筆記本SDR內存參數詳解

；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類(lèi)型；R代表DIMM已注冊，256MB以上的內存必須經(jīng)過(guò)注冊。<BR><BR>2、PC133 SDRAM（版本為2.0）內存標注格式<BR>　 威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標準，威盛力推的PC133規范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規范，例如168線(xiàn)的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規范要嚴格一些，是PC133 CAS=2，要求內存芯片至少7.5ns，在133MHz時(shí)最好能達到CAS=2。PC133 SDRAM標注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標準工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類(lèi)型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；c表示最小的CL（即CAS的延遲時(shí)間），用時(shí)鐘周期數表示，一般為2或3；d表示RAS相對CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數表示；e表示RAS預充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數表示；ff代表相對于時(shí)鐘下沿的數據讀取時(shí)間，表達時(shí)不帶小數點(diǎn)，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。<BR><BR>3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內存標注格式<BR>　　其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內存的標準工作頻率，例如2100代表內存帶寬為2100MB/s，對應的標準工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類(lèi)型(R代表DIMM已注冊，U代表DIMM不含緩沖區；cc表示CAS延遲時(shí)間，用時(shí)鐘周期數表示，表達時(shí)不帶小數點(diǎn)，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數表示；e表示RAS預充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數表示；ff代表相對于時(shí)鐘下沿的數據讀取時(shí)間，表達時(shí)不帶小數點(diǎn)，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。<BR><BR>4、RDRAM 內存標注格式<BR>　　其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內存容量；b代表內存條上的內存顆粒數量；c代表內存支持ECC；d保留；e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標準工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率為800Mt/s，對應的標準工作頻率為800*1/2=400MHZ。<BR><BR>5、各廠(chǎng)商內存芯片編號<BR>　　內存打假的方法除了識別內存標注格式外，還可以利用刻在內存芯片上的編號。內存條上一般有多顆內存芯片，內存芯片因為生產(chǎn)廠(chǎng)家的不同，其上的編號也有所不同。由于韓國HY和SEC占據了世界內存產(chǎn)量的多半份額，它們產(chǎn)的內存芯片質(zhì)量穩定，價(jià)格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，先來(lái)看看它們的內存芯片編號。<BR><BR>（1）HYUNDAI（現代）<BR>　　 現代的SDRAM內存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no<BR>　　 其中HY代表現代的產(chǎn)品；5a表示芯片類(lèi)型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代<BR>表芯片輸出的數據位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內存芯片內部由幾個(gè)Bank組成（1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表內核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。<BR>　　 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh　cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。<BR><BR>1.SDRAM內存(老版本)<BR>第1字段由HY組成，代表現代產(chǎn)品。<BR>第2字段代表產(chǎn)品類(lèi)型，57代表DRAM；5D代表DDR SDRAM。<BR>第3字段代表電壓，V代表3.3V；U代表2.5V。<BR>第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新)；16代表16M(4K刷新)；64代表64M(8K刷新)；65代表64M(4K刷新)；128代表128M(8K刷新)；129代表128M(4K刷新)；257代表256MB(8K刷新)。<BR>第5字段代表數據帶寬，40代表4位；80代表8位；16代表16位；32代表32位。<BR>第6字段代表芯片組成，1代表2BANK；2代表4BANK。<BR>第7字段代表電氣接口，0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL2。<BR>第8字段代表芯片修正版本；空白代表第1版，A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。<BR>第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。<BR>第10字段代表封裝方式；JC代表400mil SOJ；TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm <BR>TSOP-Ⅱ；TQ代表100Pin TQFPI。<BR>第11字段代表內存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHz@CL=2或3)；10S代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。<BR>2.SDRAM內存(新版本)<BR>第1字段由HY組成，代表現代產(chǎn)品。<BR>第2字段代表產(chǎn)品類(lèi)型，57代表SDRAM。<BR>第3字段代表電壓，V代表3.3V。<BR>第4字段代表密度和刷新，64代表64M(4K刷新)；65代表64M(8K刷新)；28代表128M(4K刷新)；56代表256M(8K刷新)。<BR>第5字段代表數據帶寬，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。<BR>第6字段代表芯片組成，1代表2BANK；2代表4BANK。<BR>第7字段代表意義不詳，一般為0。<BR>第8字段代表電氣接口，0代表LVTTL；1代表SSTL_3。<BR>第9字段代表芯片修正版本；空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。<BR>第10字段代表封裝方式；T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP(LF-CSP)。<BR>第11字段代表內存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；K代表7.5ns(PC133@CL=2)；H代表7.5ns(PC133 @CL=3)；8代表8ns(125MHz)；P代表10ns(PC100@CL=2)；S代表10ns(PC100@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。<BR><BR>　　

<>好看呀</P>

太多了，一次不記不到的。

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不知道有用沒(méi)有用，還是頂你一下

頂~~~~~~~~~~~~~~~~~~

太多了，一次不記不到的。

看看、再學(xué)習
！

謝謝了

不知道有用沒(méi)有用，還是頂你一下

感謝本論壇，我學(xué)到了許多東西

不錯

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