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[分享] 內存供電電路詳解(與維修工共同學(xué)習,待續,支持文檔下載)

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pcxiaolong 發(fā)表于 2012-7-25 02:23:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式 來(lái)自 中國河南鄭州

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x
本帖最后由 pcxiaolong 于 2012-7-25 02:26 編輯 & X8 ]1 w) f- N. M, G" o

+ D8 @9 B8 E9 I- w$ A內存供電電路詳解
0 E9 Y0 G# J- v8 F9 T; }    筆記本電腦中常見(jiàn)的內存插槽中:DDR內存插槽,DDR2內存插槽,DDR3插槽等。其中DDR2電壓需要倆種,分別為1.8V和0.9V。DDR內存需要的電壓分別為2.5V和1.25V。內存供電部分經(jīng)常設計在內存插槽附近,一般好點(diǎn)的主板都有專(zhuān)門(mén)的內存供電電路。5 i9 Z1 y+ }4 [
    內存供電電路的供電機制5 f: `6 H) S7 `+ x, [" ^* H
    1.筆記本電腦內存的功能  a- j" G( m1 K6 X, C. q; o$ R* I7 a5 ~3 F
     內存供電電路主要是向內存供電提供所需的2.5V,1.8V,1.25V上拉電壓,0.9V上拉電壓等。若是內存供電電路過(guò)于簡(jiǎn)單或是設計不合理,則會(huì )出現內存供電不足的現象,繼而影響筆記本的使用的穩定性。$ y  w6 @  n- x/ x
    2.筆記本電腦內存供電電路功能
. x7 j/ K9 X5 ?: m筆記本內存供電電路主要采用開(kāi)關(guān)電源供電方式供電,這種供電方式主要由專(zhuān)業(yè)的電源管理芯片,儲能電感,場(chǎng)管,濾波電容等部件組成。其原理和CPU供電原理比較相似。  ?9 ~9 q4 e1 |) X: @
7 ?# E8 h7 t! I! @
2#
pcxiaolong  | 發(fā)表于 2012-7-25 02:23:49 | 只看該作者 來(lái)自 中國河南鄭州

內存 供電 電路原理 講解

本帖最后由 pcxiaolong 于 2012-7-26 01:23 編輯
1 s7 F! t+ ~5 c: D7 `
9 s+ C  e, y) n9 _, `
DDR內存供電電路講解
   DDR內存供電電路主要采用開(kāi)關(guān)電源供電方式,開(kāi)關(guān)電源組成的DDR內存供電電路主要由電源管理芯片,場(chǎng)效應管,電感和濾波電容等組成。
MAX1845為例
MAX1845電源管理芯片可以為內存供電電路提供2.5V1.25V供電電壓,MAX1845是一款雙輸出,同步降壓電源控制器。其內部有兩個(gè)PWM控制器(一個(gè)是2.5V,另外一個(gè)為1.25V)。該芯片輸出電壓范圍是1.0-5.5V。這個(gè)芯片總共有28腳,具體的針腳定義如下:
針腳序號
名稱(chēng)
功能
針腳序號
名稱(chēng)
功能
1
OUT1
電壓反饋1
15
OUT2
電壓反饋端2
2
FB1
電壓反饋輸入端
16
CS2
電流檢測輸入端2
3
ILIM1
電流反饋輸入端1
17
LX2
電流反饋端2
4
V+
電池或是適配器電壓輸入端
18
DH2
高端門(mén)輸出端2
5
TON
開(kāi)關(guān)管頻率控制器
19
BST2
內部高低端激放供電輸入端2
6
——SKIP
低噪聲模式控制信號輸入端
20
DL2
低端門(mén)輸出端2
7
PGOOD
PG信號輸出端
21
VDD
5V供電電壓輸入端
8
OVP
過(guò)壓保護信號輸出端
22
VCC
5V供電電壓輸入端(模擬)
9
UVP
欠壓保護信號輸出端
23
GND
接地端
10
REF
2V基準電壓輸出端
24
DL1
低端門(mén)輸出端1
11
ON1
開(kāi)關(guān)控制信號輸入端1
25
BST1
內部高端門(mén)激放電路輸入端1
12
ON2
開(kāi)關(guān)控制信號輸入端2
26
DH1
高端門(mén)輸出端1
13
ILIM2
電流反饋輸入端2
27
LX1
電流反饋端1
14
FB2
電壓反饋輸入端2
28
CS1
電流檢測輸入端1
MAX1845的第11腳(ON1,12(ON2)引腳為開(kāi)關(guān)控制端,它們?yōu)楦唠娖綍r(shí),允許電源管理芯片輸出;FB1FB2為電壓反饋輸入端,由這些針腳組成的反饋電路會(huì )實(shí)時(shí)檢測輸出的供電電壓,并反饋給電源管理芯片內部的PWM控制器;LX1LX2為電流反饋端,由這些針腳組成的電路會(huì )實(shí)時(shí)檢測輸出的供電電流,并反饋給電源管理芯片內部的電流調整器。
