內存技術(shù)術(shù)語(yǔ)不完全手冊

Access Time
　Access Time（存取時(shí)間），RAM 完成一次數據存取所用的平均時(shí)間（以納秒為單位）。存取時(shí)間等于地址設置時(shí)間加延遲時(shí)間（初始化數據請求的時(shí)間和訪(fǎng)問(wèn)準備時(shí)間）。

Address
　Address（地址），就是內存每個(gè)字節的編號。目的是按照該編號準確地到該編號的內存去存取數據

Async SRAM
　Async SRAM（異步靜態(tài)內存），一種較為陳舊的SRAM，通常用來(lái)做電腦上的Level 2 Cache。

Bandwidth
　Bandwidth （帶寬） 1、傳輸數據信息的能力。信息交換的形式多種多樣，可以通過(guò)但根電線(xiàn)，也可以通過(guò)總線(xiàn)或信道的并行線(xiàn)。一言以蔽之，就是單位時(shí)間內數據的移動(dòng)量，通常用位 / 秒、字節/秒或赫茲（周/秒）表示。 2、內存的數據帶寬：一般指內存一次能處理的數據寬度，也就是一次能處理若干位的數據。30線(xiàn)內存條的數據帶寬是8位，72線(xiàn)為32位，168線(xiàn)可達到 64位

Bank
　Bank （內存庫） 在內存行業(yè)里，Bank至少有三種意思，所以一定要注意。 1、在SDRAM內存模組上，"bank 數"表示該內存的物理存儲體的數量。（等同于"行"/Row） 2、Bank還表示一個(gè)SDRAM設備內部的邏輯存儲庫的數量。（現在通常是4個(gè)bank）。 3、它還表示DIMM 或 SIMM連接插槽或插槽組，例如bank 1 或 bank A。這里的BANK是內存插槽的計算單位（也叫內存庫），它是電腦系統與內存之間數據總線(xiàn)的基本工作單位。只有插滿(mǎn)一個(gè)BANK，電腦才可以正常開(kāi)機。舉個(gè)例子，奔騰系列的主板上，1個(gè)168線(xiàn)槽為一個(gè)BANK，而2個(gè)72線(xiàn)槽才能構成一個(gè)BANK，所以72線(xiàn)內存必須成對上。原因是，168線(xiàn)內存的數據寬度是64位，而72線(xiàn)內存是32位的。主板上的BANK編號從BANK0開(kāi)始，必須插滿(mǎn)BANK0才能開(kāi)機，BANK1以后的插槽留給日后升級擴充內存用，稱(chēng)做內存擴充槽。


Bank Schema
　Bank Schema（存儲體規劃），一種圖解內存配置的方法。存儲體規劃由若干用來(lái)表示電腦主板上的內存插槽的行或列組成。行表示獨立的插槽；列代表bank數。

BEDO
　BEDO (Burst EDO RAM) －突發(fā)模式EDO隨機存儲器，BEDO內存能在一個(gè)脈沖下處理四個(gè)內存地址。形象地說(shuō)，它一次可以傳輸一批數據�？偩�(xiàn)的速度范圍從50MHz 到 66MHz (與此相比，EDO內存速度是33MHz，FPM內存的速度是25MHz)。

bga封裝技術(shù)
　BGA (Ball Grid Array)－球狀引腳柵格陣列封裝技術(shù)，高密度表面裝配封裝技術(shù)。在封裝的底部，引腳都成球狀并排列成一個(gè)類(lèi)似于格子的圖案，由此命名為BGA。目前的主板控制芯片組多采用此類(lèi)封裝技術(shù)，材料多為陶瓷。

BLP
　BLP－底部引出塑封技術(shù)，新一代內存芯片封裝技術(shù)，其芯片面積與封裝面積之比大于1：1.1，符合CSP封裝規范。此類(lèi)內存芯片不但高度和面積小，而且電氣特性也得到了提高。

Buffer
　Buffer－緩沖區，一個(gè)用于存儲速度不同步的設備或優(yōu)先級不同的設備之間傳輸數據的區域。通過(guò)緩沖區，可以使進(jìn)程之間的相互等待變少，從而使從速度慢的設備讀入數據時(shí)，速度快的設備的操作進(jìn)程不發(fā)生間斷。

Buffered Memory
　Buffered Memory，帶有緩存的內存條。緩存能夠二次推動(dòng)信號穿過(guò)內存芯片，而且使內存條上能夠放置更多的內存芯片。帶緩存的內存條和不帶緩存的內存條不能混用。電腦的內存控制器結構，決定了該電腦上帶緩存的內存還是上不帶緩存的內存。

