FW82801EB芯片手工鑒定資料

發(fā)現FW82801EB的損壞原因主要是電壓點(diǎn)短路、USB失控及32KHz時(shí)鐘信號點(diǎn)異常。通過(guò)查閱Intel FW82801EB資料及主板原理圖得知，各電壓點(diǎn)、USB點(diǎn)及時(shí)鐘點(diǎn)的坐標。為了方便鑒定，將Intel FW82801EB原廠(chǎng)底視圖整理為正視圖。對照實(shí)物找出各電壓點(diǎn)坐標,測量發(fā)現在FW82801EB芯片上定義相同的各電壓點(diǎn)其實(shí)并不是相通的，而是分成幾組。各電壓點(diǎn)、USB點(diǎn)及時(shí)鐘點(diǎn)如下：
VDDQ在正視圖中 VDDQ在正視圖中標識為：VCC1_5
* W8 m& R- T( T$ L" pVDDQ 電壓坐標點(diǎn)： K10、K12、K13、L19、P19、R10、R6、H24、J19

K19、M15、N15、N23、E15、F14、F15、W19、R12、W6、W7、W8、W9、W10、W11、E22、AA6、AB6、C24
0 k0 e5 X5 b5 o# n+ s4 w
其中：K10=K12=K13=R10=L19=H24=N23阻抗大約為：0.228（使用“ 二極管檔”下同） M15=N15=K19=J19=P19=R6
阻抗大約為：0.468
E15=F14=F15阻抗大約為：0.478
W6=W7=W8阻抗大約為：0.530
/ i* j: M3 n9 a* t+ r! rW9=W10=W11=R12阻抗大約為：0.487
% G  s+ \: ^8 I8 L3 h$ `8 _8 M' ]W19
阻抗大約為：0.535
E22
阻抗大約為：0.562
9 F0 B5 g/ F. IAA6=AB6阻抗大約為：0.519 (圖紙中標識為VCCSATAPLL)
% }" L) p  e3 A/ Q/ h- _4 TC24阻抗大約為：0.546 (圖紙中標識為VCCUSBPLL)
+ N: O% [; N6 UVCC3.3V在正視圖中標識為：VCC3_3
VCC3.3V電壓坐標點(diǎn)：B5、F6、G1、H6、K6、L6、M10、N10、P6、R13、V19、W15、W17、W24、AD13、AD20、G19、G21
) L# F5 v& J0 _& ?& x# C
其中：B5=F6=G1=H6=K6=L6=P6=M10=N10阻抗大約為：0.536
R13=V19=W15=W17=W24=AD13=AD20阻抗大約為：0.529

' A" `) n4 V5 \  L
# U. E7 Q( j, m6 U3 _G19=G21
阻抗大約為：0.560
V3.3VSB在正視圖中標識為：VCCSUS3_3
V3.3VSB電壓坐標點(diǎn)：F18、B15、E11、F10、F11、E13、E14、U6、V6、F16、F17、E18、K15

其中：F16=F17=F18=E18=B15=K15阻抗大約為：0.376
: r& ]! O+ K  j  P
9 @: N: [) f" `1 L. t' ?F10=F11=E11
阻抗大約為：0.346
5 E, x! o2 ?; _2 L' X
E13=E14
阻抗大約為：0.563
* r- G+ Q9 @. s# b3 L+ S: i' a
U6=V6
阻抗大約為：0.410
VCCP在正視圖中標識為：V_CPU_IO
1 _6 s% r6 X/ ]8 g4 }- d( B5 XVCCP電壓坐標點(diǎn)：R15、R19、T19

" F2 f; B3 L: B7 M) W  y$ }' Z+ C, h其中：R15=R19=T19
$ u8 j! P! O; P- ]' E5 Y' ?阻抗大約為：0.422

4 u" x1 X2 ?) p7 a2 M' }0 u: x  bUSB坐標點(diǎn)：C23、D23、A22、B22、C21、D21、A20、B20、C19、D19

# R  l: u& m/ v7 B5 b8 V# }A18、B18、C17、D17、A16、B16
USB各點(diǎn)阻抗大約為：0.690
2 `7 p- s: @+ A6 Z! t9 t7 f32KHz時(shí)鐘點(diǎn)如下：
) t/ ]3 L: U" O; f* {" d% G4 m32KHz時(shí)鐘坐標點(diǎn)：AC11(RTCX1) 阻抗大約為：0.786
1 j: d' D% X9 c4 V. C2 _
) z: I- ?, o. r% {+ T$ D: ]AB12(RTCX2)
( v7 I! z. C  q. y) A9 e6 V% x阻抗大約為：0.772
. R  }/ d2 j8 X/ }' f9 A
/ J5 T- L& v* Q- HBIOS數據地址線(xiàn)點(diǎn)如下:


2 Q& B- b$ {3 {. a9 h. xBIOS數據地址線(xiàn)坐標點(diǎn): T5(LAD0/FB0) R4(LAD1/FB1) R3(LAD2/FB2)
6 L% n# y+ \6 ^( t( w" }, e
& i- ]6 j# I& z  U& X, Q  ~U4(LAD3/FB3) T4(LFRAME#/FB4)

BIOS數據地址線(xiàn)坐標點(diǎn)阻抗大約為: 0.626

% B/ l" j" `5 {; M1 h7 A. A+ P+ B) S9 Q二．鑒定方法：
將原廠(chǎng)底視圖垂直翻轉180度，得到現在的正視圖，芯片的A1腳為帶標識的一腳，參照FW82801EB正視圖，用萬(wàn)用表二極管檔，紅表筆對地（圖紙中標識為VSS即為地），黑表筆進(jìn)行測量相應信號點(diǎn)，針對各電壓點(diǎn)阻抗進(jìn)行測量時(shí)，只需測量相同電壓點(diǎn)一組中的其中一個(gè)即可，而對于USB及32KHz時(shí)鐘所有點(diǎn)都要進(jìn)行測量，通過(guò)以上方法電壓點(diǎn)短路、USB失控及32KHz時(shí)鐘短路均能鑒定出好壞。
- i- y# A( h  N如遇到“不上電”、“點(diǎn)短路”、“壓OK”、“隨機死機”等類(lèi)的現象，就很難處理了，只能測量相關(guān)的信號點(diǎn)，最后重裝錫珠測試。
附件中為FW82801EB的正視圖，一個(gè)為圖片形式，一個(gè)是EXCEL表形式，我的阻抗是以L(fǎng)G萬(wàn)用表測量得出，如果不同型號的萬(wàn)用表可能測得的結果有所差異，自己測量時(shí)可以拿兩個(gè)相同產(chǎn)地，相同批次的芯片進(jìn)行對比，以上報告如有不當之處，還請各位指正。
# l) m7 k* Y. b3 q* V1 v: x
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厲害,,不過(guò)現在全新的南橋也及30塊,沒(méi)啥必要啊

coooooo 發(fā)表于 2012-6-7 17:13

7 l9 A1 d$ }, z                               
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厲害,,不過(guò)現在全新的南橋也及30塊,沒(méi)啥必要啊

也是 現在的零件有些都開(kāi)始便宜了

學(xué)習學(xué)習  謝謝謝謝謝