DC/DC變換器，可以很簡(jiǎn)單地構成所需電路。

電源設計決策
                        在選擇DC/DC變換器時(shí)，電路設計要注意輸出電流、高效率、小型化，輸出電壓要求：
                        1. 如需求的輸出電流較小，可選擇FET內置型；輸出電流需要較大時(shí)，選擇外接FET類(lèi)型。
                        2.
                        關(guān)于效率有以下考慮：如果需優(yōu)先考慮重負荷時(shí)的紋波電壓及消除噪音，可選擇PWM控制型；如果同時(shí)亦需重視低負荷時(shí)的效率，則可選擇PFM/PWM切換控制型。
                        3. 如要求小型化，則可選擇能使用小型線(xiàn)圈的高頻產(chǎn)品。
                        4.
                        在輸出電壓方面，如果輸出電壓需要達到固定電壓以上，或需要不固定的輸出電壓時(shí)，剛可選擇輸出可變的VDD/VOUT分離型產(chǎn)品。

                        1. PFM與PWM比較
                        PWM控制、PFM控制和PWM/PFM切換控制模式這三種控制方式各有各的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)：
                        DC/DC變換器是通過(guò)與內部頻率同步開(kāi)關(guān)進(jìn)行升壓或降壓，通過(guò)變化開(kāi)關(guān)次數進(jìn)行控制，從而得到與設定電壓相同的輸出電壓。PFM控制時(shí)，當輸出電壓達到在設定電壓以上時(shí)即會(huì )停止開(kāi)關(guān)，在下降到設定電壓前，DC/DC變換器不會(huì )進(jìn)行任何操作。但如果輸出電壓下降到設定電壓以下，DC/DC變換器會(huì )再次開(kāi)始開(kāi)關(guān)，使輸出電壓達到設定電壓。PWM控制也是與頻率同步進(jìn)行開(kāi)關(guān)，但是它會(huì )在達到升壓設定值時(shí)，盡量減少流入線(xiàn)圈的電流，調整升壓使其與設定電壓保持一致。

                        與PWM相比，PFM的輸出電流小，但是因PFM控制的DC/DC變換器在達到設定電壓以上時(shí)就會(huì )停止動(dòng)作，所以消耗的電流就會(huì )變得很小。因此，消耗電流的減少可改進(jìn)低負荷時(shí)的效率。PWM在低負荷時(shí)雖然效率較遜色，但是因其紋波電壓小，且開(kāi)關(guān)頻率固定，所以噪聲濾波器設計比較容易，消除噪聲也較簡(jiǎn)單。

                        若需同時(shí)具備PFM與PWM的優(yōu)點(diǎn)的話(huà)，可選擇PWM/PFM切換控制式DC/DC變換器。此功能是在重負荷時(shí)由PWM控制，低負荷時(shí)自動(dòng)切換到PFM控制，即在一款產(chǎn)品中同時(shí)具備PWM的優(yōu)點(diǎn)與PFM的優(yōu)點(diǎn)。在備有待機模式的系統中，采用PFM/PWM切換控制的產(chǎn)品能得到較高效率。

                        2. 高頻的優(yōu)點(diǎn)
                        通過(guò)實(shí)際測試PWM與PFM/PWM的效率，可以發(fā)現PWM/PFM切換的產(chǎn)品在低負荷時(shí)的效率較高。至于高頻方面，通過(guò)提高DC/DC變換器的頻率，可以實(shí)現大電流化、小型化和高效率化。但是，必須注意的是只有通過(guò)線(xiàn)圈的特性配合才可以提高效率。因為當DC/DC變換器高頻化后，由于開(kāi)關(guān)次數隨之增加的原因，開(kāi)關(guān)損失也會(huì )增大，從而導致效率會(huì )有所降低。因此，效率是由線(xiàn)圈性能提升與開(kāi)關(guān)損失增加兩方面折衷決定的。

                        通過(guò)使用高效率的產(chǎn)品，相對可使用較低電感值的線(xiàn)圈，可以使用小型線(xiàn)圈，即使使用的是小型線(xiàn)圈也可得到相同的效率及輸出電流。