CAS
　CAS (Column Address Strobe)－列地址選通脈沖，在內存的尋址中，鎖定數據地址需要提供行地址和列地址，行地址的選通由RAS控制，列地址的選通由CAS決定。

CAS Latency
　列地址選通脈沖時(shí)間延遲，CL反應時(shí)間是衡定內存的另一個(gè)標志。CL是CAS Latency的縮寫(xiě)，指的是內存存取數據所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是內存接到CPU的指令后的反應速度。一般的參數值是2和3兩種。數字越小，代表反應所需的時(shí)間越短。在早期的PC133內存標準中，這個(gè)數值規定為3，而在Intel重新制訂的新規范中，強制要求CL的反應時(shí)間必須為2，這樣在一定程度上，對于內存廠(chǎng)商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時(shí)也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因此在選購品牌內存時(shí)，這是一個(gè)不可不察的因素。

CF卡
一種袖珍閃存卡，（compact flash card）。像pc卡那樣插入數碼相機，它可用適配器，（又稱(chēng)轉接卡），使之適應標準的pc卡閱讀器或其他的pc卡設備。

cf存儲卡的部分結構采用強化玻璃及金屬外殼，cf存儲卡采用standard ata/ide接口界面，配備有專(zhuān)門(mén)的pcm-cia適配器（轉接卡），筆記本電腦的用戶(hù)可直接在pcmcia插槽上使用，使數據很容易在數碼相機與電腦之間傳遞。

Checksum
　Checksum－檢驗和，校驗和。在數據處理和數據通信領(lǐng)域中，用于校驗目的的一組數據項的和。這些數據項可以是數字或在計算檢驗和過(guò)程中看作數字的其它字符串。

Compact Flash
　Compact Flash（緊湊式閃存），一種結構輕小的存儲器，用于可拆卸的存儲卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作電壓低，掉電后數據不丟失。應用范圍包括：數碼相機、移動(dòng)電話(huà)、打印機、掌上電腦、尋呼機，以及錄音設備。

C-RIMM
　Continuity RIMM (C-RIMM)－連續性總線(xiàn)式內存模組，一種不帶內存芯片的直接總線(xiàn)式內存模組（Direct Rambus）。C-RIMM 為信號提供了一個(gè)連續的通道。在直接總線(xiàn)式內存系統中，開(kāi)放的連接器必須安裝C-RIMM。

CSP
　Chip-Scale Package（芯片級封裝），薄芯片封裝，其電路連接通常是采用BGA（球狀引腳格狀陣列）。這種封裝形式一般用于RDRAM（總線(xiàn)式動(dòng)態(tài)內存）和 flash memory（閃存）。

CSRAM
　同Pentium II Xeron匹配的一種高速緩存，容量為512KB。

DDP電路
　DDP(Double Detect and Protect:二重探測與保護)，它可以使Space對輸入的信號不再重復處理，同時(shí)對聲音的頻率和方向進(jìn)行探測,而且自動(dòng)調整,得到最佳的效果。

DDR
　DDR（Dual Data Rate SDRSM）是最新的內存標準之一，在系統時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數據傳輸，因此即使在133MHz的總線(xiàn)頻率下，帶寬也能達到約2.1GB/S，為SDRAM的的兩倍左右。

DDR SDRAM
　DDR 是雙倍數據速率（Double Data Rate）。從名稱(chēng)上可以看出，這種內存在技術(shù)上，與SDRAM有著(zhù)密不可分的關(guān)系，事實(shí)上，DDR內存就是SDRAM內存的加強版。它主要是利用時(shí)鐘脈沖的上升沿與下降沿傳輸數據，相當于原來(lái)兩倍的頻率的工作效率。 DDR只是對SDRAM技術(shù)做了一些加強，所以生產(chǎn)SDRAM的生產(chǎn)線(xiàn)極容易改建于DDR的生產(chǎn)。不過(guò)DDR內存為保持較高的數據傳輸率，電氣信號必須要求能較快改變，因此采用了2.5伏的SSTL2標準，其管腳數為184線(xiàn)，與SDRAM在主板上無(wú)法實(shí)現兼容。 DDR SDRAM有著(zhù)先天性的優(yōu)勢，因此，取代SDRAM只是時(shí)間上的問(wèn)題，相信隨著(zhù)DDR內存體系的愈加成熟，與SDRAM體系結構間的性能會(huì )越拉越大，那時(shí)也正是DDR全面鋪進(jìn)千家萬(wàn)戶(hù)的時(shí)刻。

