雙通道內存

雙通道內存技術(shù)其實(shí)是一種內存控制和管理技術(shù)，它依賴(lài)于芯片組的內存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規格內存所提供的帶寬增長(cháng)一倍。它并不是什么新技術(shù)，早就被應用于服務(wù)器和工作站系統中了，只是為了解決臺式機日益窘迫的內存帶寬瓶頸問(wèn)題它才走到了臺式機主板技術(shù)的前臺。在幾年前，英特爾公司曾經(jīng)推出了支持雙通道內存傳輸技術(shù)的i820芯片組，它與RDRAM內存構成了一對黃金搭檔，所發(fā)揮出來(lái)的卓絕性能使其一時(shí)成為市場(chǎng)的最大亮點(diǎn)，但生產(chǎn)成本過(guò)高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況，最后被市場(chǎng)所淘汰。由于英特爾已經(jīng)放棄了對RDRAM的支持，所以目前主流芯片組的雙通道內存技術(shù)均是指雙通道DDR內存技術(shù)，主流雙通道內存平臺英特爾方面是英特爾 865/875系列，而AMD方面則是NVIDIA Nforce2系列。 　　雙通道內存技術(shù)是解決CPU總線(xiàn)帶寬與內存帶寬的矛盾的低價(jià)、高性能的方案�，F在CPU的FSB（前端總線(xiàn)頻率）越來(lái)越高，英特爾 Pentium 4比AMD Athlon XP對內存帶寬具有高得多的需求。英特爾 Pentium 4處理器與北橋芯片的數據傳輸采用QDR（Quad Data Rate，四次數據傳輸）技術(shù)，其FSB是外頻的4倍。英特爾 Pentium 4的FSB分別是400/533/800MHz，總線(xiàn)帶寬分別是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的內存帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在單通道內存模式下，DDR內存無(wú)法提供CPU所需要的數據帶寬從而成為系統的性能瓶頸。而在雙通道內存模式下，雙通道DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的內存帶寬分別是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在這里可以看到，雙通道DDR 400內存剛好可以滿(mǎn)足800MHz FSB Pentium 4處理器的帶寬需求。而對AMD Athlon XP平臺而言，其處理器與北橋芯片的數據傳輸技術(shù)采用DDR（Double Data Rate，雙倍數據傳輸）技術(shù)，FSB是外頻的2倍，其對內存帶寬的需求遠遠低于英特爾 Pentium 4平臺，其FSB分別為266/333/400MHz，總線(xiàn)帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用單通道的DDR 266/DDR 333/DDR 400就能滿(mǎn)足其帶寬需求，所以在A(yíng)MD K7平臺上使用雙通道DDR內存技術(shù)，可說(shuō)是收效不多，性能提高并不如英特爾平臺那樣明顯，對性能影響最明顯的還是采用集成顯示芯片的整合型主板。
　　NVIDIA推出的nForce芯片組是第一個(gè)把DDR內存接口擴展為128-bit的芯片組，隨后英特爾在它的E7500服務(wù)器主板芯片組上也使用了這種雙通道DDR內存技術(shù)，SiS和VIA也紛紛響應，積極研發(fā)這項可使DDR內存帶寬成倍增長(cháng)的技術(shù)。但是，由于種種原因，要實(shí)現這種雙通道DDR（128 bit的并行內存接口）傳輸對于眾多芯片組廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)絕非易事。DDR SDRAM內存和RDRAM內存完全不同，后者有著(zhù)高延時(shí)的特性并且為串行傳輸方式，這些特性決定了設計一款支持雙通道RDRAM內存芯片組的難度和成本都不算太高。但DDR SDRAM內存卻有著(zhù)自身局限性，它本身是低延時(shí)特性的，采用的是并行傳輸模式，還有最重要的一點(diǎn)：當DDR SDRAM工作頻率高于400MHz時(shí)，其信號波形往往會(huì )出現失真問(wèn)題，這些都為設計一款支持雙通道DDR內存系統的芯片組帶來(lái)不小的難度，芯片組的制造成本也會(huì )相應地提高，這些因素都制約著(zhù)這項內存控制技術(shù)的發(fā)展。
　　普通的單通道內存系統具有一個(gè)64位的內存控制器，而雙通道內存系統則有2個(gè)64位的內存控制器，在雙通道模式下具有128bit的內存位寬，從而在理論上把內存帶寬提高一倍。雖然雙64位內存體系所提供的帶寬等同于一個(gè)128位內存體系所提供的帶寬，但是二者所達到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個(gè)獨立的、具備互補性的智能內存控制器，理論上來(lái)說(shuō)，兩個(gè)內存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時(shí)運作。比如說(shuō)兩個(gè)內存控制器，一個(gè)為A、另一個(gè)為B。當控制器B準備進(jìn)行下一次存取內存的時(shí)候，控制器A就在讀/寫(xiě)主內存，反之亦然。兩個(gè)內存控制器的這種互補“天性”可以讓等待時(shí)間縮減50%。雙通道DDR的兩個(gè)內存控制器在功能上是完全一樣的，并且兩個(gè)控制器的時(shí)序參數都是可以單獨編程設定的。這樣的靈活性可以讓用戶(hù)使用二條不同構造、容量、速度的DIMM內存條，此時(shí)雙通道DDR簡(jiǎn)單地調整到最低的內存標準來(lái)實(shí)現128bit帶寬，允許不同密度/等待時(shí)間特性的DIMM內存條可以可靠地共同運作。
   
　　支持雙通道DDR內存技術(shù)的臺式機芯片組，英特爾平臺方面有英特爾的865P/865G/865GV/865PE/875P以及之后的915/925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平臺方面則有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。

謝謝支持

有更好的文章可以一起討論！畢竟技術(shù)是先人至后人發(fā)的東西！