DH1DH2針腳為高端門(mén)驅動(dòng)脈沖輸出端,分別連接Q44G極和Q51內部的一個(gè)場(chǎng)效應管的G極,通過(guò)向連接的場(chǎng)效應管發(fā)送驅動(dòng)脈沖控制信號控制場(chǎng)效應管的導通與截止;DL1DL2引腳為低端門(mén)驅動(dòng)脈沖輸出端,分別連接Q50G極和Q51內部的另外一個(gè)場(chǎng)效應管的G極,通過(guò)向場(chǎng)效應管發(fā)送驅動(dòng)脈沖控制信號控制場(chǎng)效應管的導通與截止;工作中的電源管理芯片內部的PWM控制器分別向DH1DL1,DH2DL2端提供互為反相的矩形脈沖,使連接的場(chǎng)效應管分別導通和截止。
DDR內存的供電電路的工作原理如下:
   當按下開(kāi)關(guān)鍵后,開(kāi)機控制電路輸出VCC2R5A_ONB_ON高電平信號,此信號經(jīng)過(guò)處理后送到電源管理芯片的ON1ON2針腳。電源管理芯片MAX1845接受到開(kāi)機控制信號后,內部開(kāi)始工作,使內部的PWM控制器從DH1DL1針腳,DH2DL2針腳,分別輸出3-5V且互為相反的驅動(dòng)脈沖控制信號(即DH1DH2端輸出高電平時(shí),DL1DL2端輸出低電平,或相反),這樣將使場(chǎng)效應管Q44Q55分別導通或截止,Q51內部的兩個(gè)場(chǎng)效應管也分別導通或截止。
此時(shí),電池或適配器的輸出電壓被分為3路,第一路為MAX1845供電,第二路經(jīng)過(guò)濾波電容,場(chǎng)效應管Q44Q50流入儲能電感L10,然后經(jīng)過(guò)濾波電容濾波后,輸出2.5V供電電壓;第三路經(jīng)過(guò)濾波電容,場(chǎng)效應管Q51流入儲能電感L15,然后經(jīng)過(guò)濾波電容濾波后,輸出1.25V供電電壓。
同時(shí)電源管理芯片的電壓反饋端FB1FB2會(huì )將輸出的2.5V1.25V供電電壓反饋給電源管理芯片同標準電壓作比較。如果輸出的電壓與標準的電壓不相同(誤差在7%以?xún)纫暈檎#,電源管理芯片將調整DH1,DH2端和DL1,DL2端的輸出方波的幅寬,使輸出的2.5V1.25V供電電壓得到調整,直到輸出電壓在標準電壓范圍內。
3#
pcxiaolong  | 發(fā)表于 2012-7-25 02:24:37 | 只看該作者 來(lái)自 中國河南鄭州
占樓層 明天繼續編輯  與大家學(xué)習 % K( m# z& _; F% ]4 f5 Y/ _
4#
pcxiaolong  | 發(fā)表于 2012-7-25 02:25:13 | 只看該作者 來(lái)自 中國河南鄭州
占樓層 明天繼續編輯  與大家學(xué)習 % @( Q+ h; C5 \) L% Q' c! v
5#
pcxiaolong  | 發(fā)表于 2012-7-25 02:25:46 | 只看該作者 來(lái)自 中國河南鄭州
本帖最后由 pcxiaolong 于 2012-8-1 23:55 編輯
: J5 n  S/ s$ m3 d% t
+ }) ]+ a9 p/ u% l$ TDDR2內存供電電路詳解) O% W# v5 O! r0 L
DDR2內存供電電路主要采用開(kāi)關(guān)電源供電方式,開(kāi)關(guān)電源組成DDR2內存供電電路主要由電源管理芯片,場(chǎng)管,電感和濾波電容等組成。) k9 Q1 [9 a/ [6 R( F7 F
就以ISL6537ACR為例) S. u) ~1 @9 y! d
針腳定義
' ?. @. V. b2 k1 M: c1 j$ E& X
名稱(chēng)# N  m  u: g, N5 N( m
功能7 w/ b* V# o3 ?/ ]8 W# ?1 |
1
# X" m. L3 e" T- {6 @2 @% v; l
5VSBY
8 \8 _7 I, z) c$ ?' X7 e
+5V待機供電電壓輸入端  g& I& e, E  W$ ?$ e! U7 r( {
2) x$ _) ?7 K8 z7 c% G8 E
S3#
5 m5 l- c' T4 d
SLP_S3/5#待機模式設定! h; g+ k: n& h) ?" O
3* v; O/ S4 q& C# Z, T
P12V- `" i! a3 A" e# c" W
12V供電電壓輸入端
; c, D  \: F! o4 U
49 o: t- Q4 [2 O
GND1
8 r4 p) j) p# s
接地端7 O4 J7 u; Q: u' z1 Y* n
5
/ v/ s2 y% M. X1 X1 Q: G* s
DDR_VTT1' b' _. g' U1 y; z
在S0/S1睡眠模式下,為VTT電壓輸出端;在S3睡眠模式下為禁能(無(wú)輸出)- Q4 j3 ^) l$ Q$ m' I8 {# b0 v
6
' u% J8 i0 x- u2 I! C
DDR_VTT27 [: y6 w: R+ G* }" I2 f