DDR內存
　DDR （Dual date rate） SDRAM 稱(chēng)為"雙倍速率SDRAM"，在133MHz的前端總線(xiàn)頻率下，帶寬可達2.128GB/S。它的工作原理是其能在控制時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數據傳輸（而SDRAM只在控制時(shí)鐘的下降沿進(jìn)行數據傳輸），因此在一次控制信號過(guò)程中，DDR SDRAM能進(jìn)行兩次的數據交換，這也就是它為什么又如此高的帶寬。

DIMM
　Dual -Inline-Menory-Modules,即雙列直插式存儲模塊。這是在奔騰CPU推出后出現的新型內存條，DIMM提供了64位的數據通道，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱(chēng)為168線(xiàn)內存條。它要比SIMM插槽要長(cháng)一些，并且它也支持新型的168線(xiàn)EDO-DRAM存儲器。就目前而言，適用DIMM的內存芯片的工作電壓一般為3.3V（使用EDORAM內存芯片的168線(xiàn)內存條除外），適用于SIMM的內存芯片的工作電壓一般為5V（使用EDORAM或FBRAM內存芯片），二者不能混合使用。

DIMM
　DIMM （Dual In-line Memory Modules），雙邊接觸內存模組。也就是說(shuō)這種類(lèi)型接口內存的插板兩邊都有數據接口觸片，這種接口模式的內存廣泛應用于現在的計算機中，通常為84 針，由于是雙邊的，所以共有84×2=168線(xiàn)接觸，所以人們常把這種內存稱(chēng)為168線(xiàn)內存。

DIP
　DIP （Dual In-line Package）-雙列直插式封裝，雙入線(xiàn)封裝，DRAM的一種元件封裝形式。DIP封裝的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷電路板的小孔上。在內存顆粒直接插在主板上的時(shí)代，DIP 封裝形式曾經(jīng)十分流行。 DIP還有一種派生方式SDIP（Shrink DIP,緊縮雙入線(xiàn)封裝），它比DIP的針腳密度要高6六倍。

Direct Rambus
　Direct Rambus－直接總線(xiàn)式隨機存儲器，Rambus 技術(shù)的第三代產(chǎn)品，它為高性能的PC機提供了一種全新的DRAM 結構�，F在的SDRAM在64-bit的寬帶總線(xiàn)上速度只有100MHz；與此相對照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其數據傳輸速度可高達800MHz。

Direct RDRAM
　Direct RDRAM（直接總線(xiàn)式動(dòng)態(tài)隨機存儲器），該設備的控制線(xiàn)和數據線(xiàn)分開(kāi)，帶有16位接口、帶寬高達800 MHz，效率大于90% 。一條Direct RDRAM 使用兩個(gè)8-bit 通道、工作電壓2.5V ，數據傳輸率可達到1.6 GBps 。它采用一個(gè)分離的8位總線(xiàn)（用于地址和控制信號），并拓寬了8到16位或9到18位數據通道，時(shí)鐘達到400 MHz ，從而在每個(gè)針（pin）800Mbps的情況下（共計1.6 GBS）使可用數據帶寬最大化。

DMA
　它的意思是直接存儲器存取，是一種快速傳送數據的機制，DMA技術(shù)的重要性在于，利用它進(jìn)行數據存取時(shí)不需要CPU進(jìn)行干預，可提高系統執行應用程序的效率。利用DMA傳送數據的另一個(gè)好處是，數據直接在源地址和目的地址之間傳送，不需要是中間媒介。

DRAM
　動(dòng)態(tài)內存。該內存中的內容在系統掉電時(shí)會(huì )完全丟失。DRAM中主要包含路由表，ARP緩存，fast-switch緩存，數據包緩存等。DRAM中也包含有正在執行的路由器配置文件。

DRAM
　DRAM （Dynamic RAM），動(dòng)態(tài)隨機存儲器。需要用恒電流以保存信息，一斷電，信息即丟失。其接口多為72線(xiàn)的SIMM類(lèi)型。雖然它的刷新頻率每秒鐘可達幾百次，但是由于它采用同一電路來(lái)存取數據，所以存取時(shí)間有一定的間隔，導致了它的存取速度不是很快。在386、486時(shí)期被普遍應用。

