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本帖最后由 哼哈二將 于 2016-4-21 15:00 編輯
就緒/忙(Ready/Busy,R/B#):假如NAND器件忙,R/B#信號將變低。應該在信號漏極開(kāi)路,需要采用上拉電阻數據每次進(jìn)/出NAND寄存器都是通過(guò)16位或8位接口當進(jìn)行編程操作的時(shí)候,等待編程的數據進(jìn)入數據寄存器,處于在WE+信號的上升沿。在寄存器內可以隨機存取或移動(dòng)數據,采用專(zhuān)用指令以便隨機存取。
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2016-4-21 14:50 上傳
1、當硬盤(pán)供電OK時(shí),CPU對硬盤(pán)電壓檢測,產(chǎn)生電壓檢測信號通過(guò)R137 50K電阻1.8V電壓分別檢測硬盤(pán)的兩路總線(xiàn)接口A(yíng)NCO,ANCI。
2、硬盤(pán)自身產(chǎn)生一個(gè)1.2V通過(guò)電容C50濾波。
3、CPU發(fā)出到硬盤(pán)的寫(xiě)信號WE兩路總線(xiàn)接口。
4、CPU發(fā)出讀信號RE,兩路總線(xiàn)接口。
5、CPU發(fā)出指令鎖存信號CLE到硬盤(pán)。
6、CPU發(fā)出地址鎖存信號ALE到硬盤(pán)。
7、硬盤(pán)就緒忙信號動(dòng)作R/B。
8、CPU發(fā)出數據脈沖信號DQS到硬盤(pán),保持同步。
9、通信接口A(yíng)NCO,ANCI開(kāi)始通信。
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2016-4-21 14:50 上傳
iPhone5s硬盤(pán)接口類(lèi)型圖解(圖2)
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2016-4-21 14:50 上傳
iPhone5s硬盤(pán)接口類(lèi)型圖解(圖3)
除了I/O總線(xiàn),NAND接口出6個(gè)主要控制信號構成:
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2016-4-21 14:50 上傳
iPhone5s硬盤(pán)接口類(lèi)型圖解(圖4)
1、芯片啟動(dòng)(Chip Enable,CE#):如果沒(méi)有檢測到CE信號,那么NAND器件就保持待機模式,不對任何控制信號作出相應。
2、寫(xiě)使能(Wrile Enable,WE#):WE#負責將數據、地址或指令寫(xiě)入NAND之中。
3、讀使能(Read Enable,RE#):RE#允許輸出數據緩沖器。
4、指令鎖存使能(Commuud latch Enable,CLE):當CLE為高時(shí),在WE#信號的上升,指令被鎖存到NAND指令寄存器中。
5、地址鎖存使能(Address latch Enable,AIE):當ALE為高時(shí),在WE#信號的上升沿,地址被鎖存到NAND地址寄存器中。
6、DQS數據選通脈沖信號,它的功能主要用來(lái)在一個(gè)時(shí)鐘周期內準確的區別每個(gè)傳輸周期,并便于接收方準確的接收數據,每一項芯片都有一個(gè)DQS信號線(xiàn),它是雙向的,在寫(xiě)入時(shí)它用來(lái)轉送由CPU發(fā)來(lái)的DQS信號,讀取是則由芯片生成DQS信號,向CPU發(fā)送。完全可以說(shuō)是數據的同步信號。
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2016-4-21 14:51 上傳
iPhone5s硬盤(pán)接口類(lèi)型圖解(圖5)
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