70 B) ]: `2 ]& P, y0 a% @" L
VDDQ1
( ^5 `' k2 G* g4 r4 Q% C! J
VDD電壓檢測輸入端1,在S0/S1睡眠模式下,它作為輸入腳+ P$ C# Q2 j9 M5 f" e! X
80 b4 C  Y( D, |
VDDQ2# v5 _0 W6 ]  r% s: e0 d) w( D! _
VDD電壓檢測輸入端2,在S0/S1睡眠模式下,它作為輸入腳
3 o& n+ H& Q; y6 s5 }" t, P
9) D6 ^* t% ?4 F- H9 `- x
DDR_VTTSNS( O1 G: O+ X: M2 H1 c6 I6 [; B
DDE_VTT反饋電壓輸入端
$ A6 I5 L: J: z
10
/ P8 f' K) C! Y
DRIVE2& L# d8 ?& A$ S& k4 a( S
驅動(dòng)信號輸出端7 v7 E7 A1 X; ^4 V
11
! }7 i" ^* C0 N2 E! W- J! e$ [
FB2( M( c& _  [* C) E4 c0 Z
反饋端22 e7 o$ U" T- W8 S* G: N
12* q( z9 {; ?2 F" s- V' C5 x4 Y2 A
VIDPGD9 e) W7 x8 ?9 M
PG信號輸出端。在S0/S1/S2待機模式下,此信號為高電平,在S4/S5待機模式下,此信號為低電平4 {8 T* W5 u5 W! X5 |; q7 [9 |' g8 g
139 r$ F8 {/ A3 K) i6 W; _
VREF_OUT
4 L* W  C$ C+ B/ V" B  N
VTT基準電壓輸出端0 ?: G2 L/ Y. ]
14
1 \0 f3 c. k+ P9 g6 Z: p3 ]
VREF_IN+ _( e$ l) Z) N# N; h6 f8 Q
基準電壓輸入端。通常通過(guò)一個(gè)電容接地. W, |6 @. d, F: a' b( H
150 Y4 [& h3 s: m, G
FB: w. V) W3 t/ h" a- C5 G' T
反饋端1/ d! ^; @: P6 O* ~6 b  {
163 p. W1 n% p# J
COMP
  a- O4 @! B3 a
誤差放大器輸出端,通常作為補償端
3 G) i4 V3 `; M' t1 |, l
17
  ]3 ?, C+ I$ a8 Q1 u) b( }
COMP4
6 V( r. @* `9 [2 U
誤差放大器輸出端4,通常作為補償端
3 r% y* W: [" W2 i6 @* a
18
5 v& R% L" l. u" j5 ?
FB47 G6 s( u7 }' o* ?, E5 {% j
反饋端4! R3 T( ^. e2 S* x
19
' Y/ {& o4 J, F3 {- p
PWM4
3 I2 H5 F6 L9 D" K8 G9 K5 x
驅動(dòng)信號輸出端4
& [) [# g  K1 X6 V
20) {1 a% @7 F  F( Z  S; l  s
FB3& E6 v) q- D* _( u8 s6 e- P; G6 h
反饋端3* O5 G' v7 L2 r  e) y( X
21
# t6 `8 ?4 W# s" g" ^
DRIVE3' m9 B. f0 {0 U. f: E- t
驅動(dòng)信號輸出端3
- i: \' y7 Y. d, F" |& t' \' G5 H
22
( ^, k7 Y8 \5 E  T8 t- `9 t
OCSET
0 X2 ~/ w  z7 V5 r
電源允許輸出端
6 q$ o9 {& |9 g. X6 J8 L$ a
23' t& C& T' |* r% x( _
S5#0 g9 ^( L! @5 N  }) T& C2 v
SLP_S5#睡眠模式設定
0 \) T( P1 v/ G: r9 z5 Y
24
$ R1 ?# |% {4 E
PHASE
$ x/ u/ w. l: v6 C1 x: T
電流檢測輸入端
& W) t9 s$ c# o5 G
25" n" v/ p8 a: d
BOOT
( r( L& @+ `6 U
自舉端,通常連接電源VCC
& A. ^  _6 n$ D$ g
26
1 B& l1 |% @0 i& ^$ Y5 x; d* U2 |
UGATE8 |: x; j) a6 k) Q
上開(kāi)關(guān)管驅動(dòng)信號輸出端2 A4 f6 U' g* D  {6 r- k# [( p
27
. c2 ]& t' a" G7 P  p* \7 f$ G
GND2
3 d& i" |/ C3 i& B  A$ C
接地端  o- g2 x2 p7 ^  T; C: [, G
28
. V1 g% a" Z% r# M) _1 r) D
LGATE  g+ u0 ^7 i3 V# W6 }# R
下開(kāi)關(guān)管驅動(dòng)信號輸出端, d) j+ `5 J7 w& D0 l
* K* E) [- b- Y2 K$ m
$ W, ]( i2 p) V- p, f' V
/ ~# r- S- G3 B( ?