ECC
　ECC （Error Correcting Code）－錯誤更正碼，糾錯碼。ECC是用來(lái)檢驗存儲在DRAM中的整體數據的一種電子方式。ECC在設計上比parity更精巧，它不僅能檢測出多位數據錯誤，同時(shí)還可以指定出錯的數位并改正。通常ECC每個(gè)字節使用3個(gè)Bit來(lái)糾錯，而parity只使用一個(gè)Bit。ECC另有一種解釋是Error Checking

ECC內存
　全稱(chēng)Error Checkingand Correcting。它也是在原來(lái)的數據位上外加位來(lái)實(shí)現的。如8位數據，則需1位用于Parity檢驗，5位用于ECC，這額外的5位是用來(lái)重建錯誤的數據的。當數據的位數增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，當數據為64位時(shí)所用的ECC和Parity位數相同(都為。在那些Parity只能檢測到錯誤的地方，ECC可以糾正絕大多數錯誤。若工作正常時(shí)，你不會(huì )發(fā)覺(jué)你的數據出過(guò)錯，只有經(jīng)過(guò)內存的糾錯后，計算機的操作指令才可以繼續執行。當然在糾錯時(shí)系統的性能有著(zhù)明顯降低，不過(guò)這種糾錯對服務(wù)器等應用而言是十分重要的，ECC內存的價(jià)格比普通內存要昂貴許多。

EDO DRAM
　EDO DRAM（Extended Data Output RAM），擴展數據輸出內存。是Micron公司的專(zhuān)利技術(shù)。有72線(xiàn)和168線(xiàn)之分、5V電壓、帶寬32bit、基本速度40ns以上。傳統的DRAM 和FPM DRAM在存取每一bit數據時(shí)必須輸出行地址和列地址并使其穩定一段時(shí)間后，然后才能讀寫(xiě)有效的數據，而下一個(gè)bit的地址必須等待這次讀寫(xiě)操作完成才能輸出。EDO DRAM不必等待資料的讀寫(xiě)操作是否完成，只要規定的有效時(shí)間一到就可以準備輸出下一個(gè)地址，由此縮短了存取時(shí)間，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有較高的性/價(jià)比，因為它的存取速度比FPM DRAM快15%，而價(jià)格才高出5%。

EDORAM
　擴展數據輸出內存。EDORAM是通過(guò)取消兩個(gè)存儲周期之間的時(shí)間間隔，來(lái)提高存取速率的。通常，在一個(gè)DRAM陣列中讀取一個(gè)單元時(shí)，首先充電選擇一行然后再充電選擇一列，這些充電線(xiàn)路在穩定之前會(huì )有一定的延時(shí)，制約了RAM的讀寫(xiě)速度。EDO技術(shù)假定下一個(gè)要讀寫(xiě)的地址和當前的地址是連續的（一般是這樣），在當前的讀寫(xiě)周期中啟動(dòng)下一個(gè)讀寫(xiě)周期，從而可將RAM速度提高約30%。但是，EDORAM僅適用于總線(xiàn)速度小于或等于66MHz的情況，是97 年最為流行的內存。

EEPROM
　EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電后數據不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或專(zhuān)用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用（Plug

ESDRAM
　ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增強型同步動(dòng)態(tài)內存，Enhanced Memory Systems, Inc 公司開(kāi)發(fā)的一種SDRAM，帶有一個(gè)小型的靜態(tài)存儲器。在嵌入式系統中， ESDRAM代替了SRAM（靜態(tài)隨機存儲器），其速度與SRAM相當，但成本和耗電量卻比后者低得多。

FLASH內存
　FLASH是一種可擦寫(xiě)、可編程的ROM，FLASH包含IOS及微代碼�？梢园阉�想象和PC機的硬盤(pán)功能一樣，但其速度快得多�？梢酝ㄟ^(guò)寫(xiě)入新版本和OS對路由器進(jìn)行軟件升級。FLASH中的程序，在系統掉電時(shí)不會(huì )丟失。

FPM DRAM
　FPM DRAM（Fast Page Mode RAM）:　快速頁(yè)面模式內存。是一種在486時(shí)期被普遍應用的內存。72線(xiàn)、5V電壓、帶寬32bit、基本速度60ns以上。它的讀取周期是從 DRAM陣列中某一行的觸發(fā)開(kāi)始，然后移至內存地址所指位置，即包含所需要的數據。第一條信息必須被證實(shí)有效后存至系統，才能為下一個(gè)周期作好準備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，因為CPU必須傻傻的等待內存完成一個(gè)周期。隨著(zhù)性能/價(jià)格比更高的EDO DRAM的出現和應用，它只好退出市場(chǎng)。