                        使用600kHz的S-8357N33及300kHz的S-8358F33，對前面線(xiàn)圈在電荷特性上所作的比較可以得出在效率上兩者具有相同的特性，輸出電流方面兩者都可得到200mA的電流。但是，如果將600kHz的DC/DC變換器所使用的小型線(xiàn)圈用在300kHz，就只能得到100mA左右的輸出電流，原因是Ipk已超過(guò)了該小型線(xiàn)圈的額定電流600mA，由此可證明高頻率化的確可實(shí)現產(chǎn)品小型化目標。

                        3. VDD/VOUT分離的使用方法
                        圖4說(shuō)明了有關(guān)VDD/VOUT分離的DC/DC變換器使用原理及方法。在調整輸出電壓的時(shí)候，或是將輸出電壓設定在IC的絕對最大額定值以上時(shí)，使用VDD/VOUT分離的產(chǎn)品。圖4是VDD與VOUT分離的應用電路圖。當需輸出超過(guò)IC額定耐壓值時(shí)，VDD接在輸出電壓端。VOUT是經(jīng)過(guò)Ra、Rb分壓后的電壓，通過(guò)改變Ra和Rb的電阻值可以進(jìn)行電壓調整。

                        4. 外接器件選擇
                        除了需要關(guān)注DC/DC變換器本身的特性外,
                        外接組件的選擇也不能忽視。外接組件中的線(xiàn)圈、電容器和FET對于開(kāi)關(guān)電源特性有著(zhù)很大影響。這里所謂的特性是指輸出電流、輸出紋波電壓及效率。

                        線(xiàn)圈：如果需要追求高效率，最好選擇直流電阻和電感值較小的線(xiàn)圈。但是，如果電感值較小的線(xiàn)圈用于頻率較低的DC/DC，就會(huì )超過(guò)線(xiàn)圈的額定電流，線(xiàn)圈會(huì )產(chǎn)生磁飽和現象，引起效率惡化或損壞線(xiàn)圈。而且如果電感值太小，也會(huì )引起紋波電壓變大。所以在選擇線(xiàn)圈時(shí)，請注意流向線(xiàn)圈的電流不要超過(guò)線(xiàn)圈的額定電流。在選擇線(xiàn)圈時(shí)，需要根據輸出電流、DC/DC的頻率、線(xiàn)圈的電感值、線(xiàn)圈的額定電流和紋波電壓等條件綜合決定。

                        電容：輸出電容的容量越大，紋波電壓就越小。但是較大的容量也意味著(zhù)較大的電容體積，所以請選擇最適合的容量。
                        三極管：作為外接的三極管，與雙極晶體管相比，因FET的開(kāi)關(guān)速度比較快，所以開(kāi)關(guān)損耗會(huì )較小，效率會(huì )更高一些。
                        本文小結
                        數碼相機電源設計的器件選擇需要注意以下幾點(diǎn)：
                        1. 選擇設計靈活性?大的DC/DC變換器，擴大電路設計的范圍。
                        2. 低消耗電流、高效率可延長(cháng)電池的使用壽命。
                        3. 可使用小型的外接元器件，實(shí)現產(chǎn)品小型化。
                        4. 有力的技術(shù)支持工具。
                        最后一點(diǎn)是在前面沒(méi)有提及的，在DC/DC設計過(guò)程中的技術(shù)支持亦是重要的環(huán)節。畢竟DC/DC在某中程度上是屬于半定制產(chǎn)品。DC/DC是標準的，但當配上不同外接組件后可以得出不同的效率和輸出電壓。因此，DC/DC本身規格固然重要，但供貨商的技術(shù)支持亦不可忽視。技術(shù)支持的方式可分為2部分：一部分為硬件，包括提供評估線(xiàn)路板、外接組件支持；另一部分為提供一些模擬軟件，以便在實(shí)際測試前可以做出評估，節省設計時(shí)間。

謝謝

好詳細啊，不錯啊，多謝了。