ISL6537ACR的OCSET引腳為電源允許輸出端,此腳只有為高電平時(shí),電源管理芯片才輸出電壓。S3#和S5#引腳為兩個(gè)控制信號輸入端,這兩個(gè)引腳直接連接開(kāi)機控制芯片或南橋芯片,由開(kāi)機控制芯片或是南橋發(fā)送控制信號,控制電源管理芯片開(kāi)始工作,開(kāi)機后開(kāi)機控制芯片的控制電路啟動(dòng)。VIDPGD引腳為復位信號輸出引腳,在芯片輸出電壓正常后,輸出PG復位信號,由電源管理芯片開(kāi)始工作后,內部的PWM控制器會(huì )從這兩個(gè)引腳輸出兩路相反地脈沖信號,驅動(dòng)控制兩個(gè)場(chǎng)管的導通與截止;然后5V待機電壓經(jīng)過(guò)濾波電感L5,濾波電容C38,C44,C52,場(chǎng)管Q3,Q4,及儲能電感L1和濾波電容C26,C10后,輸出1.8V供電電壓,為內存提供供電。FB和COMP引腳組成的回路為1.8V電壓輸出反饋回路。用來(lái)偵測輸出的1.8V電壓是否有偏差。
/ n! W8 R6 T) _    DRIVE3和DRIVE2為兩個(gè)驅動(dòng)脈沖信號輸出端,通過(guò)控制場(chǎng)效應管Q19,Q20的導通與截止,輸出1.5V和1.05V供電電壓。VREF_IN為基準電壓輸入端,FB2,FB3為反饋端。用于偵測輸出的電壓是否有偏差。DDR_VTT1和DDR_VTT2引腳為芯片內部功率電路輸出端,通過(guò)內部調電壓處理,可以輸出0.9V上拉電壓。
) T4 G4 K) F, b) j) y0 L! g# n 電路圖  會(huì )補上  
1 v; n5 ~- G3 k5 R/ T  r
6#
pcxiaolong  | 發(fā)表于 2012-7-25 02:26:41 | 只看該作者 來(lái)自 中國河南鄭州
占樓層 明天繼續編輯  與大家學(xué)習
4 q7 ?6 }9 p2 `$ e. c4 E( ]9 Q' {/ c
7#
pcxiaolong  | 發(fā)表于 2012-7-25 02:31:29 | 只看該作者 來(lái)自 中國河南鄭州
占樓層 明天繼續編輯  與大家學(xué)習
+ v6 b5 E" {, _1 X
8#
wenlong521914 發(fā)表于 2012-7-25 07:54:33 | 只看該作者 來(lái)自 中國江蘇無(wú)錫
路過(guò),看看
9#
hh浩浩 發(fā)表于 2012-7-25 09:30:47 | 只看該作者 來(lái)自 中國浙江杭州
不錯  來(lái)看看
10#
derryshieh 發(fā)表于 2012-7-25 12:10:51 | 只看該作者 來(lái)自 中國廣東深圳
大道理大家都知道,搞點(diǎn)實(shí)際案例來(lái)分析一下啊
11#
pcxiaolong  | 發(fā)表于 2012-7-25 14:36:54 | 只看該作者 來(lái)自 中國河南鄭州
今天晚上繼續編輯  我也是學(xué)習 加深記憶
12#
comeday 發(fā)表于 2012-8-23 14:00:30 | 只看該作者 來(lái)自 中國北京
不錯,以后繼續看。希望樓主不要再用紅色字體,紅色字體看著(zhù)不舒服。
13#
pcxiaolong  | 發(fā)表于 2012-8-23 14:18:11 | 只看該作者 來(lái)自 中國河南鄭州
, b# N' D. U) V2 L7 |/ B5 X
好的  謝謝你的提醒  黑色
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