深度分析iPhone7短路燒基帶的原因

深度分析iPhone7短路燒基帶的原因

　　這幾天，手機維修行業(yè)最熱門(mén)話(huà)題莫過(guò)于iPhone7短路燒基帶了，PP_1V0_SMPS5短路燒基帶的問(wèn)題已經(jīng)好長(cháng)一段時(shí)間了，行業(yè)內技術(shù)大神很多，維修方法早已傳遍，“防”的方法有飛線(xiàn)，“治”的方法有電擊、并電阻等(當然很多是治不好的)，甚至有研究改識別電阻成工程版的，誰(shuí)第一個(gè)這么修無(wú)從查起。很多大牛都默默的修，就是不愛(ài)說(shuō)。包括咱們迅維自己的維修團隊，很多東西不追問(wèn)，就很少主動(dòng)分享出來(lái)。

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　　究其原因是93腳接地斷開(kāi)了，恰好今天店里有一臺7，馬上找工程師拍了個(gè)圖給我�？吹�?jīng)]？左下角的2個(gè)已經(jīng)掉了，為了方便閱讀理解，再對照點(diǎn)位圖看下吧！都是接地點(diǎn)。

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　　這里不評論誰(shuí)家好壞，其實(shí)都沒(méi)錯，但是不夠完美。要我說(shuō)把這四個(gè)點(diǎn)都連起來(lái)也多不了多少成本，0.5cm的銅線(xiàn)值多少錢(qián)！如果不嫌麻煩，主板上每條線(xiàn)路都來(lái)一條加強，那就雙保險了。哈哈^_^。

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　　那為什么接地腳掉了會(huì )導致燒基帶呢？網(wǎng)絡(luò )分析文章也有，但沒(méi)有深入分析的，我也來(lái)班門(mén)弄斧一回，嘗試更深層次的挖掘原理。以下內容由我和抓波大神阿林老師協(xié)作完成。

~~~~~~~~~~~~~~~我是分界線(xiàn)~~~~~~~~~~~~~~~~

　　首先，我們來(lái)看下7代基帶電源（為了便于理解，截圖經(jīng)過(guò)精簡(jiǎn)）。截圖中左邊輸入有VDD_S2~VDD_S5、VDD_L1~VDD_L9，這里的S表示SMPS開(kāi)關(guān)電源，L表示LDO低壓線(xiàn)性穩壓。右邊輸出有VREG_S*、VSW_S*、VREG_L*，VREG是電壓調節，SW就是平常說(shuō)的相位腳（會(huì )電路維修的都知道）,*數字表示第幾路。

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　　看下開(kāi)關(guān)電源中關(guān)于SW的英文解釋吧！看不懂的自行百度/谷歌翻譯：This pin is connected to the buck-switching node,close to the upper  MOSFET’s source. It is the float-ing return for the upper MOSFET drive  signal. It is also used to monitor the switched voltage to prevent turn-on  of the lower MOSFET until the voltage is below ~1  V。

　　就算看不懂，你也應該看到了MOSFET，對，就是MOS管。手機中的電源芯片不同于電腦，由于高集成度不得不把基礎元件都集成到內部，僅把儲能電感電容置于外部。為了便于理解，我找了一個(gè)相似的電源芯片。同樣我把多余的東西都去掉了。

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解釋下引腳的定義：

　　PVDD：功率電源輸入，供給輸出的開(kāi)關(guān)管（電流大）；

　　LX：相位腳。內部功率MOSFET開(kāi)關(guān)輸出，此引腳連接到輸出電感；

　　FB：反饋，電壓要穩定，閉環(huán)控制不可少，固定電壓輸出方式的直接接到輸出端，通俗點(diǎn)來(lái)說(shuō)就是讓電源芯片知道實(shí)際輸出多少，是否符合電源芯片的要求；

　　PGND：功率輸出地（電流大）；

　　GND：模擬信號地。

　　看下內部結構，找一下集成的MOS管吧！

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PVDD、LX、PGND之間的工作關(guān)系：

　　上半周期：上管導通，下管截止，VIN通過(guò)上管給負載供電，同時(shí)電容儲能。

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　　下半周期：上管截止，由于流經(jīng)電感的電流突然消失，電感產(chǎn)生反向電動(dòng)勢，LC儲能電路的電流經(jīng)負載，到接地，再到下管，再回流到電感，形成放電回路。

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　　前面框圖中PGND和GND是分開(kāi)的，如果PGND開(kāi)路下管無(wú)法形成放電回路，功率電感只進(jìn)行充電動(dòng)作，沒(méi)放電動(dòng)作，輸出電壓將升高，由于FB存在，模塊關(guān)閉上管，電路進(jìn)入保護狀態(tài)。

　　如果GND和PGND同時(shí)開(kāi)路（就是上面圖中掉焊盤(pán)了的情況），模塊不工作，上管G為低電平，由于上管是P管，G為低電平時(shí)候，SD導通，S級接PVDD，D輸出PVDD電平，會(huì )造成后面的電路電壓過(guò)高而損壞。再看看手機電路中的S5模塊：

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　　電路超級簡(jiǎn)潔，輸入電壓來(lái)自PP_VDD_MAIN，93腳GND_S5注意這個(gè)GND包含兩個(gè)功能：1模擬地；2功率地。

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　　當GND_S5完全斷開(kāi)后VSW_S5電壓將持續等于PP_VDD_MAIN,造成后面的基帶芯片電壓過(guò)高燒壞。原來(lái)只能承受1V左右的模塊，施加一個(gè)4V多的電壓，不壞才怪。

     說(shuō)了這么多，我們來(lái)做個(gè)實(shí)驗吧（為了便于操作我沒(méi)有選擇手機主板，以下結果僅供參考�？赡芴O(píng)果電源芯片內部設計更嚴密，但總體是相符的，有興趣的可以自行實(shí)驗）。找一片含RT8105的板，挖掉2腳和5腳的接地。

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　　焊上芯片，飛入供電3.3V。

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　　然后從芯片的接地腳飛出一根線(xiàn)，用于手動(dòng)接地（圖中紅細線(xiàn)）。

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　　接地狀態(tài)下，芯片正常輸出1.5V電壓。

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　　當我把接地線(xiàn)斷開(kāi)后輸出電壓瞬間變成了3.3V而后變?yōu)?，好興奮！可惡，居然忘記抓波拍照。那么再來(lái)一次吧，抓個(gè)好波。悲劇來(lái)了，芯片燒掉了，變成持續輸出3.3V。

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　　第一個(gè)芯片，英勇?tīng)奚�了，圍觀(guān)的有一大波學(xué)員，這芯片也太脆弱了，這么多人圍觀(guān)就頂不住了？換！這次做好了準備抓波，嘿嘿！怎么回事？2.*V？持續？又特么掛了？

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　　沒(méi)有沒(méi)有~看下面的圖片吧！接地時(shí)正常輸出1.5V，不接地時(shí)輸出2.4V。

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　�。ㄑb逼完畢）！

分析的很到位

有金幣還不能買(mǎi)文章看.那之前發(fā)的錢(qián)真的白發(fā)了嗎

事實(shí)如此，希望維修同行都能發(fā)揚無(wú)私奉獻的風(fēng)格，不要只做潛水黨