Interleaving
　Interleaving（交叉存取技術(shù)），加快內存速度的一種技術(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，將存儲體的奇數地址和偶數地址部分分開(kāi)，這樣當前字節被刷新時(shí)，可以不影響下一個(gè)字節的訪(fǎng)問(wèn)。

JEDEC
　JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council），電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì )。JEDEC是由生產(chǎn)廠(chǎng)商們制定的國際性協(xié)議，主要為計算機內存制定。工業(yè)標準的內存通常指的是符合JEDEC標準的一組內存。

MCH
　Memory Controller Hub (MCH)－內存控制中心，Intel 8xx（例如820或840）芯片組中用于控制AGP、CPU、內存（RDRAM）等組件工作的芯片。

MDRAM
　MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK動(dòng)態(tài)內存，MDRAM是MoSys公司開(kāi)發(fā)的一種VRAM（視頻內存），它把內存劃分為32KB的一個(gè)個(gè)BANK（存儲庫），這些 BANK可以單獨訪(fǎng)問(wèn)，每個(gè)儲存庫之間以高于外部的數據速度相互連接。其最大特色是具有"高性能、低價(jià)位"特性，最大傳輸率高達666MB/S，一般用于高速顯卡。

Micro BGA
　Micro BGA (μBGA)－縮微型球狀引腳柵格陣列封裝，Tessera, Inc.公司開(kāi)發(fā)的的一種BGA 芯片封裝技術(shù)，主要用于高頻工作的RDRAM。這種技術(shù)能把芯片尺寸做得更小，提高了散熱性，使內存條的數據密度增大了。

Non-Composite
　蘋(píng)果電腦的內存術(shù)語(yǔ)，表示一種采用了新技術(shù)的內存條。該內存條上的芯片顆粒很少，但數據密度卻非常高。Non-composite 內存條比 composite 內存條工作更可靠，但價(jià)格也相對高。

PC100
　JEDEC 和Intel制定的一種SDRAM內存顆粒（或內存條）技術(shù)標準。其中100是指該內存能工作在前端總線(xiàn)（FSB）100MHz的系統中。當初，PC100規范是為配合INTEL推出BX芯片組制定的準則，其規范條款很多，但主要有以下幾點(diǎn)： 1、TCK（CLOCK、CYCLE、TIME）內存時(shí)鐘周期，在100MHZ外頻工作時(shí)值為10ns; 2、TAC（ACCESS TIME FRONCLK）存取時(shí)間小于6ns； 3、PCB必須為六層板，可以濾掉雜波； 4、內存上必須有SPD，SPD一般由內存模組制造商寫(xiě)入，設定內存工作參數。

PC133
　IBM 和Reliance電子公司制定的一種內存芯片（或內存條）技術(shù)標準，其中的133指的是該內存工作頻率可達133MHz。嚴格地說(shuō)，PC133和 PC100內存在制造工藝上沒(méi)有什么太大的不同，區別只是在制造PC133內存時(shí)多了一道"篩選"工序，把內存顆粒中外頻超過(guò)133 MHz的挑選出來(lái)，焊接成高檔一些的內存。

Pin
　Pin－針狀引腳，內存金手指上的金屬接觸點(diǎn)。

PLB
　PLB （Pipeline Burst Cache）－脈沖突發(fā)式緩存，PLB能使第一個(gè)脈沖到達處理器之前，四個(gè)數據一個(gè)接一個(gè)的連續傳輸中有順序地讀寫(xiě)。PLB常用于SRAM，制造計算機的一級和二級緩存。它分為同步與異步兩種工作方式。

PROM
　PROM （Programmable Read-Only Memory）－可編程只讀存儲器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM，是一種可以用程序操作的只讀內存。最主要特征是只允許數據寫(xiě)入一次，如果數據燒入錯誤只能報廢。

RAM
　RAM (Random-Access Memory)－隨機存取存儲器，一種存儲單元結構，用于保存CPU處理的數據信息。"隨機"（Random）存取是與"順序（serial）"存取相對而言的，意思是CPU可以從RAM中任意地址中直接讀取所需的數據，而不必從頭至尾一一查找。

