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首先我想說(shuō)的是,有些人我寫(xiě)點(diǎn)東西不要隨意的辱沒(méi),雖然我寫(xiě)的都是基礎的東西,不管你會(huì )也好不會(huì )也好!不管你支持與否,請不要隨意踐踏別人的勞動(dòng)成果,每次我寫(xiě)些東西最主要的目的是為了新手能更快的上手,更快的入門(mén)!因為我們每個(gè)人都是從新手過(guò)來(lái),不可能你樣樣都精通。同時(shí)也鍛煉一下自己的寫(xiě)作和表達能力!
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讓我郁悶的是 前兩天發(fā)表了一個(gè)帖子,講的是筆記本的供電順序,一樓就給我來(lái)個(gè),說(shuō)我講的全是廢話(huà)!我寫(xiě)點(diǎn)東西也是為了大家好,一樓說(shuō)的話(huà)讓我是被收打擊!哎,不管了,這世界上總是有些人喜歡咬舌頭!不去計較了。說(shuō)正事了!- x2 D5 c4 E% l
今天想寫(xiě)一點(diǎn)筆記本上的關(guān)鍵測試點(diǎn),寫(xiě)的不好希望大家多提意見(jiàn),但是我真不希望有類(lèi)似上次一樣的事情發(fā)生!要不我以后也不寫(xiě)了,免的自找沒(méi)趣!! H% U( [6 ] s4 p
正題
# g* l: k) j$ ^ 我們經(jīng)常見(jiàn)到有的人維修,修了一天半天,沒(méi)有頭緒,找不到故障,更解決不了問(wèn)題,真正的芯片級維修,一般的故障用萬(wàn)用表測幾下,幾分鐘內就能判斷出故障。這個(gè)和中醫看病把脈是一樣的,從人的脈搏上反映出各個(gè)器官的問(wèn)題,從而對癥下藥。所以掌握測試點(diǎn)對維系至關(guān)重要。
! |7 J, F- f2 D! Z 不同品牌的主板主要測試點(diǎn)是一樣的,但是阻值可能有差異,這需要我們再維修種不斷總結,不斷積累。
, P. ^4 Y* J# e, q _ 維修種常用的兩種辦法如下:3 N* r9 V. _8 j( h5 D/ r6 d# B
(1)靜態(tài)(指不接電影的情況下)測量關(guān)鍵測試點(diǎn)的對地阻值,通過(guò)阻值反映出相關(guān)的電路是否良好。操作方法為萬(wàn)用表的二極管檔,紅筆接地,黑比在測試點(diǎn)上;3 {/ _2 w, s0 ^8 g7 z; b
(2)動(dòng)態(tài)(接上電源的情況下)測量關(guān)鍵測試點(diǎn)的電壓,通過(guò)電壓是否正常來(lái)判斷故障。操作方法為萬(wàn)用表的直流電壓檔上,紅筆在測試點(diǎn),黑筆接地。
. l" d0 M8 T- @) {) D0 Q& ~8 k; l8 g& J 1。公共點(diǎn)關(guān)鍵測試點(diǎn)) P2 d4 D. r' w, M. u1 I4 Z3 Q$ q2 n
對地阻值在400-600歐之間,它反映出主板各個(gè)單元電路的主供電是否正常,任何一個(gè)單元電路的主供電相連的元件有故障都會(huì )從這里反應出來(lái),所以通過(guò)測試這一點(diǎn)可以快速檢測筆記本電腦主板上的主供電是否有短路微短路的情況。不管是短路還是微短路都會(huì )導致保護隔離電路無(wú)法將電源適配器的電送到各個(gè)單元電路。常見(jiàn)的幾種現象如下。3 A. L1 c& J+ {' N1 w% B( w4 P
(1)公共點(diǎn)對地阻值為零。這種情況為主供電嚴重短路,主板上所有與主供電相連的單元電路中的任何一個(gè)點(diǎn)都會(huì )短路。一般為主供電的濾波電容擊穿或某個(gè)單元電路的一組MOS管全部擊穿。8 E9 Z; |) N5 j, ~& U6 f
排除方法:要排除短路需要將所有與主供電相連的濾波電容一個(gè)個(gè)地斷開(kāi)排查,根據筆記本電腦主板上的各個(gè)供電單元電路,我們可以看到南北橋內存顯卡的供電單元電路,其中的1.25V、1.05V的電壓比較低,雖然CPU的供電電壓會(huì )很低,但是一般CPU供電的濾波電容數量比較多,一般6個(gè)以上,有的甚至20個(gè),所以不容易擊穿:當然也可以根據維修經(jīng)驗,快速地找出短路,戴爾D600主供電短路一般是CPU單元電路的濾波電容擊穿,聯(lián)想、惠普、方正等主供電短路一般為南北橋內存顯卡供電單元電路的主供電濾波電容擊穿。這類(lèi)故障在維修中只要你找到這個(gè)引起短路的元件,更換之后,筆記本電腦就能恢復正常工作。) t" x7 g+ q g. x' z# o
(2)公共點(diǎn)對地阻值為幾十歐到一百歐
3 e2 m- M6 y0 [6 R, x' G 這種情況下一般為與主供電相連的某個(gè)單元電路的一組MOS管損壞,高端MOS管擊穿或阻值偏小所致。( ^2 `7 c% c+ h
排除方法:首先把與主供電相連的各個(gè)單元電路的電感都測試一遍,看哪個(gè)電感的對地阻值與剛才測的那個(gè)阻值接近,這個(gè)單元電路就是我們重點(diǎn)排查的對象,一般為高端MOS管擊穿。需要特別注意,有部分供電單元電路的一組MOS管,是用一個(gè)單MOS管代替的,更換的時(shí)候,要看它的引腳定義是否一樣,否則會(huì )把故障擴大。例如,IBM T40供電對地阻值為10歐,一般情況是內存供電的1.25V單元電路中的雙MOS管損壞引起的。2 T$ Q! H9 W0 t9 R; N) o) N, u
(3)公共點(diǎn)的對地阻值為200歐左右( m) T" f. d4 B' Y( t5 E$ S* _/ G
這種情況下一般是與主供電相連的單元電路的供電芯片微短路所致,也有可能是與主供電相連的供電單元電路的MOS管損害所致,阻值偏低。
5 x, v3 Z+ s; n" B; x 排除方法:把與主供電相連的各個(gè)單元電路中與主供電相連的MOS管的S級到D級之間的阻值都測試一遍,看看對地阻值是否正常。把與主供電相連的各個(gè)單元電路的供電芯片一一地拆裝排查,一般情況下,南北橋內存顯卡供電單元電路的供電芯片損壞的機會(huì )大,所以應該先拆此供電芯片。常見(jiàn)的供電芯片為MAX1854.5 t! x! @. h3 Q; a
根據個(gè)人的維修實(shí)踐,總結出的以上三種情況是在維修中常見(jiàn)的情況,注意在排查完畢之后,一定要將正常的電容、MOS管、供電芯片焊接好,不要短路、連焊、不要引起新的故障。
% `# O0 v0 ~, m3 z( z( |5 s# _ 好了,今天就寫(xiě)到這了,下次給大家介紹一下
/ ^' A$ a8 k. o* s* A5 d e/ j3V、5V單元電路的電感。。。寫(xiě)的不多,希望大家能學(xué)以致用!9 S4 _ r9 n T
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