Rambus DRAM
　Rambus DRAM原本是Intel強力推廣的未來(lái)內存發(fā)展方向，其技術(shù)引入了RISC（精簡(jiǎn)指令集），依靠高時(shí)鐘頻率（目前有300MHz、350MHz和 400MHz三種規格）來(lái)簡(jiǎn)化每個(gè)時(shí)鐘周期的數據量。因此其數據通道接口只有16bit（由兩條8bit的數據通道組成），遠低于SDRAM的 64bit，由于Rambus DRAM也是采用類(lèi)似于DDR的雙速率傳輸結構，同時(shí)利用時(shí)鐘脈沖的上升與下降沿進(jìn)行數據傳輸，因此在300MHz下的數據傳輸量可以達到300MHz× 16bit×2/8=1.2GB/s，400MHz時(shí)可達到1.6GB/s，目前主流的雙通道PC800MHz RDRAM的數據傳輸量更是達到了3.2GB/s。相對于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，確實(shí)很有吸引力。 Rambus DRAM的認證機制也較為嚴格，其認證測試包括DirectRDRAM元件、RIMM模塊、RIMM連接器和DirectRDRAM時(shí)鐘發(fā)生器。以確保與 Intel的系統保持百分百的兼容。

RAS
　RAS （Row Address Strobe）－行地址選通脈沖，在DRAM數據位中，用列地址和行地址的交叉點(diǎn)定位每個(gè)單元的存儲地址。行地址的選通由RAS控制。

Registered Memory
　Registered Memory－帶寄存器的內存，帶有寄存器（register）SDRAM內存條。寄存器可以的作用是：再次推動(dòng)數據信號通過(guò)內存芯片，使內存條上能夠焊接更多的芯片。帶寄存器（Registered）的內存和不帶緩存（unbuffered）的內存不能混用。能否使用帶寄存器的內存是由電腦的內存控制器決定的。

ROM
　ROM （Read Only Memory）－只讀存儲器，掉電后數據不丟失的一種存儲器，主要用來(lái)存放"固件"（Firmware）。主板、顯卡、網(wǎng)卡上的BIOS就是一種ROM，因為他們程序和數據的變動(dòng)概率都很低。

SDRAM
　Synchronous DRAM同步動(dòng)態(tài)內存。它與系統總線(xiàn)同步工作，避免了在系統總線(xiàn)對異步DRAM進(jìn)行操作時(shí)同步所需的額外等待時(shí)間，可加快數據的傳輸速度。這是98年流行的一種同步動(dòng)態(tài)內存。它提高讀寫(xiě)速率的的基本原理是將CPU和RAM通過(guò)一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使得RAM和CPU能夠共享一個(gè)鐘周期，以相同的速度同步工作，從而解決了CPU和RAM之間的速度不匹配問(wèn)題。

SDRAM
　自從Pentium時(shí)代以來(lái)，SDRAM就開(kāi)始了其不可動(dòng)搖的霸主地位。這種主體結構一直延續至今。成為市場(chǎng)上無(wú)可爭議的內存名稱(chēng)的代名詞。臺式機使用的SDRAM一般為168線(xiàn)的管腳接口，具有64bit的帶寬，工作電壓為3.3伏，目前最快的內存模塊為5.5納秒。由于其最初的標準是采用將內存與CPU進(jìn)行同步頻率刷新的工作方式，因此，基本上消除了等待時(shí)間，提高了系統整體性能。大家都知道CPU的核心頻率＝系統外部頻率×倍頻的方式。而內存就是工作在系統的外部頻率下，最初的66MHz的外部工作頻率嚴重地影響了系統整體的工作性能，芯片組廠(chǎng)商又陸續制訂出100MHz、133MHz系統外頻的工作標準。這樣SDRAM內存也就有了66MHz（PC66）、100MHz （PC100）和133MHz（PC133）三種標準規格，另外CL值也是衡量?jì)却娴囊粋�(gè)很重要的標準。某些內存廠(chǎng)商為了滿(mǎn)足一些超頻愛(ài)好者的需求還推出了PC150和PC166內存。

SIMM
　Single-In-line-Menory-Modules,是我們經(jīng)常用到的一種內存插槽，它是72線(xiàn)結構。如今的內存模塊大部分是把若干個(gè)內存芯片顆粒集成在一小塊電路板上，然后通過(guò)SIMM插槽與主板相連。 SIMM
　Single-In-line-Menory-Modules,是我們經(jīng)常用到的一種內存插槽，它是72線(xiàn)結構。如今的內存模塊大部分是把若干個(gè)內存芯片顆粒集成在一小塊電路板上，然后通過(guò)SIMM插槽與主板相連。SIMM（Single In-line Memory Modules），單邊接觸內存模組。是5X86及其較早的PC中常采用的內存接口方式。在486以前，多采用30針的SIMM接口，而在Pentuim 中更多的是72針的SIMM接口，或者與DIMM接口類(lèi)型并存。人們通常把72線(xiàn)的SIMM類(lèi)型內存模組直接稱(chēng)為72線(xiàn)內存。

Sync SRAM
　Sync SRAM－同步靜態(tài)隨機存儲器，其工作時(shí)鐘與系統同步，Intel推出的430LX，430NX，430FX等支持奔騰的主板芯片組都支持它。但CPU速度大大提升后，該高速緩存被PB-SRAM取代。

Tag RAM
　在主板的Cache附近的一個(gè)用來(lái)存儲高速緩存數據索引地址（Index Address）的RAM，其主要功能是輔助Cache、CPU、芯片組的溝通與存取尋址數據。

Tiny BGA
　Tiny BGA（小型球柵陣列封裝），Kingmax公司的一項專(zhuān)利技術(shù)，屬于BGA內存封裝技術(shù)的一個(gè)分支。其芯片面積與封裝面積之比約為1：1.4。

TOSP II
　TOSP II（薄型小尺寸封裝II），SDRAM內存最為常見(jiàn)的封裝形式。但是，隨著(zhù)內存的速度和頻率的不斷提高，這種封裝形式越來(lái)越不能滿(mǎn)足需要。

TSOP
　TSOP（Thin Small Out-Line Package）－薄型小尺寸封裝，TSOP也是DRAM的一種封裝形式，但它的封裝厚度只有SOJ的三分之一。TSOP DRAM 被廣泛運用于SODIMM和IC卡式內存。

Unbuffered Memory
　Unbuffered Memory（不帶緩存的內存），PCB上不帶緩存（buffer）或寄存器（register）的內存條。 但是，使用這種內存的電腦主板上要帶緩存或寄存器。

串行存在探測
　即，SPD（Serial Presence Detect）它是1個(gè)8針的SOIC封裝(3mm*4mm)256字節的EEPROM (ElectricallyErasableProgrammableROM電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲器)芯片。型號多為24LC01B，位置一般處在內存條正面的右側，里面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數信息。當開(kāi)機時(shí)PC的BIOS將自動(dòng)讀取SPD中記錄的信息，如果沒(méi)有 SPD，就容易出現死機或致命錯誤的現象。它是識別PC100內存的一個(gè)重要標志�，F在個(gè)別廠(chǎng)商一方面為了降低生產(chǎn)成本，另一方面又要從表面上迎合 PC100標準，就在PCB板上焊上一片空的SPD。這樣就有可能導致在100MHz以上外頻不能正常工作，還應該注意的是一些廠(chǎng)商出的主板(如 INTEL原裝板)一定要BIOS檢測到SPD中的數據才能正常工作，而對于使用假SPD的內存來(lái)說(shuō)，就會(huì )有不兼容或死機的現象出現。

串行存在偵測
　串行存在偵測-SPD(Serial Presence Detect)，SPD是一顆8針的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 電子可擦寫(xiě)程序式只讀內存）, 容量為256字節~2KB，里面主要保存了該內存的相關(guān)資料，如容量、芯片廠(chǎng)商、內存模組廠(chǎng)商、工作速度、是否具備ECC校驗等。SPD的內容一般由內存模組制造商寫(xiě)入。支持SPD的主板在啟動(dòng)時(shí)自動(dòng)檢測SPD中的資料，并以此設定內存的工作參數。

磁盤(pán)陣列
　磁盤(pán)陣列（Disk Array）是由一個(gè)硬盤(pán)控制器來(lái)控制多個(gè)硬盤(pán)的相互連接，使多個(gè)硬盤(pán)的讀寫(xiě)同步，減少錯誤，增加效率和可靠度的技術(shù)。

帶寬
　每個(gè)時(shí)間單位可以傳輸或處理的數據量。 簡(jiǎn)單地說(shuō)，帶寬就象管道大小 - 管道越大，可以傳輸得越多。

讀寫(xiě)時(shí)序
　內存在突發(fā)式（Burst）讀取模式下一次可連續讀取4組數據，其讀取周期可以表示為X-Y-Y-Y。其中X表示讀取第一組數據的時(shí)鐘周期數，一般叫做Lead off time（通常時(shí)間比較長(cháng)）；Y表示后三組數據的讀寫(xiě)時(shí)間周期。

服務(wù)器內存
　服務(wù)器是企業(yè)信息系統的核心，因此對內存的可靠性非常敏感。服務(wù)器上運行著(zhù)企業(yè)的關(guān)鍵業(yè)務(wù)，內存錯誤可能造成服務(wù)器宕機并使數據永久丟失。服務(wù)器內存大多都帶有Buffer（緩存器），Register（寄存器），ECC（錯誤糾正代碼），具有普通PC內存所不具備的高性能、高兼容性和高可靠性。

靜態(tài)列
　DRAM加快數據輸出的一種模式。當訪(fǎng)問(wèn)靜態(tài)列（static-column）的數據時(shí)，DRAM不斷地激活列輸出緩沖區，以此來(lái)加速輸出。但其缺點(diǎn)是當地址不連續時(shí)就會(huì )很慢，而且耗電量也比 FPM模式要高。

內存總線(xiàn)速度
　內存總線(xiàn)速度或者叫系統總路線(xiàn)速度，一般等同于CPU的外頻。內存總線(xiàn)的速度對整個(gè)系統性能來(lái)說(shuō)很重要，由于內存速度的發(fā)展滯后于CPU的發(fā)展速度，為了緩解內存帶來(lái)的瓶頸，所以出現了二級緩存，來(lái)協(xié)調兩者之間的差異，而內存總線(xiàn)速度就是指CPU與二級(L2)高速緩存和內存之間的工作頻率。

偶校驗
　Even Parity－偶校驗，一種來(lái)檢測數據完整性的方法。與奇校驗相反，8個(gè)數據位與校驗位加起來(lái)有偶數個(gè)1。具體參考Odd Parity奇校驗。

奇校驗
　Odd Parity（奇校驗），校核數據完整性的一種方法，一個(gè)字節的8個(gè)數據位與校驗位（parity bit ）加起來(lái)之和有奇數個(gè)1。校驗線(xiàn)路在收到數后，通過(guò)發(fā)生器在校驗位填上0或1，以保證和是奇數個(gè)1。因此，校驗位是0時(shí)，數據位中應該有奇數個(gè)1；而校驗位是1時(shí)，數據位應該有偶數個(gè)1。如果讀取數據時(shí)發(fā)現與此規則不符，CPU會(huì )下令重新傳輸數據。

閃存
　閃存是采用一種新型的EEPROM內存（電可擦可寫(xiě)可編程只讀內存），具有內存可擦可寫(xiě)可編程的優(yōu)點(diǎn)，還具有寫(xiě)入的數據在斷電后不會(huì )丟失的優(yōu)點(diǎn)。所有被廣泛應用用于數碼相機，MP3，及移動(dòng)存儲設備。

隨機訪(fǎng)問(wèn)內存
　隨機訪(fǎng)問(wèn)內存（RAM）相當于PC機上的移動(dòng)存儲，用來(lái)存儲和保存數據的。在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě)，RAM通常用作操作系統或其他正在運行的程序的臨時(shí)存儲介質(zhì)（可稱(chēng)作系統內存）。不過(guò)，當電源關(guān)閉時(shí)時(shí)RAM不能保留數據，如果需要保存數據，就必須把它們寫(xiě)入到一個(gè)長(cháng)期的存儲器中（例如硬盤(pán)）。正因為如此，有時(shí)也將RAM稱(chēng)作"可變存儲器"。RAM內存可以進(jìn)一步分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動(dòng)態(tài)內存（DRAM）兩大類(lèi)。

信用卡內存
　Credit Card Memory（信用卡內存），主要用于膝上型電腦和筆記本電腦的一種內存。其外型尺寸猶如一個(gè)信用卡，因此而得名。

虛擬信道內存
　NEC 公司開(kāi)發(fā)的一種改良的DRAM內存，數據傳輸率為133MHz。其原理是在現在的DRAM IC 中加入一個(gè)虛擬的SRAM作為Cache，以此來(lái)維護數據存取的穩定性。 VCM 使內存的不同區塊（每塊都有自己的緩存）能夠分別和控制器對話(huà)。如此一來(lái)，系統的任務(wù)可以分配到它們各自的虛擬信道里面。同時(shí)運行的多個(gè)任務(wù)互相之間不會(huì )爭用緩存，所以系統的整體效率就提高了。

只讀內存
　只讀內存（ROM）相當于PC機上的硬盤(pán)，用來(lái)存儲和保存數據的。ROM數據不能隨意更新，但是在任何時(shí)候都可以讀取。即使是斷電，ROM也能夠保留數據。

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